公开(公告)号：CN1269599A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN00108663.4

申请日：2000-03-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 米原隆夫 ,  渡部国男 ,  嶋田哲也 ,  近江和明 ,  坂口清文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/0203 ,  C25D11/32 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259

Abstract: 根据本发明的制造半导体部件的方法包括:制备在半导体衬底上具有无孔层的第一部件的第一步骤;从第一部件上将无孔层转移到第二部件上的第二步骤,其中(n－1)(“n”是不小于2的自然数)次使用在第二步骤中无孔层从其上分离下的半导体衬底,作为第一步骤的第一部件的构成材料,重复n次第一和第二步骤,在第n次使用时,在第二步骤,分离该半导体衬底,分离的半导体衬底用于除第一和第二步骤外的应用。

公开(公告)号：CN1259758A

公开(公告)日：2000-07-12

申请号：CN99127826.7

申请日：1999-12-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 米原隆夫 ,  渡部国男 ,  嶋田哲也 ,  近江和明 ,  坂口清文

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76259 ,  Y10S117/913

Abstract: 一种具有优越的大规模生产性和再现性的半导体晶片的制造工艺。工艺包括以下步骤:制备在半导体衬底上有单晶半导体层的第一部件,分离层设置其间,半导体晶片作为原材料;穿过分离层分离单晶半导体层之后,将单晶半导体层转移到包括半导体晶片的第二部件上;转移步骤之后,平滑半导体衬底的表面,由此将半导体衬底用做除形成所述第一和第二部件用途之外的半导体晶片。