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公开(公告)号：CN1127753C
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN99123434.0
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67196 , Y10S134/902
Abstract: 本发明是为了提供适合于制造例如SOI衬底的加工系统。加工系统包括，其上按大体上等角度间隔安装有用于保持键合衬底叠片的保持机械装置的转盘、用于使转盘在枢轴上转动预定角度以使由上述的保持机械装置保持的键合衬底叠片或分离的衬底移动到操作位置的驱动机械装置以及用于处理在操作位置上的键合衬底叠片或分离的衬底的定中心装置、分离装置和清洗/干燥装置。
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公开(公告)号：CN1114936C
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN98114894.8
申请日：1998-03-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 为了用较低的成本持续生产没有缺陷的SOI衬底，防止多孔层在分离键合衬底前发生破损，安全便利地完成键合衬底的分离，在一种制造半导体衬底的方法中包括：在表面具有多孔层的第一衬底上形成无孔半导体层，在其上形成绝缘层，将绝缘层键合到第二衬底上，分离多孔层，从而将绝缘层和无孔半导体层转移到第二衬底表面上，形成的第一多孔层具有低孔隙率，将第二多孔层的厚度降低到易破碎的程度，分离第一和第二衬底。
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公开(公告)号：CN1264156A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN00101844.2
申请日：2000-02-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76259 , H01L21/76251 , H01L2223/54493
Abstract: 键合第一与第二衬底而形成的键合衬底叠层被恰当地分离。具有内部多孔层以及多孔层上的单晶硅层和绝缘层的第一衬底(10)与第二衬底,在偏离中心位置的情况下紧密接触,以便制备具有突出部分的键合衬底叠层(30),第一衬底(10)的外边沿在突出部分处突出到第二衬底(20)的外边沿外面。首先,将流体喷射到突出部分以形成分离开始部分(40),然后,在旋转键合衬底叠层(30)时,从分离开始部分(40)开始分离。
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公开(公告)号：CN1160761C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN99123433.2
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/67092
Abstract: 本发明提供一种适用于制造SOI衬底的加工系统。加工系统包括：无向自动控制装置，用以传送由自动操作手保持的键合衬底叠片；以及配置在与无向自动控制装置的驱动轴大致等距离的位置的定中心设备、分离设备、翻转设备、和清洗/干燥设备。当自动操作手在水平面的绕驱动轴转动并移动靠近或离开该驱动轴时，就在各加工设备之间传递键合衬底叠片或分离后的衬底。
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公开(公告)号：CN1272682A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN00108219.1
申请日：2000-04-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76259 , Y10S438/96
Abstract: 为了在分离层中的固定位置处引起裂纹,一种分离合成件的方法包括步骤:在合成件内部形成一个分离层;在分离层内部形成一个其中平面应力已经集中产生到不会由平面应力引起分离的程度的应力上升层;及增大平面应力以在应力上升层中引起裂纹,由此分离合成件。
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公开(公告)号：CN1269599A
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN00108663.4
申请日：2000-03-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/0203 , C25D11/32 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/76254 , H01L21/76259
Abstract: 根据本发明的制造半导体部件的方法包括:制备在半导体衬底上具有无孔层的第一部件的第一步骤;从第一部件上将无孔层转移到第二部件上的第二步骤,其中(n－1)(“n”是不小于2的自然数)次使用在第二步骤中无孔层从其上分离下的半导体衬底,作为第一步骤的第一部件的构成材料,重复n次第一和第二步骤,在第n次使用时,在第二步骤,分离该半导体衬底,分离的半导体衬底用于除第一和第二步骤外的应用。
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公开(公告)号：CN1259758A
公开(公告)日：2000-07-12
申请号：CN99127826.7
申请日：1999-12-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/76259 , Y10S117/913
Abstract: 一种具有优越的大规模生产性和再现性的半导体晶片的制造工艺。工艺包括以下步骤:制备在半导体衬底上有单晶半导体层的第一部件,分离层设置其间,半导体晶片作为原材料;穿过分离层分离单晶半导体层之后,将单晶半导体层转移到包括半导体晶片的第二部件上;转移步骤之后,平滑半导体衬底的表面,由此将半导体衬底用做除形成所述第一和第二部件用途之外的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN1258093A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99123443.X
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67092 , H01L21/67745
Abstract: 一种适合用来制造SOI衬底的处理系统,包括一个翻转设备(6130)、对中设备(6120)、清洗/干燥设备(6110)、装料器(6070)、卸料器(6080、6090、6100)和分割设备(6020)。该处理系统还具有一个传送装置,后者在一水平面内沿着一个水平驱动轴(6160)直线移动一个机械手(6152),并使之绕一旋转轴(6151)旋转,从而使所述机械手(6152)移近或远离所述旋转轴(6151),从而完成接合衬底叠层组(50)或者分割形成的衬底在所述系列处理设备之间的传送。
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公开(公告)号：CN1239316A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN99104710.9
申请日：1999-04-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/76259 , Y10T83/364 , Y10T156/1374 , Y10T156/17 , Y10T156/1922 , Y10T156/1928
Abstract: 本发明是为了防止衬底在被传送到分离装置和从分离装置接收时发生跌落。衬底固定部分(22，23)的支持表面被水平放置，而待要分离的衬底(21)在水平状态下被安装在一个衬底固定部分(22)上(2A)。衬底固定部件(22，23)分别绕转轴(26，27)旋转，使衬底固定部分(22，23)的支持表面垂直，致使衬底(21)被衬底固定部分(22，23)夹在中间(2B)。
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公开(公告)号：CN1208246A
公开(公告)日：1999-02-17
申请号：CN98102954.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏,从喷嘴对着组合元件喷射流体,以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
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