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公开(公告)号:CN109103083B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN201810610437.5
申请日:2018-06-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/266 , H01L27/146 , H04N23/73 , H04N25/63 , H04N25/76 , H04N25/77
Abstract: 公开了成像装置、成像系统、移动体以及用于制造成像装置的方法。成像装置包括:第一导电类型的光电转换单元;第一导电类型的电荷保持单元,电荷保持单元被配置为保持从光电转换单元传输的电荷;第一导电类型的浮置扩散单元,浮置扩散单元被配置为接收从电荷保持单元传输的电荷;第二导电类型的击穿防止层,击穿防止层被设置在电荷保持单元和浮置扩散单元之间以接触浮置扩散单元;以及第一导电类型的传输辅助层,传输辅助层被设置在击穿防止层和半导体基板的表面之间。
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公开(公告)号:CN111326534A
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN201911299416.7
申请日:2019-12-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明涉及光电转换设备、光电转换系统和可移动体。光电转换设备包括:多个像素,各像素包括光电转换部、电荷保持部、浮动扩散部以及布置在共同的活性区域中的第一和第二晶体管。活性区域包括部分区域,该部分区域包括沿第一方向延伸的第一区域、连接到第一区域并且沿第二方向延伸的第二区域以及连接到第二区域并且沿第三方向延伸的第三区域。在平面图中,第一像素的部分区域布置在第一像素的第一晶体管的栅极和第二像素的电荷保持部之间,并且布置在第一像素的第二晶体管的栅极和第二像素的电荷保持部之间。在与部分区域重叠的区域中布置遮光构件。
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公开(公告)号:CN107483853B
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201710415818.3
申请日:2017-06-06
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了成像传感器、成像系统和移动体。多个组的各个第一信号保持单元经由第一信号保持单元对应的组的第二转移单元被共同连接到一组的放大单元的输入节点,并且多个组的各个第二信号保持单元经由第二信号保持单元对应的组的第四转移单元被共同连接到一组的放大单元的输入节点。
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公开(公告)号:CN111326534B
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN201911299416.7
申请日:2019-12-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明涉及光电转换设备、光电转换系统和可移动体。光电转换设备包括:多个像素,各像素包括光电转换部、电荷保持部、浮动扩散部以及布置在共同的活性区域中的第一和第二晶体管。活性区域包括部分区域,该部分区域包括沿第一方向延伸的第一区域、连接到第一区域并且沿第二方向延伸的第二区域以及连接到第二区域并且沿第三方向延伸的第三区域。在平面图中,第一像素的部分区域布置在第一像素的第一晶体管的栅极和第二像素的电荷保持部之间,并且布置在第一像素的第二晶体管的栅极和第二像素的电荷保持部之间。在与部分区域重叠的区域中布置遮光构件。
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公开(公告)号:CN107666570A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710626637.5
申请日:2017-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明公开了成像设备、成像系统和移动体。在保持在第一时段中在光电转换部分处产生的电荷的同时,第一电荷保持部分保持在作为不接续第一时段的时段并且在长度上与第一时段不同的第二时段中在光电转换部分处产生的电荷,并且第二电荷保持部分保持在作为不与第一时段和第二时段重叠的时段的第三时段中在光电转换部分处产生的电荷。
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公开(公告)号:CN107483853A
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201710415818.3
申请日:2017-06-06
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了成像传感器、成像系统和移动体。多个组的各个第一信号保持单元经由第一信号保持单元对应的组的第二转移单元被共同连接到一组的放大单元的输入节点,并且多个组的各个第二信号保持单元经由第二信号保持单元对应的组的第四转移单元被共同连接到一组的放大单元的输入节点。
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公开(公告)号:CN119677193A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411278970.8
申请日:2024-09-12
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明公开了一种光电转换设备、光电转换系统和移动体。光电转换设备包括半导体层,该半导体层包括像素阵列区域、周边区域、划片区域以及将周边区域和划片区域隔离的隔离部。各个像素包括具有第一导电性类型的第一半导体区域和第二导电性类型的第二半导体区域的雪崩光电二极管。周边区域包括第一导电性类型的第一区域和第二导电性类型的第二区域。第二区域和第二半导体区域被供给有相同的电压。划片区域包括第一导电性类型的第三区域。布线结构包括将第一区域和第三区域的第一导电路径连接以及被供给有第一半导体区域的电压和第二半导体区域的电压之间的电压的电压供给线。第一区域和电压供给线通过第二导电路径连接。
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