公开(公告)号：CN102341912B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201080009985.4

申请日：2010-03-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 薮田久人 ,  加地信幸 ,  林享

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 含有SnO的半导体膜的形成方法包括形成含SnO的膜的第一步骤；在该含SnO的膜上形成由氧化物或氮化物组成的绝缘膜以提供包括该含SnO的膜和该绝缘膜的层合膜的第二步骤；和对该层合膜进行热处理的第三步骤。

公开(公告)号：CN101548389B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780045002.0

申请日：2007-11-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  加地信幸 ,  薮田久人

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 提供一种底栅型薄膜晶体管，该底栅型薄膜晶体管在衬底(1)上包括：栅电极(2)、作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜(3)、作为沟道层的氧化物半导体层(4)、作为保护层的第二绝缘膜(5)、源电极(6)和漏电极(7)，其中，氧化物半导体层(4)包括氧化物，所述氧化物包括选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种，并且，第二绝缘膜(5)包括被形成为与氧化物半导体层(4)接触的非晶氧化物绝缘体，并且在其中含有3.8×1019分子/cm3或更多的脱附气体，该脱附气体通过温度编程脱附测量被观察为氧。

公开(公告)号：CN101669208A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880013223.4

申请日：2008-04-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 薮田久人 ,  远藤文德 ,  加地信幸 ,  林享

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种非晶氧化物半导体，含有按In x Ga y Zn z 的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。

公开(公告)号：CN101405870A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009802.7

申请日：2007-03-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 加地信幸 ,  薮田久人

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 一种场效应晶体管包括在衬底10上形成的沟道层11、源电极13、漏电极14、栅绝缘层12和栅电极15。该沟道层由非晶氧化物制成，并且该栅绝缘层由包含Y的非晶氧化物制成。

公开(公告)号：CN101405870B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200780009802.7

申请日：2007-03-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 加地信幸 ,  薮田久人

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 一种场效应晶体管包括在衬底10上形成的沟道层11、源电极13、漏电极14、栅绝缘层12和栅电极15。该沟道层由非晶氧化物制成，并且该栅绝缘层由包含Y的非晶氧化物制成。

公开(公告)号：CN101548389A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780045002.0

申请日：2007-11-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林享 ,  加地信幸 ,  薮田久人

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 提供一种底栅型薄膜晶体管，该底栅型薄膜晶体管在衬底(1)上包括：栅电极(2)、作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜(3)、作为沟道层的氧化物半导体层(4)、作为保护层的第二绝缘膜(5)、源电极(6)和漏电极(7)，其中，氧化物半导体层(4)包括氧化物，所述氧化物包括选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种，并且，第二绝缘膜(5)包括被形成为与氧化物半导体层(4)接触的非晶氧化物绝缘体，并且在其中含有3.8×1019分子/cm3或更多的脱附气体，该脱附气体通过温度编程脱附测量被观察为氧。

公开(公告)号：CN101506986A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031168.7

申请日：2007-07-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  田透 ,  加地信幸 ,  林享 ,  佐野政史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括非晶氧化物半导体膜，其中形成有源层的步骤包括：在具有1×10－3Pa或更小的引入氧分压的气氛中形成氧化物膜的第一步骤，和在第一步骤之后在氧化气氛中对氧化物膜退火的第二步骤。

公开(公告)号：CN101305468A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680041556.9

申请日：2006-11-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 饗场利明 ,  佐野政史 ,  加地信幸

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种包括有源层和栅绝缘膜的场效应晶体管，其中，有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，并且，晶体区域在非晶氧化物层和栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。