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公开(公告)号：CN102637702A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210024573.9
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1190322C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02147067.7
申请日：2002-10-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/1404 , B41J2/14129 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2202/13
Abstract: 本发明公开了一种具有贯通孔的构造体、其制造方法及液体排出头，该构造体是在硅基板等的基板上设置了贯通孔，可以减少制造时的工时数，并且可以提高可靠性。由各向异性腐蚀蚀刻从基板100的里面设置贯通孔时，在基板的表侧形成成为表层的氮化硅膜，使腐蚀蚀刻液不漏到基板的表侧，为了使该氧化硅膜(104)的内部应力是压缩应力，并且是3×108Pa以下，最好是由等离子CVD法形成氮化硅膜(104)。
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公开(公告)号：CN104485340A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410655549.4
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN101125482B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710148790.8
申请日：2002-10-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , H01L23/481 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的硅等基板上设置贯通孔的结构体，可以减少制造时的工序并提高可靠性。至少在贯通孔(120)的侧面部分连接氧化硅膜(103)的上面形成氮化硅膜(104)，改善氮化硅膜(104)的阶梯差的被覆性能。该氧化硅膜(103)及氮化硅膜(104)在从基板(100)内侧通过蚀刻形成贯通孔(120)时起着隔膜的作用。
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公开(公告)号：CN101125482A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710148790.8
申请日：2002-10-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , H01L23/481 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的硅等基板上设置贯通孔的结构体，可以减少制造时的工序并提高可靠性。至少在贯通孔(120)的侧面部分连接氧化硅膜(103)的上面形成氮化硅膜(104)，改善氮化硅膜(104)的阶梯差的被覆性能。该氧化硅膜(103)及氮化硅膜(104)在从基板(100)内侧通过蚀刻形成贯通孔(120)时起着隔膜的作用。
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公开(公告)号：CN1415478A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02147067.7
申请日：2002-10-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/1404 , B41J2/14129 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2202/13
Abstract: 本发明公开了一种具有贯通孔的构造体、其制造方法及液体排出头，该构造体是在硅基板等的基板上设置了贯通孔，可以减少制造时的工时数，并且可以提高可靠性。由各向异性腐蚀蚀刻从基板100的里面设置贯通孔时，在基板的表侧形成成为表层的氮化硅膜，使腐蚀蚀刻液不漏到基板的表侧，为了使该氧化硅膜(104)的内部应力是压缩应力，并且是3×108Pa以下，最好是由等离子CVD法形成氮化硅膜(104)。
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