-
公开(公告)号：CN1245732C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN00104368.4
申请日：1995-08-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J1/316 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子源的制造方法，该电子源包括许多排列在基板上的电子发射器件，其中，每个所述电子发射器件通过包括下述步骤的方法制造：形成一对电极和一导电膜，将所述导电膜布置在所述电极对之间，并且与所述电极对相连；在所述导电膜中形成缝隙和形成一个涂膜，它布置在所述缝隙中，与所述导电膜相连，该涂膜是由单一元素、元素的合金、元素的混合物、或元素的氧化物制成，具有比所述导电膜的材料更高熔点，所述元素选自周期表中第5和第6周期中的第IVa、Va、VIa、VIIa、VIII族中的元素，由此在所述缝隙中形成比所述缝隙更窄的间隙，以便在所述导电膜中形成电子发射部分。
-
公开(公告)号：CN1222975C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN00801304.7
申请日：2000-01-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J2209/0223
Abstract: 在使用电子发射元件特别是表面传导型电子发射元件的图像形成装置(电子束装置)的制造工艺中，其上形成布线和元件电极的电子源衬底上的布线与面板的电极相对，在布线与电极之间施加规定电压，从而预先产生放电现象，于是可消除突起等。以这种方式，当对电子源进行电场施加工艺时，就可消除在驱动以图像形成装置为代表的电子束装置中会引起电子源中放电现象的如突起之类的因素，从而实现即使长时间进行图像显示，其显示特性也优良且没有像素缺陷的图像形成装置。
-
公开(公告)号：CN1133198C
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN97113453.7
申请日：1997-04-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J2329/00
Abstract: 一种图像形成装置，包括衬底上的一个以上电子发射器件构成的电子源，每个电子发射器件有一对相对设置的器件电极，连到一对器件电极的导电膜，一部分导电膜中形成的电子发射区，电子发射区上及其周围有以碳或碳化合物为主要成分的碳膜；图像形成元件，当用由电子源发射的电子束辐射时用发射光形成图像；电子源和图像形成元件置于真空外壳内，真空外壳内存在有机物，有机物的局部压力大于1×10-3Pa，外壳内总压力小于1×10-3Pa。
-
公开(公告)号：CN1283863A
公开(公告)日：2001-02-14
申请号：CN00104368.4
申请日：1995-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027 , H01J1/316 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子源的制造方法,该电子源包括许多排列在基板上的电子发射器件,该电子发射器件的电极之间有一个带有电子发射区的导电膜,其特征是该方法包括一个形成步骤,在具有电子发射区的上述导电膜的电子发射区内形成一个主要由金属构成的膜。以及一种包括电子源和图象形成元件的图象形成装置的制造方法。
-
公开(公告)号：CN1126367A
公开(公告)日：1996-07-10
申请号：CN95117375.8
申请日：1995-09-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射器件的制造方法，其中在基片上设置的电极之间提供有具有电子发射区的导电膜，包括：在导电膜中形成结构潜象的步骤，和使所述结构潜象显影的步骤。电子源包括多个电子发射器件排列在基片上，结合有电子源和图象形成部件的图象形成设备用上述方法制作的电子发射器件制成。电子发射区位置和形状可以被控制，以便取得一致的器件特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100514530C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510087822.9
申请日：2005-05-18
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 通过在第一和第二导电膜之间施加驱动电压Vf[V]，当电子被第一导电膜发射时，一条0.5Vf[V]等势线，在第一导电膜的电子发射部分附近，在向电子发射部分和第二导电膜中最靠近电子发射部分的部分延伸的截面上，倾向于第一导电膜，而不是第二导电膜。本发明改良了电子发射效率。
-
公开(公告)号：CN100377276C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN99810682.8
申请日：1999-09-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027
Abstract: 本发明提供一种易于小型化并容易操作的电子源制造装置。该电子源制造装置包括支撑具有导体(11)的基片(10)的支撑件、具有入口(15)和气体排出口(16)并覆盖基片(10)的表面的部分区域的容器(12)、连接到气体入口(15)以将气体输入到容器的进气装置(24)、连接到排气口以将容器的内部抽空的排气装置(26)以及给该导体施加电压的装置(32)。
-
公开(公告)号：CN1691244A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067691.8
申请日：2005-04-22
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 在具备在基板上隔着间隔配置的一对导体的电子发射元件中，一个导体的顶部比另一个导体的顶部还高，通过在基板上形成从间隔区域向一个导体区域和基板接触的区域下方延伸的沟，抑止由非对称的电子发射单元产生电荷粒子的冲击引起的电子发射元件的劣化，使电子发射效率提高，实现超长寿命。
-
公开(公告)号：CN1222974C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN00135596.1
申请日：1995-08-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J1/316 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射器件包括设在电极间的具有电子发射区的导电膜，该导电膜具有在电子发射区内形成的并且主要由熔点高于导电膜材料的一种材料制成的膜。另一方案是，制成该膜的主要材料产生1.3×10-3Pa蒸汽压时的温度比导电膜的材料产生上述蒸汽压时的温度要高。一种电子发射器件的制造方法包括在导电膜的电子发射区中形成一个主要由一种金属构成的膜的步骤。一种图象形成装置包括在工作时具有高亮度和良好稳定性的电子发射器件。
-
公开(公告)号：CN1146937C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN00120244.8
申请日：1995-09-22
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/22 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射器件的制造方法，所述电子发射器件包括一个导电薄膜，所述导电薄膜包括一个设置在一个基片上的一对电极之间的电子发射区，所述方法包括一个通过一个喷嘴将一种包含所述导电薄膜的组分元素的溶液喷涂到所述基片上，在所述电极对之间产生电位差的步骤。本发明还涉及一种电子源的制造方法和一种成像设备的制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.022 seconds)
