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公开(公告)号：CN113363383B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110605703.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 兰州大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括羧化壳聚糖、聚乙烯醇和硝酸铵。将其形成的阻变层应用于忆阻器中，通过聚合物对于金属离子产生束缚作用能使电阻态缓慢的发生变化进而实现脉冲的增强抑制，而不是瞬间从高阻态变成低阻态，在施加脉冲后有两个量级的电导状态改变，并且不会达到限流，能实现优异的突触可塑性，如兴奋性突触后电流、抑制性突触后电流。本发明在将来的类脑忆阻器件上有非常好的应用价值，这对于突触计算和信息存储是不可或缺的。
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公开(公告)号：CN113363381B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110599219.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括：聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。该有机忆阻器，包括所述阻变层材料形成的阻变层。本发明提供的阻变层材料包括聚乙烯亚胺(PEI)和氮化硼量子点(BNQDs)，将掺杂氮化硼量子点形成的聚乙烯亚胺有机薄膜作为阻变层，形成的有机忆阻器在220℃下测试表现出良好的性能，且在室温下测量时可循环万次以上，表现出良好的循环性能和保持性。本发明提供的阻变层材料在将来的存储器件尤其是柔性存储器件上有非常好的应用价值，使得未来存储和未来计算在极端环境下也能正常工作。
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公开(公告)号：CN113363381A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110599219.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括：聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。该有机忆阻器，包括所述阻变层材料形成的阻变层。本发明提供的阻变层材料包括聚乙烯亚胺(PEI)和氮化硼量子点(BNQDs)，将掺杂氮化硼量子点形成的聚乙烯亚胺有机薄膜作为阻变层，形成的有机忆阻器在220℃下测试表现出良好的性能，且在室温下测量时可循环万次以上，表现出良好的循环性能和保持性。本发明提供的阻变层材料在将来的存储器件尤其是柔性存储器件上有非常好的应用价值，使得未来存储和未来计算在极端环境下也能正常工作。
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公开(公告)号：CN113363383A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110605703.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括羧化壳聚糖、聚乙烯醇和硝酸铵。将其形成的阻变层应用于忆阻器中，通过聚合物对于金属离子产生束缚作用能使电阻态缓慢的发生变化进而实现脉冲的增强抑制，而不是瞬间从高阻态变成低阻态，在施加脉冲后有两个量级的电导状态改变，并且不会达到限流，能实现优异的突触可塑性，如兴奋性突触后电流、抑制性突触后电流。本发明在将来的类脑忆阻器件上有非常好的应用价值，这对于突触计算和信息存储是不可或缺的。
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