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公开(公告)号:CN202736984U
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201220186887.4
申请日:2012-04-27
Applicant: 兰州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构。其技术要点在于,它的源极和漏极与有机光敏沟道材料形成肖特基接触。其结构可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触。对于p-型有机光敏沟道材料,选用低功函数金属(例如铝、镁,等)作为漏极和源极,以形成空穴肖特基接触;对于n-型有机光敏沟道材料,选用高功函数金属(例如铂、金,等)作为漏极和源极以形成电子肖特基接触。源漏极与有机光敏沟道形成的肖特基接触,增大了无光照时漏源极之间的阻抗,极大地降低了暗电流,而光电流仅略有减小。因此本实用新型的肖特基接触有机光敏场效应管具有暗电流小、光电流/暗电流比大的优点。
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公开(公告)号:CN203932118U
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201420111644.3
申请日:2014-03-12
Applicant: 兰州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本实用新型公开了一种基于激基复合物光敏层的红外有机光敏二极管的设计与制备方法,其特征是:它由透明衬底、透明阳极、p-型激子阻挡层、激基复合物光敏层、n-型激子阻挡层和阴极组成,从下至上,其顺序依次是透明衬底、透明阳极、p-型激子阻挡层、激基复合物光敏层、n-型激子阻挡层和阴极。激基复合物光敏层红外光吸收系数高,能有效收红外光能量,产生光生电子和光生空穴。这些光生电子和光生空穴在反向偏压的作用下,分别穿过n-型激子阻挡层和p-型激子阻挡层到达阴极和阳极,从而形成光电流。
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公开(公告)号:CN205790073U
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201620452810.5
申请日:2016-05-18
Applicant: 兰州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本实用新型公布了一种高真空变温有机半导体器件测量腔,其特征是它由腔体、低温样品台、高温样品台和抽真空系统组成。其中抽真空系统与腔体相连,为其提供高真空度。提供低于室温测量环境的低温样品台和高于室温测量环境的高温样品台置于腔体之内。低温样品台采用半导体制冷片产生低温,由温度控制器实现-50℃至室温的温度变化。高温样品台的高温由电加热器产生,经温度控制器实现室温至500℃的温度变化。腔体上具有多路气体输入口,与微调阀配合,可有效且可控地改变测量腔内的气氛种类和压力,实现不同气氛下对有机半导体器件的测量;腔体配备多电极法兰,用于电源的输入和电信号的输入和输出;腔体配备石英窗作为入射和出射光的窗口及观察窗口。
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