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公开(公告)号：CN116781086A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310864686.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种并发数为6的4:2压缩器，包括计算进位部分和接收后级进位部分；所述4:2压缩器的输入信号为第一路输入信号、第二路输入信号、第三路输入信号，和第四路输入信号，进位输入信号为第一路进位输入信号和第二路进位输入信号，输出信号为第一路输出信号和第二路输出信号，进位输出信号为第一路进位输出信号和第二路进位输出信号。本发明所述的4:2压缩器对于单bit的尾数部分积可以直接纳入计算，在总体计算过程中减少了消耗的资源，缩短关键路径；大大提升了树形部分积压缩部分的性能，但不会对其他部分的结构造成影响，具有普适性。
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公开(公告)号：CN113594027A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110846927.7
申请日：2021-07-27
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种腐蚀4H‑碳化硅表面的方法，并对腐蚀后的4H‑SiC表面的缺陷进行检测。本发明通过摩尔质量比为18‑22的KOH和K2CO3做腐蚀剂，将4H‑SiC样品在540‑560℃的温度下腐蚀15‑25min，能够得到边界清晰，缺陷形貌及分布均清晰可见的良好的腐蚀效果。为准确统计腐蚀后样品中TSD的六角形蚀坑缺陷提供可能，更是便于对缺陷的区分、观察和计数，得到更精确的缺陷密度。从而为判断最终半导体器件的可靠性提供良好依据。
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公开(公告)号：CN113295671A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110561309.8
申请日：2021-05-22
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于微区拉曼系统的非接触式n型4H‑SiC晶圆电阻率测量方法。通过微区拉曼光谱测试系统测得晶圆中不同位置的LO声子和等离子体耦合峰(LOPC)，通过拟合得到LOPC峰峰位和半高宽。将峰位和半高宽输入到电阻率分析程序，得到不同位置处电阻率数值。分析程序将电子浓度和电子迁移率分成网格格点，计算每一个网格点对应的LOPC峰位值、半高宽和电阻率值，建立LOPC峰位值、半高宽和电阻率值对应的网表。
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公开(公告)号：CN113223047A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110247463.8
申请日：2021-03-05
Applicant: 兰州大学
Abstract: 发明涉及一种基于FPGA的模板匹配目标追踪系统，包括依次电连接的视频输入模块、FPGA图像处理模块、串口接收模块及显示模块。该系统基于FPGA的模板匹配目标追踪方法包括如下步骤：视频图像的输入、图像预处理、模板匹配、实时图像及坐标输出。本发明将拓展的像素点数作为算法处理中的参数，可以根据不同运动速度下的目标，调节参数大小，选择合适的匹配区域，同时使用有限状态机写法，将模板匹配算法分为IDLE(空闲状态)、STORE_T(模板存储状态)、STORE_P(可能区域存储状态)、MATCH(模板匹配状态)和OUT(输出状态)等五个状态，大大简化了算法的数据处理过程。
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公开(公告)号：CN112907714A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110247464.2
申请日：2021-03-05
Applicant: 兰州大学
Abstract: 发明涉及一种基于Census变换和灰度绝对差的混合匹配双目视觉系统，所述系统包括相互之间电性连接的双目图像数据采集模块、FPGA图像数据处理模块和视差图输出显示模块；所述FPGA图像数据处理模块包括图像矫正、图像预处理、图像变换以及双目匹配过程；利用双目匹配的相似性检测函数记录最小值所对应的像素点，即为最佳匹配点，通过视差图输出显示模块输入显示。本发明的双目视觉系统采用的算法不仅大大减少了计算量，有效排除了光照、噪声等环境因素的影响；而且在基于传统Census变换的基础上，通过判断是否为物体边缘，来进行自适应窗口大小的Census变换，大大增加了匹配的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112133802B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202011005050.0
申请日：2020-09-23
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L33/12 , H01L33/32 , H01L21/02 , H01L33/00 , C23C14/10 , C23C14/34 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜，包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO2掩膜层，所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si3N4缓冲层，所述SiO2掩膜层和不参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有溅射SiO2膜；所述参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有GaN插入层，所述GaN插入层上生长有GaN薄膜层。本发明的GaN薄膜，通过在Si图形衬底上外延生长非极性GaN薄膜的方法制得，不仅成本低廉，且性能优良能够广泛地用于器件的制作中。
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公开(公告)号：CN116577340A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310608691.2
申请日：2023-05-28
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法，首先将碳化硅样品清洗并腐蚀，完成腐蚀的样品再次清洗后置于光学显微镜的暗场模式下观测，通过贯穿螺型位错和贯穿刃型位错腐蚀坑呈现的不同光学状态来对其进行区分，得出如下结果：所述光学显微镜100x放大倍数以内，正六边形暗色腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错；所述光学显微镜200x放大倍数以上，正六边形且中心暗边缘亮的腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错。所述方法不仅便于对缺陷观察与计数，更能够得到准确的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN115376910B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211083708.9
申请日：2022-09-06
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L33/22
Abstract: 本发明涉及一种制备平行斜刻凹槽图形化硅衬底的方法，通过湿法腐蚀的方法，在30‑60℃的15wt％‑25wt％KOH溶液中20‑50min腐蚀后，可以在(113)表面的硅衬底上刻蚀出了分布均匀、边界清晰可见的斜刻凹槽，凹槽各面分别为(1‑11)面，(011)面，(‑11‑1)面，凹槽的深度与温度和时间呈正相关。该方法为硅衬底提供了不同的晶面以及不同的形貌，为硅衬底凹槽提供更多选择性。硅衬底不同的表面有不同的性质，本发明的方法为后续制作半导体器件提供了新型的衬底表面选择。
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公开(公告)号：CN114965468A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210510883.5
申请日：2022-05-11
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法，所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面；然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程；再对腐蚀后4H‑SiC样品进行盐酸酸洗；最后用光学显微镜观察4H‑SiC的AB面，根据其各向同性或各向异性的腐蚀行为来确定该表面自由能的大小，从而判定出具有各向异性腐蚀行为的高表面自由能的表面为4H‑SiC样品的Si面，而具有各向同性腐蚀行为的低表面自由能的表面为4H‑SiC样品的C面。本方法对于检测样品的要求低，且无论待测样品是否完好，是否具有缺陷，腐蚀过程中的腐蚀温度和腐蚀时间均较短，结果均可靠；而且采用光学显微镜进行观测，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN113437144A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110561315.3
申请日：2021-05-22
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法，包括衬底，所述衬底包括硅衬底和生长在所述硅衬底上的氧化层，所述氧化层上刻蚀有二硫化铼沟道，所述场效应管还包括生长在源漏接触区的漏源电极、覆盖所述二硫化铼沟道的栅氧化层以及位于硅衬底底部的金属引线，所述栅氧化层上生长有栅电极，所述漏源电极包括依次位于所述氧化层之上的Cr电极和Au电极。本发明的场效应管具有较高的开关电流比，且有效降低了器件尺寸缩小带来短沟道效应，同时顶栅和背栅的结构也有助于源漏电流的调控。
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