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公开(公告)号：CN100540724C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610104527.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明提供了一种利用真空多弧离子镀膜技术和磁控溅射镀膜技术组合处理镁合金表面的方法，该方法是将基底材料利用等离子清洗和/或辉光放电清洗，然后在真空环境下，采用电弧离子镀膜法和磁控溅射法分别对清洗过的镁材基底镀上铬膜。本发明将真空多弧离子镀膜技术和磁控溅射镀膜技术进行组合，对生产工艺参数和工艺过程采用计算机进行全自动智能控制，在镁合金表面获得表面致密均匀、与基体材料有较强结合力的铬镀层，有效提高了镁合金材料的表面强度、硬度、耐磨、耐热及耐腐蚀等综合性能，同时改善了镁合金的表面光洁度和外观质量；本发明替代了常规电化学镀铬方法，是一种安全、环保的镀铬方法。
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公开(公告)号：CN1924078A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610104527.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明提供了一种利用真空多弧离子镀膜技术和磁控溅射镀膜技术组合处理镁合金表面的方法，该方法是将基底材料利用等离子清洗和/或辉光放电清洗，然后在真空环境下，采用电弧离子镀膜法和磁控溅射法分别对清洗过的镁材基底镀上铬膜。本发明将真空多弧离子镀膜技术和磁控溅射镀膜技术进行组合，对生产工艺参数和工艺过程采用计算机进行全自动智能控制，在镁合金表面获得表面致密均匀、与基体材料有较强结合力的铬镀层，有效提高了镁合金材料的表面强度、硬度、耐磨、耐热及耐腐蚀等综合性能，同时改善了镁合金的表面光洁度和外观质量；本发明替代了常规电化学镀铬方法，是一种安全、环保的镀铬方法。
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公开(公告)号：CN114481073B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210157013.4
申请日：2022-02-21
Applicant: 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及一种多功能基础与应用研究复合型物理气相沉积系统，该系统包括置于支撑平台上的反应腔体以及与反应腔体相连的真空机组和电控柜。反应腔体的顶部为平面，中心设功能转换法兰接口，该功能转换法兰接口上安装带电弧靶的多弧离子镀或带2个铜电极的热蒸发沉积；反应腔体的侧面设有平面/圆柱磁控靶、4个圆形平面磁控靶；反应腔体内设有一组不锈钢极板；反应腔体内的底部一侧设有连有电动机的传动轴；传动轴上设传动齿轮、两个定位销Ⅰ；反应腔体内的底部设大齿轮，顶部设样品架底盘；样品架底盘上均布有6个自转轴，该自转轴的顶端设样品架顶盘；每个自转轴上设一个自转齿轮。本发明经济实用，可用于制备多领域的功能性薄膜材料。
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公开(公告)号：CN100585007C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710307219.6
申请日：2007-12-30
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 汽车轮毂表面真空镀膜处理工艺，包括预处理、表面喷涂、离子清洗、真空镀膜及保护层制备步骤完成，本发明轮毂表面的金属层通过真空镀膜的方法沉积，避免了大量水资源的消耗、大量含重金属废水的产生以及由此产生的额外的成本；其次，除节约大量的贵金属外，由于油漆的流平作用，降低传统工艺的成本，同时简化了工艺，提高了效率，减轻了工人的劳动强度；再次，由于保护层与金属层的制备在同一真空实体中进行，避免了额外的工序，节约了劳动时间，制备的保护膜化学性能稳定，不会由于在高温环境和紫外线照射下变性，保证了轮毂的色泽；采用离子清洗，保证了膜层良好的结合力，大大提高了汽车轮毂的品质。
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公开(公告)号：CN100517572C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710018887.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/18 , C30B30/04
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：A.基底清洗；B.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10-4Pa后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在基底的工件车和真空室体间加200～1000V的偏压，占空比为45～80%；磁场强度300～500Gs，开始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为25～30℃，镀膜时，真空室体温度为25～30℃。本发明的优点是，可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜，使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成，大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单，可批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101225543A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710018889.6
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及单晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的单晶硅薄膜组件的形成方法。一种单晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：(1)基底抛光；(2)用静电除尘枪对抛光后的基底清洗，速度为1－5s/cm2，并采用惰性气体防止氧化；(3)单晶硅薄膜制备，将经抛光清洗后的基底放入真空室体，采用直流脉冲磁控溅射制备单晶硅薄膜，靶材为99.99％的高纯硅块体，溅射时功率密度为1－10W/cm2，靶和基底的距离为50－300mm，镀膜时，真空室体的温度为100－160℃，在工件和真空室体间加占空比为40－80％的200－1000V的直流偏压，磁场强度300～500Gs；沉积厚度为0.5－5μm。本发明的优点是在低温下进行，不需二次退火热处理，工艺过程简单，便于硅膜工业化生产。
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公开(公告)号：CN101173347A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710018888.1
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本发明涉及真空镀膜技术领域，特别涉及汽车车灯保护膜的制备。一种汽车车灯保护膜制备方法，其主要特点是包括如下步骤：(1)预处理：将车灯基体在超声清洗机中用清洗液和纯净水的混合液进行表面清洗；(2)蒸镀铝膜；将清洗好的基体放入真空室蒸镀铝膜；(3)软质保护膜制备，采用单体材料六甲基二硅氧烷离子聚合，高压直流电场辉光放电产生等离子，直流电场的强度在2500～3500V，电流强度在2～3A；产生辉光时，真空室压强为2～5Pa。本发明的优点是，由于蒸发形成的氧化硅保护膜性能稳定，且质地较硬，属于陶瓷膜，因此化学性能稳定，不会由于在高温环境和紫外线照射下变性变黄，因此保证了车灯的光学性能；由于采用了软质保护膜层即中间过渡层，有效减小了铝膜与氧化硅膜层之间的内应力，保证了膜层良好的结合力。由本发明工艺制备的车灯的反射率在90％以上，优于我国车灯国标。
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公开(公告)号：CN101140866A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710018887.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/18 , C30B30/04
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：A.基底清洗；B.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10－4Pa后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在基底的工件车和真空室体间加200～1000V的偏压，占空比为45～80％；磁场强度300～500Gs，开始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为25～30℃，镀膜时，真空室体温度为25～30℃。本发明的优点是，可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜，使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成，大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单，可批量生产。
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公开(公告)号：CN209860843U
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201821663845.9
申请日：2018-10-12
Applicant: 兰州交大常州研究院有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本实用新型提供一种用于碟式太阳能发电的控制器，包括分控制器，所述分控制器包括控制器单元、低电压保护电路、短路保护电路、充电电路；所述控制器单元分别与所述低电压保护电路、充电电路连接；所述低电压保护电路还与所述短路保护电路连接，所述充电电路还与所述短路保护电路、蓄电池连接，所述短路保护电路还与蓄电池连接。
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公开(公告)号：CN201128779Y
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200720126102.3
申请日：2007-10-09
Applicant: 兰州大成自动化工程有限公司 , 兰州交通大学
Abstract: 本实用新型主要涉及薄膜的制备设备。一种单/多晶硅薄膜制备装置，包括有真空镀膜机，其主要特点是还包括有在真空罐(3)内设有的工件车(2)的内侧固连有磁控溅射机构(6)，包括有靶盘(61)，磁控器(62)；在真空罐(3)上设有氩气入口(9)。本实用新型的有益效果是，由于组件中各膜层沉积都是在同一真空室体中进行，在保证光电转换效率的同时可以节省大量的时间，且根据不同工艺，利用该实用新型可以在计算机控制下连续完成光电转换组件的生产，因此便于工业化自动化硅膜及组件生产。
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