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公开(公告)号：CN117910418A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410091163.9
申请日：2024-01-23
Applicant: 兰州大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398 , G06F30/3315
Abstract: 本发明涉及一种自动寻找缓冲器插入位置的方法和装置，所述方法通过在布局布线工具中选取驱动到每个负载所经过的线段，再通过排序和循环比较构建当前网络的扇出树；从扇出树的最高层节点开始，比较得到遍历起点，并以此开始累加子树，寻找符合条件的线段；在符合条件的线段上，根据调整差值和相对方位计算得到待插坐标，判断坐标是否合规并调整。本发明对于多扇出路径的时序违例，避免了手动指定位置，节省时间，从而提高效率。
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公开(公告)号：CN114917329A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210129119.3
申请日：2022-02-11
Applicant: 兰州大学第二医院 , 兰州华帜天成生物科技有限责任公司
IPC: A61K39/00 , A61K39/395 , A61K45/06 , A61P35/00 , C07K16/28
Abstract: 本发明提供了一种新的抗CD87抗体及其特异性嵌合抗原受体、包含其特异性嵌合抗原受体的CAR‑T细胞及其与抗PD1抗体联合治疗胃癌中的应用。
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公开(公告)号：CN113363383A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110605703.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种阻变层材料、忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括羧化壳聚糖、聚乙烯醇和硝酸铵。将其形成的阻变层应用于忆阻器中，通过聚合物对于金属离子产生束缚作用能使电阻态缓慢的发生变化进而实现脉冲的增强抑制，而不是瞬间从高阻态变成低阻态，在施加脉冲后有两个量级的电导状态改变，并且不会达到限流，能实现优异的突触可塑性，如兴奋性突触后电流、抑制性突触后电流。本发明在将来的类脑忆阻器件上有非常好的应用价值，这对于突触计算和信息存储是不可或缺的。
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公开(公告)号：CN110112291A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910380046.3
申请日：2019-05-08
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极和设置在所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层由聚乙烯亚胺制备而成。本申请采用聚乙烯亚胺制备阻变存储器中阻变层的方式，通过将聚乙烯亚胺制备阻变层与顶电极和底电极形成阻变存储器，达到了兼顾阻变存储器的耐高温和柔性的目的，从而实现了该阻变存储器能够在150℃下仍表现出良好的阻变性能，且成本低廉，制备方法简单易操作的技术效果，进而解决了由于现有的阻变存储器无法兼顾耐高温性能和柔性所导致的制约其在柔性电子器件和透光性器件中应用和发展的问题。
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公开(公告)号：CN119874921A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510309214.5
申请日：2025-03-17
Applicant: 兰州大学第二医院
Abstract: 本发明公开了一种ITGB5特异性抗体的制备方法，首先采用ITGB5抗原进行富集，将原始免疫文库中识别ITGB5抗原的纳米抗体富集出来，通过流式分选仪和对照抗体进行竞争分选，将富集到的克隆进行测序及单克隆流式鉴定，结果显示获得的部分单克隆能够与对照抗体竞争结合靶抗原，本发明采用流式分析技术对筛选过程精确控制，筛选亲和力较高的抗体，其对ITGB5的亲和力达到了市售抗体的2倍左右，并且对其他抗原具有较低的交叉反应性，ITGB5特异性抗体的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114917329B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210129119.3
申请日：2022-02-11
Applicant: 兰州大学第二医院 , 兰州华帜天成生物科技有限责任公司
IPC: A61K39/00 , A61K39/395 , A61K45/06 , A61P35/00 , C07K16/28
Abstract: 本发明提供了一种新的抗CD87抗体及其特异性嵌合抗原受体、包含其特异性嵌合抗原受体的CAR‑T细胞及其与抗PD1抗体联合治疗胃癌中的应用。
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公开(公告)号：CN113363381A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110599219.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括：聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。该有机忆阻器，包括所述阻变层材料形成的阻变层。本发明提供的阻变层材料包括聚乙烯亚胺(PEI)和氮化硼量子点(BNQDs)，将掺杂氮化硼量子点形成的聚乙烯亚胺有机薄膜作为阻变层，形成的有机忆阻器在220℃下测试表现出良好的性能，且在室温下测量时可循环万次以上，表现出良好的循环性能和保持性。本发明提供的阻变层材料在将来的存储器件尤其是柔性存储器件上有非常好的应用价值，使得未来存储和未来计算在极端环境下也能正常工作。
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公开(公告)号：CN110112291B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910380046.3
申请日：2019-05-08
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极和设置在所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层由聚乙烯亚胺制备而成。本申请采用聚乙烯亚胺制备阻变存储器中阻变层的方式，通过将聚乙烯亚胺制备阻变层与顶电极和底电极形成阻变存储器，达到了兼顾阻变存储器的耐高温和柔性的目的，从而实现了该阻变存储器能够在150℃下仍表现出良好的阻变性能，且成本低廉，制备方法简单易操作的技术效果，进而解决了由于现有的阻变存储器无法兼顾耐高温性能和柔性所导致的制约其在柔性电子器件和透光性器件中应用和发展的问题。
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公开(公告)号：CN101834129B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010172785.2
申请日：2010-05-14
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开一种在微电子工程中制备电极的方法。本发明的纳米间距平面电极制备方法是首先采用静电纺丝装置制备出聚合物分子的电纺丝，再用基片材料收集电纺丝，使电纺丝附着于基片材料表面上，然后在附着有电纺丝的基片表面上用物理或者化学方法沉积一层导电介质薄膜，再将基片材料进行灼烧，去除其上的聚合物电纺丝，得到间距与纺丝直径相近的平面电极。本发明的方法可以得到极细线宽的电极，而且不会产生现有技术中因光的衍射和化学腐蚀产生的曲面问题，并有制备工艺简单、成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN113363381B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110599219.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括：聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。该有机忆阻器，包括所述阻变层材料形成的阻变层。本发明提供的阻变层材料包括聚乙烯亚胺(PEI)和氮化硼量子点(BNQDs)，将掺杂氮化硼量子点形成的聚乙烯亚胺有机薄膜作为阻变层，形成的有机忆阻器在220℃下测试表现出良好的性能，且在室温下测量时可循环万次以上，表现出良好的循环性能和保持性。本发明提供的阻变层材料在将来的存储器件尤其是柔性存储器件上有非常好的应用价值，使得未来存储和未来计算在极端环境下也能正常工作。
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