厚膜导体形成用组合物、使用该组合物形成的厚膜导体及使用该厚膜导体的芯片电阻器

    公开(公告)号:CN102426871B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201110234203.3

    申请日:2011-08-12

    Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供耐硫化性和耐焊锡熔蚀性均优良的不含铅的厚膜导体形成用组合物。本发明涉及一种用于形成作为芯片电阻器的电极使用的厚膜导体的组合物。本发明的组合物,作为导电粉末含有Ag粉末,作为氧化物粉末含有SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末和Al2O3粉末,作为添加物添加有碳粉末。相对于导电粉末100质量份,碳粉末为1~10质量份,玻璃粉末为0.1~15质量份,Al2O3粉末为0.1~8质量份。所述玻璃粉末的组成比率为,SiO2:20~60质量%;B2O3:2~25质量%;Al2O3:2~25质量%;CaO:20~50质量%;以及Li2O:0.5~6质量%。

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