公开(公告)号：CN108349816B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201680067703.3

申请日：2016-09-20

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 小泽诚 ,  五十岚茂 ,  安东勋雄

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段，上述氧化物烧结体，其特征在于，以原子数比Sn/(Sn+Zn)计为0.1以上且0.9以下的比例含有Sn，当将从Si、Ti、Ge、In、Bi、Ce、Al以及Ga中选出的至少一种作为第一添加元素M且将从Nb、Ta、W以及Mo中选出的至少一种作为第二添加元素X时，以相对于全部金属元素的总量的原子数比M/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.04以下的比例含有第一添加元素M，以相对于全部金属元素的总量的原子数比X/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.1以下的比例含有第二添加元素X，并且，相对密度为90％以上且电阻率为1Ω·cm以下。

公开(公告)号：CN108698937A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680083127.1

申请日：2016-12-06

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 安东勋雄 ,  小泽诚 ,  五十岚茂

IPC: C04B35/457 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段，上述氧化烧结体，其特征在于，含有以原子数比Sn/(Zn+Sn)计为0.75以上且0.9以下比例的Sn，并且，含有以相对于Sn和Zn和添加元素(X)的总量的原子数比X/(Sn+Zn+X)计为0.001以上且0.1以下比例的添加元素(X)，并且，相对密度为95％以上且电阻率为1Ω·cm以下，所述添加元素(X)是选自于Nb、Ta、W、Mo中的至少一种元素。上述制造方法，其特征在于，通过在烧成炉内的氧浓度为70体积％以上的环境中，在从700℃至烧结温度的升温速度为0.4℃/min以上且0.8℃/min以下、且烧结温度为1300℃以上且1460℃以下、以及10小时以上且30小时以内的条件下，进行烧成从而制造该高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体。

公开(公告)号：CN103717779B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201280038069.2

申请日：2012-06-21

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 曾我部健太郎 ,  小泽诚

IPC: C23C14/24 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够作为溅射靶或蒸镀用料片加以利用且在成膜中难以产生裂纹等的Zn-Sn-O系氧化物烧结体及其制造方法。上述氧化物烧结体的特征在于，其含有以Sn/(Zn＋Sn)的原子数比计为0.01～0.6的锡，烧结体中的平均结晶粒径为4.5μm以下，且在将基于使用CuKα射线的X射线衍射的Zn2SnO4相的（222）面、（400）面的积分强度分别设为I(222)、I(400)时，以I(222)/[I(222)＋I(400)]表示的取向度为0.52以上。由于该氧化物烧结体机械强度得到了改善，所以在加工烧结体时难以引起破损，并且在作为溅射靶或蒸镀用料片使用时，也难以在透明导电膜的成膜中引起烧结体的破损、裂纹的产生。