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公开(公告)号：CN1163972C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN99105945.X
申请日：1999-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L31/0368 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/056 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结的不连续性得以改善，从而改善半导体元件的特性，耐用性，耐热性。半导体层中的变形也降低。
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公开(公告)号：CN1014187B
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：CN87102172
申请日：1987-01-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子%范围之内。
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公开(公告)号：CN86108874A
公开(公告)日：1987-09-09
申请号：CN86108874
申请日：1986-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02425 , C23C16/452 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 沉积膜形成方法，其中通过各自独立地反应区通入形成沉积膜的气态原料和对所述原料有氧化作用的气态卤素氧化剂以便按化学反应形成沉积膜。该方法包括，在活化区预先活化可形成能带宽控制剂的气态物质(B)以形成活化体；然后将所述的活化体通入反应区以便在处于成膜区的基体上形成可控制能带宽的沉积膜。
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公开(公告)号：CN1155105C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN98108044.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件，包括：基底，由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料；所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率，在没有所述表面材料的状态下，由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流；其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光，从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1231518A
公开(公告)日：1999-10-13
申请号：CN99105945.X
申请日：1999-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L31/0368 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/056 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在包含微晶态半导体的半导体元件中,在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中,提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物,以便形成半导体层。因此,半导体结的不连续性得以改善,从而改善半导体元件的特性,耐用性,耐热性。半导体层中的变形也降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1201265A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN98108044.8
申请日：1998-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0376 , E04D13/18 , H02N6/00
CPC classification number: H02J7/35 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02B10/14 , Y02E10/548 , Y02P90/50 , Y10S136/293
Abstract: 一种光电转换元件,包括:基底,由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料;所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率,在没有所述表面材料的状态下,由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流;其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光,从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
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公开(公告)号：CN1018659B
公开(公告)日：1992-10-14
申请号：CN86108685
申请日：1986-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02532 , G03G5/08278 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 通过把形成沉积膜的气态原料和对所说的原料具有氧化作用性质的气态卤素氧化剂分别独立地送入反应空间，由化学反应形成沉积膜的制备沉积膜的方法，包括预先把用于形成价电子控制剂的气态物质(D)在一个激活空间里形成激活产物，并且将所说的激活产物送入反应空间，以便形成掺杂的沉积膜。
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公开(公告)号：CN1014184B
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：CN87101639
申请日：1987-03-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/0825 , G03G5/08257
Abstract: 提供一个改进的电子摄影术用光接收元件包括：一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层或/和一层接触层。
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公开(公告)号：CN1011627B
公开(公告)日：1991-02-13
申请号：CN87101883
申请日：1987-02-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 一种改进的用于电子照相术的光接收元件，它包括适用于电子照相术的基底和光接收层，其中光接收层由电荷注入阻挡层、光导层、表面层等构成。电荷注入阻挡层由含有作为主要组份原子的硅原子和某种用于控制电导率并阻止从基底一侧注入电荷的元素的多晶材料形成；光导层由含有作为主要组份原子的硅原子的无定形材料形成；表面层由含有硅原子、碳原子、氢原子的无定形材料形成，且表面层中氢原子的含量为41-70atm%。光接收层中还可能包括有接触层和/或长波长光的吸收层。
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公开(公告)号：CN87101883A
公开(公告)日：1988-04-27
申请号：CN87101883
申请日：1987-02-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/085
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 一种改进的用于电子照相术的光接收元件，它包括适用于电子照相术的基底和光接收层，其中光接收层由电荷注入阻挡层、光导层、表面层等构成。电荷注入阻挡层由含有作为主要组分原子的硅原子和某种用于控制电导率并阻止从基底一侧注入电荷的元素的多晶材料形成；光导层由含有作为主要组分原子的硅原子的无定形材料形成；表面层由含有硅原子、碳原子、氢原子的无定形材料形成，且表面层中氢原子的含量为41～70atm％。光接收层中还可能包括有接触层和/或长波长光的吸收层。
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