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公开(公告)号：CN115911170A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211142713.2
申请日：2022-09-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。光电转换装置，包括设置在半导体层中的雪崩二极管，所述半导体层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该雪崩二极管包括：设置在第一深度的第一导电类型的第一半导体区域和设置在第二深度的第二导电类型的第二半导体区域，所述第二深度相对于所述第二表面比所述第一深度更深。在半导体层的第二表面上设置氧化膜和堆叠在氧化膜上的保护膜。存在满足dsio>(εsio/εprot)×dprot/2的点，其中，dsio是氧化膜的厚度，dprot是保护膜的厚度，εsio是氧化膜的相对介电常数，以及εprot是保护膜的相对介电常数。
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公开(公告)号：CN115911068A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211156768.9
申请日：2022-09-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。所述光电转换装置包括布置在具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面的半导体层中的雪崩二极管。所述雪崩二极管包括布置在第一深度处的第一导电类型的第一半导体区域、布置在相对于所述第二表面比所述第一深度深的第二深度处的第二导电类型的第二半导体区域、配设为在从所述第二表面的平面视图中与所述第一半导体区域的端部接触的第三半导体区域、连接到所述第一半导体区域的第一布线部、以及连接到所述第二半导体区域的第二布线部。在从所述第二表面的平面视图中，所述第二布线部与面对所述第一布线部的绝缘膜之间的边界的至少一部分与所述第三半导体区域交叠并且不与所述第一半导体区域交叠。
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公开(公告)号：CN107665897B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201710628241.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 提供了光检测设备和光检测系统。半导体基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光电转换部分具有配置有不同导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的PN结。埋入部分被埋入半导体基板中并且包含电极和被定位在电极与半导体基板之间且与第二半导体区域接触的电介质构件。第二半导体区域被定位在比第一半导体区域深的位置中。埋入部分被定位为从第一表面延伸到比第一半导体区域深的位置。以在电极与第二半导体区域之间出现的反型层和第一半导体区域彼此接触的方式，电势被供应到第一半导体区域、第二半导体区域和电极。
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公开(公告)号：CN119817110A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063898.4
申请日：2023-08-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N25/70 , H04N25/10 , H04N25/705 , H04N25/773
Abstract: 根据本发明的光电转换设备具有：多个光电转换元件；获取单元，基于多个光电转换元件中的每一个的入射光来获取由一位信号形成的微帧；以及组合单元，组合多个微帧，从而生成由多位信号形成的子帧。多个光电转换元件包括第一光电转换元件和第二光电转换元件。在一个微帧的获取时段期间，基于第一光电转换元件处的入射光生成一位信号的第一曝光时段和基于第二光电转换元件处的入射光生成一位信号的第二曝光时段不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118648299A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380020260.2
申请日：2023-01-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N25/773
Abstract: 一种光电转换装置包括像素区域，该像素区域包括以阵列图案布置的多个像素。所述多个像素包括第一像素和第二像素。第一像素包括第一光电转换器、基于入射在第一光电转换器上的光子输出第一检测信号的第一检测电路、根据第一检测信号将第一像素信号输出到像素外部的第一输出电路以及控制第一检测信号是否被输入到第一输出电路中的第一控制电路。第二像素包括第二光电转换器、基于入射在第二光电转换器上的光子输出第二检测信号的第二检测电路、根据第二检测信号将第二像素信号输出到像素外部的第二输出电路以及控制第二检测信号是否被输入到第二输出电路中的第二控制电路。第一控制电路根据第二检测信号控制第一检测信号是否被输入到第一输出电路中。
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公开(公告)号：CN107946326A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710949673.5
申请日：2017-10-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352 , H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107 , B60W30/00 , B60W2420/40 , G01S7/4861 , G01S17/10 , H01L27/1446 , H01L31/02005 , H01L31/02027 , H01L31/03529 , H01L27/14605
Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
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公开(公告)号：CN107666570A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710626637.5
申请日：2017-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明公开了成像设备、成像系统和移动体。在保持在第一时段中在光电转换部分处产生的电荷的同时，第一电荷保持部分保持在作为不接续第一时段的时段并且在长度上与第一时段不同的第二时段中在光电转换部分处产生的电荷，并且第二电荷保持部分保持在作为不与第一时段和第二时段重叠的时段的第三时段中在光电转换部分处产生的电荷。
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公开(公告)号：CN107665897A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710628241.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
CPC classification number: H01L31/022408 , G01J1/44 , H01G9/2027 , H01L27/14812 , H01L31/062 , H01L31/18 , H01L27/1443
Abstract: 提供了光检测设备和光检测系统。半导体基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光电转换部分具有配置有不同导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的PN结。埋入部分被埋入半导体基板中并且包含电极和被定位在电极与半导体基板之间且与第二半导体区域接触的电介质构件。第二半导体区域被定位在比第一半导体区域深的位置中。埋入部分被定位为从第一表面延伸到比第一半导体区域深的位置。以在电极与第二半导体区域之间出现的反型层和第一半导体区域彼此接触的方式，电势被供应到第一半导体区域、第二半导体区域和电极。
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