成像设备和成像系统
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108242451B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN201711438507.5

    申请日:2017-12-27

    Abstract: 本公开内容涉及成像设备和成像系统。在成像设备中,第一像素的光电转换器和第二像素的光电转换器沿着第一方向布置。第一像素的电荷蓄积部分的至少一部分被设置在第一像素的光电转换器与第二像素的光电转换器之间。第一像素的光引导路径的出射表面在平面视图中与第一方向正交的第二方向上比在第一方向上长。

    成像器件
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108122937B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN201711200024.1

    申请日:2017-11-27

    Abstract: 提供一种成像器件,该成像器件包括:基板;在基板上以二维方式布置像素的像素阵列,各像素包括蓄积从入射光产生的电荷的光电转换单元、保持从光电转换单元传送的电荷的电荷保持单元和接收从电荷保持单元传送的电荷的放大单元;和被布置为至少覆盖电荷保持单元的遮光部分。在与基板正交的俯视图中,各像素的光电转换单元和电荷保持单元沿第一方向对准。在俯视图中,相邻像素的电荷保持单元沿与第一方向相交的第二方向对准。遮光部分沿第二方向且在电荷保持单元之上延伸,并且覆盖电荷保持单元之间的区域。

    光电转换装置、光电转换系统和移动体

    公开(公告)号:CN115775808A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211079325.4

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换系统和移动体。该光电转换装置包括在具有第一面和与所述第一面相对的第二面的层中设置的多个雪崩二极管,其中,所述多个雪崩二极管各自包括位于第一深度的第一导电类型的第一区域、位于第二深度的第二导电类型的第二区域以及位于第三深度的所述第二导电类型的第三区域,相对于所述第二面,所述第二深度大于所述第一深度,并且相对于所述第二面,所述第三深度大于所述第二深度,其中,所述层包括设置在所述第一面中的多个结构,并且其中,所述多个结构的有效周期小于hc/Ea,h表示普朗克常数[J·s],c表示光速[m/s],并且Ea表示基板的带隙[J]。

    成像设备、成像系统和移动体

    公开(公告)号:CN107666570B

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201710626637.5

    申请日:2017-07-28

    Abstract: 本发明公开了成像设备、成像系统和移动体。在保持在第一时段中在光电转换部分处产生的电荷的同时,第一电荷保持部分保持在作为不接续第一时段的时段并且在长度上与第一时段不同的第二时段中在光电转换部分处产生的电荷,并且第二电荷保持部分保持在作为不与第一时段和第二时段重叠的时段的第三时段中在光电转换部分处产生的电荷。

    成像器件
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108122937A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201711200024.1

    申请日:2017-11-27

    Abstract: 提供一种成像器件,该成像器件包括:基板;在基板上以二维方式布置像素的像素阵列,各像素包括蓄积从入射光产生的电荷的光电转换单元、保持从光电转换单元传送的电荷的电荷保持单元和接收从电荷保持单元传送的电荷的放大单元;和被布置为至少覆盖电荷保持单元的遮光部分。在与基板正交的俯视图中,各像素的光电转换单元和电荷保持单元沿第一方向对准。在俯视图中,相邻像素的电荷保持单元沿与第一方向相交的第二方向对准。遮光部分沿第二方向且在电荷保持单元之上延伸,并且覆盖电荷保持单元之间的区域。

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