一种钒基忆阻器及其制备方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116709897A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310908826.7

    申请日:2023-07-24

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明提供一种钒基忆阻器及其制备方法,涉及半导体器件领域。该钒基忆阻器的制备方法,包括以下步骤:在衬底上制备Pt电极作为底电极;将处理后的衬底和底电极加热,采用纯度99.9%的金属V靶,在底电极上溅射得到VOx薄膜,在空气中于400~600℃下退火20~120min,退火2~3次,得到二氧化钒薄膜;在二氧化钒薄膜上制备Pt电极作为顶电极。本发明提供的钒基忆阻器,将溅射后得到的VOx薄膜进行两次退火处理,多次退火过程可以促进更稳定的单斜相(M相)形成,并最大限度地减少第二相或杂质的存在,这可以提高薄膜的整体质量和可靠性,M相的二氧化钒功能层在室温下测试表现出良好的性能,且在室温下测量时可循环千次以上,稳定性极好。

    一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113363383B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202110605703.7

    申请日:2021-05-31

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明提供一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法,涉及电子器件领域。该阻变层材料包括羧化壳聚糖、聚乙烯醇和硝酸铵。将其形成的阻变层应用于忆阻器中,通过聚合物对于金属离子产生束缚作用能使电阻态缓慢的发生变化进而实现脉冲的增强抑制,而不是瞬间从高阻态变成低阻态,在施加脉冲后有两个量级的电导状态改变,并且不会达到限流,能实现优异的突触可塑性,如兴奋性突触后电流、抑制性突触后电流。本发明在将来的类脑忆阻器件上有非常好的应用价值,这对于突触计算和信息存储是不可或缺的。

    一种纳米间距平面电极的制备方法

    公开(公告)号:CN101834129A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201010172785.2

    申请日:2010-05-14

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开一种在微电子工程中制备电极的方法。本发明的纳米间距平面电极制备方法是首先采用静电纺丝装置制备出聚合物分子的电纺丝,再用基片材料收集电纺丝,使电纺丝附着于基片材料表面上,然后在附着有电纺丝的基片表面上用物理或者化学方法沉积一层导电介质薄膜,再将基片材料进行灼烧,去除其上的聚合物电纺丝,得到间距与纺丝直径相近的平面电极。本发明的方法可以得到极细线宽的电极,而且不会产生现有技术中因光的衍射和化学腐蚀产生的曲面问题,并有制备工艺简单、成本低廉的优点。

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