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公开(公告)号：CN115911170A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211142713.2
申请日：2022-09-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。光电转换装置，包括设置在半导体层中的雪崩二极管，所述半导体层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该雪崩二极管包括：设置在第一深度的第一导电类型的第一半导体区域和设置在第二深度的第二导电类型的第二半导体区域，所述第二深度相对于所述第二表面比所述第一深度更深。在半导体层的第二表面上设置氧化膜和堆叠在氧化膜上的保护膜。存在满足dsio>(εsio/εprot)×dprot/2的点，其中，dsio是氧化膜的厚度，dprot是保护膜的厚度，εsio是氧化膜的相对介电常数，以及εprot是保护膜的相对介电常数。
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