公开(公告)号：CN102041551A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010226110.1

申请日：2010-07-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  C23C14/30 ,  C23C14/08

CPC classification number: C30B25/183 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C30B29/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。

公开(公告)号：CN119816630A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063739.4

申请日：2023-08-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C16/40 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明为一种衬底基板的制造方法，其为用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板的制造方法，其具有：准备初始基板的工序；及在所述初始基板上形成由至少包含单晶Ir膜或单晶MgO膜的单层膜或层叠膜构成的中间层的工序，使用雾化CVD法形成构成所述中间层的单晶Ir膜或单晶MgO膜。由此，可提供一种可将高品质的单晶金刚石层制膜的衬底基板的制造方法，该高品质的单晶金刚石层能够适用于电子·磁性装置、面积大(口径大)、结晶性高且凸起、栾晶等异常生长颗粒、位错缺陷等少、纯度高且应力低。

公开(公告)号：CN118234889A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280074162.2

申请日：2022-10-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁 ,  桥上洋 ,  白井省三

IPC: C23C16/27 ,  C30B25/02 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明为一种衬底基板的制造方法，其为用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板的制造方法，所述制造方法的特征在于，具有：准备初始基板的工序；及在所述初始基板上形成由至少包含单晶Ir膜或单晶MgO膜的单层或层叠膜构成的中间层的工序，所述制造方法中，采用雾化CVD法形成构成所述中间层的单晶Ir膜或单晶MgO膜。由此，可提供一种衬底基板的制造方法，其能够使适合于电气·磁力设备，具有大面积(大口径)、高结晶性且凸起、异常生长颗粒、位错缺陷等较少、高纯度且低应力的高品质的单晶金刚石层制膜。

公开(公告)号：CN107130293B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201710103267.7

申请日：2017-02-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金沢大学

Inventor： 野口仁 ,  白井省三 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  桑原大辅 ,  山崎聪 ,  竹内大辅 ,  徳田规夫 ,  猪熊孝夫 ,  松本翼

IPC: C30B29/04 ,  C30B33/12 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。

公开(公告)号：CN102296362B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110177039.7

申请日：2011-06-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁 ,  白井省三

IPC: C30B25/18

CPC classification number: C30B29/04 ,  C30B25/183 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供一种能够让大面积高结晶性单结晶金刚石生长的，以及可以低成本制造高品质单结晶金刚石基板的单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法。具体地说，本发明提供了一种单晶金刚石生长用基体材料，其特征在于所述基体材料包括：由线膨胀系数比MgO要小，且为0.5×10-6/K以上的材料构成的基本基体材料；在所述基本基体材料的使所述单晶金刚石生长侧，用贴合法形成的单晶MgO层；以及在所述单晶MgO上使其异质外延生长的铱膜、铑膜、铂膜的任意一个构成的膜。

公开(公告)号：CN103572248B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310337976.3

申请日：2013-08-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/517

CPC classification number: C30B25/16 ,  C23C16/27 ,  C23C16/272 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321

Abstract: 通过在用于固定衬底（S）的平台电极（12）与电压施加电极（13）之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD方法，在衬底（S）上从含碳气体与氢气的气体混合物中生长金刚石。在通过施加DC电压生长金刚石的步骤期间，以预定时序在平台电极与电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。以稳定的生长速率制造优质的金刚石。

公开(公告)号：CN101775648A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910253987.7

申请日：2009-12-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B29/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明以低成本提供：金刚石和单晶基板不会破损，且具有面积大、结晶性高的单晶金刚石膜作为连续膜的层积基板及其制造方法。该层积基板是至少具有单晶基板和在该单晶基板上化学气相沉积的金刚石膜的层积基板，其特征在于，上述单晶基板是Ir单晶或Rh单晶。该层积基板的制造方法的特征在于，至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序，并且上述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶。

公开(公告)号：CN101054720A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710085883.0

申请日：2007-03-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野口仁

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 一种能更确实地使单结晶钻石成长的单结晶钻石成长用基材的制造方法。一种单结晶钻石成长用基材的制造方法，包含对于钻石成长前的基材预先进行偏压处理，通过以基材侧电极作为阴极的直流放电而形成钻石核，其特征在于：该处理中，至少保持偏压处理开始40秒后至偏压处理结束为止的基材温度为800℃±60℃。

公开(公告)号：CN117480283A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280042067.4

申请日：2022-05-24

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 野口仁 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光

IPC: C30B29/04

Abstract: 本发明为一种金刚石基板的制造方法，其特征在于，其为通过微波等离子体CVD法、直流等离子体CVD法、热灯丝CVD法或电弧放电等离子体喷射CVD法，将氢稀释甲烷作为主原料气体，通过外延生长在基底基板上制造(111)取向金刚石晶体的方法，并将生长速度设为小于3.8μm/h。由此，可稳定地提供一种通过在于规定条件下进行CVD而获得的高取向(111)金刚石基底基板上，于相同的规定条件下进行CVD而获得的NV轴为[111]取向并具有高密度的NVC的、能够应用于电子磁性器件的金刚石晶体及其制造方法。

公开(公告)号：CN112813409A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011286501.2

申请日：2020-11-17

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 野口仁 ,  德田规夫 ,  松本翼

IPC: C23C16/27

Abstract: 本发明为一种形成具有氮空位中心的金刚石晶体层的金刚石衬底的制造方法，其为利用CVD法并使用包含烃气与氢气的原料气体而在基底衬底上形成金刚石晶体的方法，该方法中，为了在所述金刚石晶体的至少一部分形成所述具有氮空位中心的金刚石晶体层，在将氮气或氮化物气体混入所述原料气体的同时，对于所述原料气体所包含的各种气体的量，将烃气的量设为0.005体积％以上且6.000体积％以下；将氢气的量设为93.500体积％以上且小于99.995体积％；将氮气或氮化物气体的量设为5.0×10‑5体积％以上且5.0×10‑1体积％以下。由此，提供一种金刚石衬底的制造方法，其通过以规定的条件进行CVD，能够在基底衬底上形成一种NV轴为[111]高度取向且具有高密度的氮‑空位中心(NVC)的金刚石晶体。