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公开(公告)号：CN100495753C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610126135.8
申请日：2006-08-23
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/472 , C04B35/499 , B41J2/045 , B41J2/14 , C30B25/06
Abstract: 由ABO3表示的单晶结构或单一取向晶体结构的钙钛矿型氧化物，其中A位包括Pb作为主要组分、B位包括多种元素，该钙钛矿型氧化物包括多种选自四方晶系、六方晶系、斜方晶系、立方晶系、准立方晶系(pseudo cubic)和单斜晶系的晶相，多种晶相在 方向上取向。
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公开(公告)号：CN101107724A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680002605.8
申请日：2006-01-18
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/313 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 一种压电物质元件，其在基板上具有压电物质膜和一对与所述压电物质膜连接的电极，并且所述压电物质膜的主要成分是Pb(Zr，Ti)O3，Zr/(Zr+Ti)的组成比例大于0.4但小于0.7，所述压电物质膜是至少具有四方晶体a畴和c畴的膜，所述a畴和c畴相对于所述基板表面的角度在±10°的范围内，并且c畴体积与a畴和c畴的总体积之比等于或大于20％并且等于或小于60％。
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公开(公告)号：CN1660579A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052153.1
申请日：2005-02-25
CPC classification number: H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9 ……(1)。
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公开(公告)号：CN1338377A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC: B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电元件结构,包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电腊,其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层,每一层具有钙钛矿结构,并且彼此接触形成或通过中间层层压,薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜,为了形成薄膜,以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比,如此形成的压电膜厚度小,而且表现出很大的压电常数,从而能够可靠地执行其有效微处理。
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公开(公告)号：CN101728478B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910253126.9
申请日：2006-01-18
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/313 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开一种压电物质元件、液体排出头以及液体排出装置。所述压电物质元件具有压电物质膜和一对与所述压电物质膜连接的电极，其中所述压电物质膜的主要成分是Pb(Zr，Ti)O3，所述压电物质膜是具有四方晶体a畴和c畴的膜，并且在配置这些畴的[001]轴长度和[100]轴长度中，[001]轴长度/[100]轴长度之比等于或大于1.004并且等于或小于1.040。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100590902C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200480003112.7
申请日：2004-01-30
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24 , B41J2/045 , B41J2/055
CPC classification number: H01L41/41 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种包括上电极、压电和/或电致伸缩材料和下电极的压电元件，其特征在于，压电和/或电致伸缩材料是由通式ABO3构成的复合氧化物，并且该压电和/或电致伸缩材料具有孪晶。
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公开(公告)号：CN101641806A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009802.1
申请日：2008-03-05
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: H01L41/0973 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO 2 层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO 2 层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA 2 O 3 -(1-x)BO 2 (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。
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公开(公告)号：CN100418768C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200510062574.2
申请日：2005-03-29
CPC classification number: H01L41/0478 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/29 , H01L41/316
Abstract: 提供一种介电体、压电体、喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头制造方法。形成在基板上至少具有下部电极、{100}取向性介电层、上部电极的介电体时，至少其中某一个电极是由至少两层钙钛矿型氧化物导电层构成的，且是{100}取向。
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公开(公告)号：CN1956234A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610126135.8
申请日：2006-08-23
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/472 , C04B35/499 , B41J2/045 , B41J2/14 , C30B25/06
Abstract: 由ABO3表示的单晶结构或单一取向晶体结构的钙钛矿型氧化物，其中A位包括Pb作为主要组分、B位包括多种元素，该钙钛矿型氧化物包括多种选自四方晶系、六方晶系、斜方晶系、立方晶系、准立方晶系(pseudo cubic)和单斜晶系的晶相，多种晶相在 方向上取向。
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公开(公告)号：CN1745486A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003112.7
申请日：2004-01-30
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24 , B41J2/045 , B41J2/055
CPC classification number: H01L41/41 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种包括上电极、压电和/或电致伸缩材料和下电极的压电元件，其特征在于，压电和/或电致伸缩材料是由通式ABO3构成的复合氧化物，并且该压电和/或电致伸缩材料具有孪晶。
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