晶片及评价其载体浓度的方法

    公开(公告)号:CN100338752C

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN02150242.0

    申请日:2002-11-06

    Inventor: 泽田滋 岩崎孝

    CPC classification number: G01R31/2648 G01R31/2831 H01L22/14

    Abstract: 本发明涉及一种在含In复合半导体晶片中非侵入性评价载体浓度的方法,该方法能够在半导体器件应用中利用评价的晶片本身。利用C/V技术,在包括含In复合半导体表面层的晶片中评价载体浓度的方法,其特征在于,通过在晶片表面接触液体电极,不利用光蚀刻的情况下,利用超过10V的外加电压来非侵入性的评价载体浓度。

    含铟晶片及其生产方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1572019A

    公开(公告)日:2005-01-26

    申请号:CN03801351.7

    申请日:2003-07-17

    Inventor: 田中聪 岩崎孝

    Abstract: 提供了一种可以可靠地进行汞去除的含铟晶片和制造这种晶片的方法,以便使汞C-V方法可行,汞C-V方法允许高精度地测量含铟晶片的特性,且它是一种非破坏性的测试。本发明的含铟晶片特征在于具有形成在其外表层上的附加除汞层,其目的在于去除晶片表面粘附的汞和由化合物半导体组成。此外,本发明制造含铟晶片的方法特征在于用粘附到除汞层表面上作为电极的汞评价晶片的电性能后,通过清除除汞层来去除表面粘附的汞。

    聚光型光伏单元、聚光型光伏模块,聚光型光伏面板和聚光型光伏发电装置

    公开(公告)号:CN104597588B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201410598939.2

    申请日:2014-10-30

    Abstract: 本发明涉及聚光型光伏单元、聚光型光伏模块、聚光型光伏面板和聚光型光伏发电装置。在具有二次透镜的聚光型光伏光学系统中,增加了到达发电元件的光量,并且提高了发电效率。在构成为通过二次聚光部将由一次聚光部聚集的太阳光引导到发电元件的聚光型光伏单元中,二次聚光部包括:具有三维形状的二次透镜;以及半透明的并且折射率高于空气、低于二次透镜的覆盖部,所述覆盖部沿着所述二次透镜中的、至少太阳光入射的表面延伸,从而以薄膜状对该表面进行覆盖。通过布置大量的所述单元,能够构成聚光型光伏模块。通过布置大量的聚光型光伏模块,能够构成聚光型光伏面板。进一步地,通过设置用于跟踪太阳的驱动设备,能够构成聚光型光伏。

    聚光型光伏单元、聚光型光伏模块、聚光型光伏面板以及聚光型光伏装置

    公开(公告)号:CN107851680A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680042531.4

    申请日:2016-06-07

    Abstract: 当光学路径上的上下位置关系被定义为使得初级聚光部分位于在次级聚光部分的上方位置处时,所述次级聚光部分包括:设置在发电元件上方的次级透镜;透镜支撑部分,其被配置为支撑所述次级透镜;以及遮蔽板,该遮蔽板是平板形构件,该平板形构件防止太阳光穿过其中而允许所述次级透镜的上部部分从在所述平板形构件中形成的孔暴露,所述遮蔽板以安装到所述透镜支撑部分的状态而被固定,所述遮蔽板被配置为遮挡会聚在位于所述次级透镜外部的位置处的光。

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