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公开(公告)号：CN102549860A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN101984774A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200980104006.0
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN102549859B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080043433.5
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN101984774B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980104006.0
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN102687293A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080050469.6
申请日：2010-10-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供了与电极的接触电阻下降的化合物半导体器件。所述化合物半导体器件包含：包含六方晶系化合物半导体GaN且具有表面S1和S2的n衬底3；形成在所述n衬底3的所述表面S1上的n电极13；具有形成在所述n衬底3的所述表面S2上的n覆盖层5、有源层7、p覆盖层9和接触层11的层叠体；和形成在所述p覆盖层9上的p电极15。在所述n衬底3的所述表面S1上包含的N原子的数目大于在所述表面S1上包含的Ga原子的数目。在所述表面S1上形成的电极为n电极13。所述表面S1的氧浓度为5原子%以下。在所述接触层11的所述表面S3上包含的Ga原子的数目大于在所述表面S3上包含的N原子的数目。在所述表面S3上形成的电极为p电极15。所述表面S3的氧浓度为5原子%以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102549781A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043799.2
申请日：2010-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/0014 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。
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公开(公告)号：CN102414848A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018398.1
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供半导体元件，在相对c面倾斜的p型主面中具有良好的欧姆接触。p型半导体区域(13)的主面(13a)沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴( 轴)倾斜的平面延伸。金属层(15)设置于p型半导体区域(13)的主面(13a)上。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，因此由六方晶系III族氮化物构成的主面(13a)比六方晶系III族氮化物的c面更易被氧化。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。避免形成用作电极的金属层(15)后的合金化引起的氧化物增加。
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公开(公告)号：CN102549781B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080043799.2
申请日：2010-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/0014 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。
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公开(公告)号：CN102549860B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102414848B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201080018398.1
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供半导体元件，在相对c面倾斜的p型主面中具有良好的欧姆接触。p型半导体区域(13)的主面(13a)沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴( 轴)倾斜的平面延伸。金属层(15)设置于p型半导体区域(13)的主面(13a)上。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，因此由六方晶系III族氮化物构成的主面(13a)比六方晶系III族氮化物的c面更易被氧化。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。避免形成用作电极的金属层(15)后的合金化引起的氧化物增加。
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