公开(公告)号：CN108026660A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053903.3

申请日：2016-08-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 高野清隆

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种单晶拉制装置，其具备：拉制炉，其配置有收容熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置在拉制炉周围且具有超导线圈，所述单晶拉制装置特征在于，磁场产生装置以如下方式产生磁场分布：在将含有超导线圈的线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向作为X轴时，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将水平面内的中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下，同时在水平面内与X轴正交且通过中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上。由此，可提供一种能够降低生成的单晶中的氧浓度且能够抑制生成的单晶中的生长条纹的单晶拉制装置。

公开(公告)号：CN106795647A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046406.6

申请日：2015-08-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  镰田洋之 ,  高野清隆

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明为一种电阻率控制方法，该方法在利用CZ法培育单晶硅时，通过掺杂物来控制所培育的单晶硅的电阻率，其特征在于，具备：初始掺杂工序，初始掺杂主掺杂物以使所述单晶硅具有规定的导电型；追加掺杂工序，培育所述单晶硅的同时，根据由(结晶化后的重量)/(初始硅原料的重量)所表示的固化率，连续性或间断性地追加掺杂具有与所述主掺杂物的导电型相反的导电型的副掺杂物；在所述追加掺杂工序中，当所述固化率为规定值α以上时，追加掺杂所述副掺杂物，在所述固化率达到所述规定值α之前不掺杂所述副掺杂物。由此，提供一种电阻率控制方法，即使在单晶硅培育中发生错位，也能够抑制收率的降低，并且能够精确地控制单晶硅的电阻率。