公开(公告)号：CN106573784A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580044611.9

申请日：2015-07-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  星野成大 ,  冈田哲郎 ,  齐藤弘

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035

Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。

公开(公告)号：CN106573784B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201580044611.9

申请日：2015-07-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  星野成大 ,  冈田哲郎 ,  齐藤弘

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。

公开(公告)号：CN112093802A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010529313.1

申请日：2020-06-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  石田昌彦 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035

Abstract: 发明涉及的多晶硅棒的制造方法，采用西门子法来制造多晶硅棒，其特征在于，包括：沉积后通电工序，其在多晶硅的沉积工序结束后，以趋肤深度D比所述沉积工序结束时的趋肤深度D0更浅为条件来进行通电。例如，在所述沉积后通电工序中通电的电流的频率f高于所述沉积工序结束时通电的电流的频率f0。

公开(公告)号：CN111825095A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010285747.1

申请日：2020-04-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  冈田哲郎 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明涉及的第一方式的硅芯线中，形成于第一硅细棒的一端的外螺纹部与形成于第二硅细棒的一端的内螺纹部相互螺合后紧固。此外，本发明涉及的第二方式的硅芯线中，形成于第一硅细棒的一端的螺纹部与形成于第二硅细棒的一端的螺纹部通过在两端部形成有螺纹部的接合器相互螺合后紧固。

公开(公告)号：CN106470942A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580036608.2

申请日：2015-07-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田中秀二 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035 ,  B01J19/087 ,  B01J2219/0803 ,  B01J2219/0879

Abstract: 芯线支架(34)(保持构件)其下端部具有形成正锥角的锥度。另一方面，关于在用于对硅芯线(100)通电的金属电极(30)与芯线支架(34)(保持构件)的连接中使用的转接器(33)(支撑构件)，插入芯线支架(34)(保持构件)的下端部的孔部的内表面具有在将该孔部的开口侧设为上方并将保持构件的下端部插入方向设为下方时锥角为正的锥度。芯线支架(34)(保持构件)的下端部插入到该转接器(33)(支撑构件)的孔部中而使硅芯线(100)固定。通过设定为这样的结构，可防止通过CVD法使多晶硅在硅芯线上析出时的、火花的产生等所导致的硅芯线的局部性熔断、结构性损伤。

公开(公告)号：CN106255663A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201580023889.8

申请日：2015-04-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  祢津茂义 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06

Abstract: 在本发明中，暂且先通过西门子法培育出多晶硅棒，然后将该多晶硅棒在750℃～900℃的范围的温度下进行热处理而除去在结晶内部残留的应力。根据本发明人的实验，利用这种程度的低温下的热处理也可以充分地除去残余应力，而且，没有引起金属污染的风险，也没有改变多晶硅棒的各物性的风险。上述热处理可以在培育出多晶硅棒的炉内实施，也可以在培育出多晶硅棒的炉外实施。根据本发明，可以得到基于2θ-sin2Ψ线图评价的残余应力(σ)为+20MPa以下的多晶硅棒，以该多晶硅棒作为原料培育单晶硅时，能够得到优质的单晶硅。

公开(公告)号：CN111591998B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN201911370744.1

申请日：2019-12-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  冈田哲郎 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/03

Abstract: 一种多晶硅制造装置，本发明提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性的技术。在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间设置一体式套筒结构的绝缘部件，将密封部件分别配置于绝缘部件的凸缘部的至少一部分和绝缘部件的直主体部的至少一部分。

公开(公告)号：CN107954427B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201710958219.6

申请日：2017-10-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  祢津茂义 ,  星野成大 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明涉及多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法。提供适合用于稳定地制造单晶硅的多晶硅块、多晶硅棒。作为单晶硅的制造原料，使用在将在1400℃以上的温度范围内以60℃/分钟以下的速度升温时的熔化的开始温度设为Ts并将熔化的完成温度设为Te时ΔT＝Te‑Ts的值为50℃以下的多晶硅块。

公开(公告)号：CN111591998A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201911370744.1

申请日：2019-12-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  冈田哲郎 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/03

Abstract: 一种多晶硅制造装置，本发明提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性的技术。在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间设置一体式套筒结构的绝缘部件，将密封部件分别配置于绝缘部件的凸缘部的至少一部分和绝缘部件的直主体部的至少一部分。

公开(公告)号：CN110550634A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910431751.1

申请日：2019-05-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  祢津茂义 ,  冈田哲郎 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒。从由西门子法培育出的多晶硅棒中采集晶片(评价试样)，筛选出粒径为100nm以下的大小的晶粒以面积比例计占3％以上的多晶硅棒作为单晶硅制造用原料。使用这种多晶硅棒作为原料并通过FZ法来培育单晶硅时，可显著抑制位错的发生。