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公开(公告)号：CN1264156A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN00101844.2
申请日：2000-02-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76259 , H01L21/76251 , H01L2223/54493
Abstract: 键合第一与第二衬底而形成的键合衬底叠层被恰当地分离。具有内部多孔层以及多孔层上的单晶硅层和绝缘层的第一衬底(10)与第二衬底,在偏离中心位置的情况下紧密接触,以便制备具有突出部分的键合衬底叠层(30),第一衬底(10)的外边沿在突出部分处突出到第二衬底(20)的外边沿外面。首先,将流体喷射到突出部分以形成分离开始部分(40),然后,在旋转键合衬底叠层(30)时,从分离开始部分(40)开始分离。
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公开(公告)号：CN1222757A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98125515.9
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/302 , H01L21/304 , B08B3/12 , C23F1/24
Abstract: 本方法可保证去除多孔层后的底层平整度。把要处理的衬底浸入腐蚀剂中,第一步,施加超声波,把腐蚀液注入到多孔硅层的孔中;第二步,停止施加超声波,通过腐蚀作用减薄孔壁;第三步,再次施加超声波,使多孔层一次断裂。
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公开(公告)号：CN1192580A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN98105640.7
申请日：1998-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , B65G49/07
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/67057 , Y10T29/41
Abstract: 支架驱动机构用夹持部分固定晶片支架,并在晶片处理槽内摆动它。当晶片周边部分与摆动支撑部件的顶部接触时,晶片旋转并在晶片支架里垂直运动。晶片能被有效地摆动,能做到均匀处理。通过使用超声槽里的超声波,能够提高处理速率。
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公开(公告)号：CN1160761C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN99123433.2
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/67092
Abstract: 本发明提供一种适用于制造SOI衬底的加工系统。加工系统包括：无向自动控制装置，用以传送由自动操作手保持的键合衬底叠片；以及配置在与无向自动控制装置的驱动轴大致等距离的位置的定中心设备、分离设备、翻转设备、和清洗/干燥设备。当自动操作手在水平面的绕驱动轴转动并移动靠近或离开该驱动轴时，就在各加工设备之间传递键合衬底叠片或分离后的衬底。
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公开(公告)号：CN1104040C
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN98105640.7
申请日：1998-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/67057 , Y10T29/41
Abstract: 一种通过把晶片浸入处理液来处理晶片的晶片处理装置，包括：晶片处理槽；直接或间接固定晶片的固定部分，该固定部分允许晶片旋转；在所述处理槽内移动所述固定部分的驱动部分；以及具有接触部分的部件，所述接触部分固定于所述处理槽中且允许与晶片的周边部分接触，所述驱动部分移动所述固定部分，使所述晶片的周边部分与所述部件的固定的接触部分接触来旋转所述晶片。晶片能被有效地摆动，能做到均匀处理。通过使用超声槽里的超声波，能够提高处理速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1272682A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN00108219.1
申请日：2000-04-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76259 , Y10S438/96
Abstract: 为了在分离层中的固定位置处引起裂纹,一种分离合成件的方法包括步骤:在合成件内部形成一个分离层;在分离层内部形成一个其中平面应力已经集中产生到不会由平面应力引起分离的程度的应力上升层;及增大平面应力以在应力上升层中引起裂纹,由此分离合成件。
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公开(公告)号：CN1258093A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99123443.X
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67092 , H01L21/67745
Abstract: 一种适合用来制造SOI衬底的处理系统,包括一个翻转设备(6130)、对中设备(6120)、清洗/干燥设备(6110)、装料器(6070)、卸料器(6080、6090、6100)和分割设备(6020)。该处理系统还具有一个传送装置,后者在一水平面内沿着一个水平驱动轴(6160)直线移动一个机械手(6152),并使之绕一旋转轴(6151)旋转,从而使所述机械手(6152)移近或远离所述旋转轴(6151),从而完成接合衬底叠层组(50)或者分割形成的衬底在所述系列处理设备之间的传送。
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公开(公告)号：CN1239316A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN99104710.9
申请日：1999-04-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/76259 , Y10T83/364 , Y10T156/1374 , Y10T156/17 , Y10T156/1922 , Y10T156/1928
Abstract: 本发明是为了防止衬底在被传送到分离装置和从分离装置接收时发生跌落。衬底固定部分(22，23)的支持表面被水平放置，而待要分离的衬底(21)在水平状态下被安装在一个衬底固定部分(22)上(2A)。衬底固定部件(22，23)分别绕转轴(26，27)旋转，使衬底固定部分(22，23)的支持表面垂直，致使衬底(21)被衬底固定部分(22，23)夹在中间(2B)。
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公开(公告)号：CN1223463A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98125516.7
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/302 , H01L21/304 , C23F1/24 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67086 , C25D11/32 , H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L21/76256
Abstract: 本方法可保证去除多孔层后的底层平整度。第一步,把预处理液(如水)注入多孔层;第二步,用腐蚀剂(如氢氟酸)代替填充多孔层的预处理液,并用腐蚀剂腐蚀多孔层。通过这种方法,可以缩短将腐蚀剂注入多孔层的时间,从而减小了腐蚀进展的差别。
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公开(公告)号：CN1208246A
公开(公告)日：1999-02-17
申请号：CN98102954.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏,从喷嘴对着组合元件喷射流体,以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
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