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公开(公告)号：CN109411572A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810900221.2
申请日：2018-08-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光组件的制造方法，为减低将发光组件自具有晶格不匹配系窗层兼支承基板的半导体基板，透过刻划及劈裂予以分离时的劈裂不良率，在基板以晶格匹配系材料磊晶出第一半导体层、活性层及第二半导体层而形成发光层部，以与发光层部为晶格不匹配系材料磊晶出窗层兼支承基板，除去基板，形成第一欧姆电极，形成除去部，在除去部形成第二欧姆电极，由此制造半导体基板，自半导体基板以刻划及劈裂而分离发光组件，通过在与半导体基板发光层部形成面的反面，形成窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下沟槽，通过刻划及劈裂分离发光组件。
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公开(公告)号：CN107851699A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042450.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种发光组件的安装方法，于起始基板上，以起始基板相晶格匹配系材料，通过磊晶成长依序形成第一半导体层、活性层、第二半导体层及缓冲层；于缓冲层上，以对于起始基板为非晶格匹配系材料，通过磊晶成长形成窗层兼支承基板；去除起始基板；于第一半导体层上形成第一欧姆电极；于部分形成露出第二半导体层、缓冲层或窗层兼支承基板的除去部而设置段差；于除去部形成第二欧姆电极；分离形成有第一及第二欧姆电极的发光组件而制作发光组件芯片，以及于安装基板覆晶安装发光组件芯片，使发光组件芯片的形成第一及第二欧姆电极侧为安装基板侧。
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公开(公告)号：CN1835255A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610058845.1
申请日：2002-04-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L33/00
Abstract: 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1－xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1－xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1－xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。
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公开(公告)号：CN1264229C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN01819811.2
申请日：2001-11-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/365
Abstract: 本发明的发光组件(1)，具有由p型被覆层(2)、活性层(33)以及n型被覆层(34)依这一顺序叠层而得到的发光层部，且p型被覆层(2)由p型MgxZn1-xO(其中，0＜x≤1)层构成。再者，利用MOVPE法形成该层，这样可有效地抑制成膜中氧缺损的发生，得到具有良好特性的p型MgxZn1-xO层。
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公开(公告)号：CN117099184A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024660.6
申请日：2022-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体晶圆的制造方法，所述氮化物半导体晶圆在单晶硅基板上形成氮化物半导体膜，该方法包括：在所述单晶硅基板上形成所述氮化物半导体膜的工序；以及将1×1014/cm2以上的照射量的电子束照射至所述单晶硅基板的工序。由此，提供一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其在使氮化物半导体膜形成在单晶硅基板上而获得的氮化物半导体晶圆中，改善了由基板所造成的损失及第2高次谐波的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115917766A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180042491.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L31/18 , H01L33/22 , H01L21/02 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明是一种接合型半导体元件，其为将外延层以及与该外延层为不同材料的支撑基板接合而成，其特征在于，所述外延层以及所述支撑基板中的任一方在接合面具有由以任意点为中心呈放射状扩展的凹部或凸部构成的放射状图案。由此，能提供一种接合型半导体元件，其能抑制温度的上升、下降所致的剥离或损坏的发生。
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公开(公告)号：CN113692651A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202080026889.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0735 , H01L21/02 , H01L27/142
Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN110249435A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009144.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L33/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种发光元件，该发光元件包含窗层兼支撑基板、以及设置于该窗层兼支撑基板上且发光波长相异的多个发光部，其中，该多个发光部均具有按照第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层的顺序所形成的构造，且具有除去该第一半导体层或该第二半导体层、及该活性层的除去部、以及该除去部以外的非除去部，还具有设置于该非除去部的第一欧姆电极、以及设置于该除去部的第二欧姆电极。由此，提供一种将发光波长相异的多个发光部形成于一个发光元件，且适合窄间距的发光元件阵列的发光元件。
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公开(公告)号：CN107851699B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680042450.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种发光组件的安装方法，于起始基板上，以起始基板相晶格匹配系材料，通过磊晶成长依序形成第一半导体层、活性层、第二半导体层及缓冲层；于缓冲层上，以对于起始基板为非晶格匹配系材料，通过磊晶成长形成窗层兼支承基板；去除起始基板；于第一半导体层上形成第一欧姆电极；于部分形成露出第二半导体层、缓冲层或窗层兼支承基板的除去部而设置段差；于除去部形成第二欧姆电极；分离形成有第一及第二欧姆电极的发光组件而制作发光组件芯片，以及于安装基板覆晶安装发光组件芯片，使发光组件芯片的形成第一及第二欧姆电极侧为安装基板侧。
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