正温度系数电阻体用组合物、糊剂、电阻体以及电阻体的制造方法

    公开(公告)号:CN107967973A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201710973679.6

    申请日:2017-10-19

    Inventor: 川久保胜弘

    CPC classification number: H01C7/023 H01C17/006

    Abstract: 本发明提供元件形状的限制少、可调整的电阻率的范围宽、在250℃~400℃的范围进行转换、高温下的可靠性高的正温度系数电阻体用的组合物、采用该组合物的电阻体糊剂、由该电阻体糊剂形成的电阻体及其制造方法。本发明为正温度系数电阻体用组合物,其特征在于,含有金属氧化物系导电性粒子和具有400℃以下的玻璃化转变温度的玻璃粉末,本发明为正温度系数电阻体用组合物,其特征在于,该金属氧化物系导电性粒子为钌系氧化物粒子,进而为氧化钌粒子。

    玻璃陶瓷组合物和厚膜玻璃浆组合物

    公开(公告)号:CN100366561C

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200410003634.9

    申请日:2004-02-04

    CPC classification number: C03C3/066 C03C8/14 C03C14/004

    Abstract: 等离子显示器面板包括前板(10a),后板(10b)以及分隔物(16),前板(10a)上设置有覆盖绝缘膜(15)的总线电极(12);后板(10b)上设置有覆盖绝缘膜(15)的地址电极,其中绝缘膜(15)和分隔物(16)由玻璃-陶瓷组合物制成,该玻璃-陶瓷组合物基本上由软化点介于520℃-580℃温度范围内的SiO2-B2O3-ZnO-R2O体系的玻璃粉末,和选自矾土,硅石,镁橄榄石,氧化锆,锆石,二氧化钛,以及耐热无机颜料中的至少一种无机氧化物粉末组成。

    厚膜电阻体用组成物、厚膜电阻体用膏体及厚膜电阻体

    公开(公告)号:CN112514007B

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN201980050381.5

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 提供一种不含铅成分,而包含氧化钌粉末、玻璃粉末及硅石粉末的厚膜电阻体用组成物。所述玻璃粉末包含SiO2、B2O3及RO(R表示选自Ca、Sr、Ba中的1种以上的碱土类元素),在所述SiO2、所述B2O3及所述RO的合计含量为100质量份的情况下,所述SiO2的含有率为10质量份以上50质量份以下,所述B2O3的含有率为8质量份以上30质量份以下,所述RO的含有率为40质量份以上65质量份以下,所述硅石粉末是比表面积为60m2/g以上300m2/g以下的非晶质硅石粉末,在所述氧化钌粉末与所述玻璃粉末的合计含量为100质量份的情况下,所述硅石粉末的含有率为1质量份以上12质量份以下。

    导电性组合物、导体的制造方法以及电子部件的布线的形成方法

    公开(公告)号:CN110692109B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN201880027948.2

    申请日:2018-04-20

    Abstract: 本发明提供一种与基板的粘附性以及导电性优异的导电性组合物。该导电性组合物等含有铜粉末、氧化亚铜、无铅玻璃料和羧酸系添加剂,以铜粉末为100质量份计,含有5.5质量份以上25质量份以下的氧化亚铜,无铅玻璃料含有硼硅酸锌系玻璃料和钒锌系玻璃料,硼硅酸锌系玻璃料含有氧化硼、氧化硅、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前三位的氧化物成分为氧化硼、氧化硅以及氧化锌,钒锌系玻璃料含有氧化钒、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前两位的氧化物成分为氧化钒以及氧化锌,以铜粉末为100质量份计,含有0.1质量份以上5质量份以下的羧酸系添加剂。

    正温度系数电阻体用组合物、糊剂、电阻体以及电阻体的制造方法

    公开(公告)号:CN112670045A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011420907.5

    申请日:2017-10-19

    Inventor: 川久保胜弘

    Abstract: 本发明提供正温度系数电阻体用组合物、糊剂、电阻体以及电阻体的制造方法。本发明提供元件形状的限制少、可调整的电阻率的范围宽、在250℃~400℃的范围进行转换、高温下的可靠性高的正温度系数电阻体用的组合物、采用该组合物的电阻体糊剂、由该电阻体糊剂形成的电阻体及其制造方法。本发明为正温度系数电阻体用组合物,其特征在于,含有金属氧化物系导电性粒子和具有400℃以下的玻璃化转变温度的玻璃粉末,本发明为正温度系数电阻体用组合物,其特征在于,该金属氧化物系导电性粒子为钌系氧化物粒子,进而为氧化钌粒子。

    Ru-M-O微粉末、其制造方法、及使用这些的厚膜电阻组合物

    公开(公告)号:CN100490024C

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200510063197.4

    申请日:2005-04-06

    Inventor: 川久保胜弘

    Abstract: 一种比电阻高、微细且粒径均匀的分散性优异的Ru-M-O微粉末、其制造方法、及使用其的耐静电放电性优异的厚膜电阻组合物。提供Ru-M-O微粉末的制造方法,是从Ru化合物(A)和含有选自Nb或Ta中的至少一种的5A族元素M的5A族金属化合物(B)制造Ru-M-O微粉末的方法,包含对Ru化合物(A)配合能够与其形成具有金红石型结晶结构的固溶体所需的充分量的5A族金属化合物(B)后,对该配合物混合充分量的硼化合物(C)的第一工序;把所得化合物在500~1000℃温度进行热处理,形成由Ru和5A族金属M的固溶体、及氧化硼构成的热处理物的第二工序;及对所得热处理物添加溶剂,溶解去除氧化硼的第三工序。

    厚膜导体形成用组合物
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1822240A

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN200610006955.3

    申请日:2006-01-26

    CPC classification number: C03C3/064 C03C3/091 C03C8/18

    Abstract: 本发明目的在于提供一种熔蚀现象少、且不含铅的厚膜导体形成用组合物。为了达到上述目的,使用由导电粉末、氧化物粉末、有机展色料构成的厚膜导体形成用组合物。其中,所述氧化物粉末包含SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末和Al2O3粉末。SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末的组成比为,SiO2:20~60质量%、B2O3:2~25质量%、Al2O3:2~25质量%、CaO:20~50质量%、以及Li2O:0.1~10质量%,相对于100质量份的导电粉末,SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末为0.1~15质量份、Al2O3粉末为0.1~8质量份。

    玻璃陶瓷组合物和厚膜玻璃浆组合物

    公开(公告)号:CN1522980A

    公开(公告)日:2004-08-25

    申请号:CN200410003634.9

    申请日:2004-02-04

    CPC classification number: C03C3/066 C03C8/14 C03C14/004

    Abstract: 等离子显示器面板包括前板(10a),后板(10b)以及分隔物(16),前板(10a)上设置有覆盖绝缘膜(15)的总线电极(12);后板(10b)上设置有覆盖绝缘膜(15)的地址电极,其中绝缘膜(15)和分隔物(16)由玻璃-陶瓷组合物制成,该玻璃-陶瓷组合物基本上由软化点介于520℃-580℃温度范围内的SiO2-B2O3-ZnO-R2O体系的玻璃粉末,和选自矾土,硅石,镁橄榄石,氧化锆,锆石,二氧化钛,以及耐热无机颜料中的至少一种无机氧化物粉末组成。

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