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公开(公告)号：CN102169755A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010124398.1
申请日：2010-02-26
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 石山直希
Abstract: 本发明提供一种层叠陶瓷电容器内部电极用导电性糊剂，即使层叠陶瓷电容器的生片薄至2～5μm，其也能消除由于导电性糊剂引起的片腐蚀，且干燥性良好，能有效抑制由于这些引起的麻烦。该层叠陶瓷电容器内部电极用导电性糊剂用于在含有聚乙烯醇缩丁醛树脂的电介质生片上印刷，包含导电性粉末(A)、有机树脂(B)和有机溶剂(C)，有机溶剂(C)由选自乙二醇单丁醚乙酸酯和二丙二醇甲醚乙酸酯中的至少一种溶剂构成；还提供可以通过在该有机溶剂中，混合选自二氢萜品醇乙酸酯、丙酸异龙脑酯、丁酸异龙脑酯和异丁酸异龙脑酯中的至少一种溶剂的混合溶剂的层叠陶瓷电容器内部电极用导电性糊剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047251A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510111408.0
申请日：2015-03-13
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 石山直希
IPC: H01B1/22
Abstract: 本发明提供一种厚膜导体形成用组合物以及使用其获得的厚膜导体。该厚膜导体形成用组合物的耐焊料腐蚀性高并且不含铅，并且在制造芯片电阻器、电阻网络以及混合集成电路等时，该组合物为了在陶瓷基板等上形成厚膜导体而使用。本发明提供一种厚膜导体形成用组合物等，其包含导电粉末(B)、氧化物粉末(A)以及有机载体(C)，其特征在于，氧化物粉末(A)包含SiO2-ZnO-MgO-Al2O3类玻璃粉末(A1)和Al2O3粉末(A2)。
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公开(公告)号：CN102426871B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110234203.3
申请日：2011-08-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供耐硫化性和耐焊锡熔蚀性均优良的不含铅的厚膜导体形成用组合物。本发明涉及一种用于形成作为芯片电阻器的电极使用的厚膜导体的组合物。本发明的组合物，作为导电粉末含有Ag粉末，作为氧化物粉末含有SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末和Al2O3粉末，作为添加物添加有碳粉末。相对于导电粉末100质量份，碳粉末为1～10质量份，玻璃粉末为0.1～15质量份，Al2O3粉末为0.1～8质量份。所述玻璃粉末的组成比率为，SiO2：20～60质量％；B2O3：2～25质量％；Al2O3：2～25质量％；CaO：20～50质量％；以及Li2O：0.5～6质量％。
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公开(公告)号：CN105047251B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510111408.0
申请日：2015-03-13
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 石山直希
IPC: H01B1/22
Abstract: 本发明提供一种厚膜导体形成用组合物以及使用其获得的厚膜导体。该厚膜导体形成用组合物的耐焊料腐蚀性高并且不含铅，并且在制造芯片电阻器、电阻网络以及混合集成电路等时，该组合物为了在陶瓷基板等上形成厚膜导体而使用。本发明提供一种厚膜导体形成用组合物等，其包含导电粉末(B)、氧化物粉末(A)以及有机载体(C)，其特征在于，氧化物粉末(A)包含SiO2‑ZnO‑MgO‑Al2O3类玻璃粉末(A1)和Al2O3粉末(A2)。
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公开(公告)号：CN102169755B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201010124398.1
申请日：2010-02-26
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 石山直希
Abstract: 本发明提供一种层叠陶瓷电容器内部电极用导电性糊剂，即使层叠陶瓷电容器的生片薄至2～5μm，其也能消除由于导电性糊剂引起的片腐蚀，且干燥性良好，能有效抑制由于这些引起的麻烦。该层叠陶瓷电容器内部电极用导电性糊剂用于在含有聚乙烯醇缩丁醛树脂的电介质生片上印刷，包含导电性粉末(A)、有机树脂(B)和有机溶剂(C)，有机溶剂(C)由选自乙二醇单丁醚乙酸酯和二丙二醇甲醚乙酸酯中的至少一种溶剂构成；还提供可以通过在该有机溶剂中，混合选自二氢萜品醇乙酸酯、丙酸异龙脑酯、丁酸异龙脑酯和异丁酸异龙脑酯中的至少一种溶剂的混合溶剂的层叠陶瓷电容器内部电极用导电性糊剂。
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公开(公告)号：CN102426871A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110234203.3
申请日：2011-08-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供耐硫化性和耐焊锡熔蚀性均优良的不含铅的厚膜导体形成用组合物。本发明涉及一种用于形成作为芯片电阻器的电极使用的厚膜导体的组合物。本发明的组合物，作为导电粉末含有Ag粉末，作为氧化物粉末含有SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末和Al2O3粉末，作为添加物添加有碳粉末。相对于导电粉末100质量份，碳粉末为1～10质量份，玻璃粉末为0.1～15质量份，Al2O3粉末为0.1～8质量份。所述玻璃粉末的组成比率为，SiO2：20～60质量％；B2O3：2～25质量％；Al2O3：2～25质量％；CaO：20～50质量％；以及Li2O：0.5～6质量％。
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