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公开(公告)号：CN112034681A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010490327.7
申请日：2020-06-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其无损于树脂原本的碳含量而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性且成膜性优良，成为散逸气体的升华物成分少，并提供使用此组成物的图案形成方法及适合如此的组成物的聚合物。此组成物含有含式(1A)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂。 该通式(1A)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环，W1为下列通式(1B)中的任意者，也可组合使用2种以上的W1；W2为碳数1～80的2价有机基团；该通式(1B)中的R1为碳数1～10的带有不饱和键的1价有机基团，R2为有1个以上的芳香环的碳数6～20的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN113050373B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202011564357.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D307/88 , C07D493/10 , C07D311/82 , C07D233/74 , C07D239/62 , C07D251/30 , C07D487/04 , C07C69/736
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供用以形成兼顾高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良的密合力的有机膜的有机膜材料。提供含有下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。#imgabs0#该通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示2～10的整数，R1为下式(2)～(4)中的至少一者以上；#imgabs1#该通式(3)中，l1表示0或1；#imgabs2#该通式(4)中，l2表示0或1。
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公开(公告)号：CN113359390B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110240480.9
申请日：2021-03-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法。本发明的课题是提供一种组成物，是可形成图案弯曲耐性高、干蚀刻耐性高的有机膜的涂布型有机膜形成用组成物，且溶剂溶解性优异，缺陷的发生率低。本发明提供一种涂布型有机膜形成用组成物，其特征为含有：以下列通式(1)表示的结构作为部分结构的聚合物；及有机溶剂。#imgabs0#式(1)中，环结构Ar1及Ar2表示亦可具有取代基的苯环或萘环，W1为亦可具有取代基的碳数6～30的芳基。
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公开(公告)号：CN112987495B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011454750.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D303/30 , C07D405/14 , C07D209/48 , C07D403/14 , C07D487/04 , C07C53/126 , C07C65/28
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明的目的在于提供为了形成兼具高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良密合力的有机膜的有机膜材料。本发明提供包含下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。#imgabs0#上述通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示1～10的整数，R1为下列通式(2)～(4)中的至少一者以上；#imgabs1#
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公开(公告)号：CN115586699A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210791887.5
申请日：2022-07-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、使用其的密合膜的形成方法、及使用了密合膜形成材料的图案形成方法。本发明的问题为提供一种在利用半导体装置制造步骤中的多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，供予具有和抗蚀剂上层膜的高密合性，且具有抑制微细图案崩塌的效果同时可形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、使用了该材料的图案形成方法、及该密合膜的形成方法。该问题的解决手段为一种密合膜形成材料，是形成于含硅的中间膜和抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于含有：(A)具有下述通式(1)表示的结构单元的树脂，(B)含有一种以上的下述通式(2)表示的化合物的交联剂，(C)光酸产生剂，及(D)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN114545733A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111402884.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物中的一种或二种以上；及(B)有机溶剂。式中，W为碳数2～50的n价有机基团，X为下列通式(2)及(3)表示的末端基团结构，令下列通式(2)、(3)的结构的比例为a、b时，满足0.70≤a≤0.99、0.01≤b≤0.30的关系。n为1～10的整数。Z为碳数6～20的(k+1)价芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。L为单键或‑(CH2)r‑。l为2或3，r为1～5的整数。
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公开(公告)号：CN113359390A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110240480.9
申请日：2021-03-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法。本发明的课题是提供一种组成物，是可形成图案弯曲耐性高、干蚀刻耐性高的有机膜的涂布型有机膜形成用组成物，且溶剂溶解性优异，缺陷的发生率低。本发明提供一种涂布型有机膜形成用组成物，其特征为含有：以下列通式(1)表示的结构作为部分结构的聚合物；及有机溶剂。式(1)中，环结构Ar1及Ar2表示亦可具有取代基的苯环或萘环，W1为亦可具有取代基的碳数6～30的芳基。
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公开(公告)号：CN111913352A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010379131.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其含有碳含量高而有热硬化性的聚合物，会展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性，并提供使用此有机膜形成用组成物的图案形成方法，及适合此有机膜形成用组成物的聚合物。有机膜形成用组成物包含具下列通式(1A)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂。该聚合物，利用伴随位于芴环上的三苯甲基位的氢彼此的脱氢的偶联反应而交联。[化1]
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公开(公告)号：CN115586699B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202210791887.5
申请日：2022-07-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、使用其的密合膜的形成方法、及使用了密合膜形成材料的图案形成方法。本发明的问题为提供一种在利用半导体装置制造步骤中的多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，供予具有和抗蚀剂上层膜的高密合性，且具有抑制微细图案崩塌的效果同时可形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、使用了该材料的图案形成方法、及该密合膜的形成方法。该问题的解决手段为一种密合膜形成材料，是形成于含硅的中间膜和抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于含有：(A)具有下述通式(1)表示的结构单元的树脂，(B)含有一种以上的下述通式(2)表示的化合物的交联剂，(C)光酸产生剂，及(D)有机溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113341646B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110219930.6
申请日：2021-02-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供一种有机膜形成材料，其特征为包含下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂。#imgabs0#该通式(1)中，X为碳数2～50的n价有机基团或氧原子，n为1～10的整数，R1独立地为下述通式(2)中任一者。#imgabs1#该通式(2)中，破折线表示键结到X的键结部位，Q1为含有羰基的1价有机基团，且至少一部分为下述通式(3)表示的基团。#imgabs2#该通式(3)中，破折线表示键结部位，X1表示单键、或碳数1～20的2价有机基团，且该有机基团具有芳香环时也可具有取代基。R2表示氢原子、甲基、乙基、或苯基。**表示键结部位。
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