公开(公告)号：CN102292833A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005491.9

申请日：2010-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035209 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体受光元件，其具有含有含Sb作为V族构成元素的III-V化合物半导体层的受光层及n型InP窗层，且可减少暗电流。由于受光层(21)的GaAsSb层成长时所供给的锑的记忆效应，所以成长在受光层(21)上的InP层(23)中含有锑作为杂质。在III-V族化合物半导体受光元件(11)中，InP层(23)含有锑作为杂质，并且在InP层(23)中添加有硅作为n型掺杂剂。虽然InP层(23)中的锑杂质以生成空穴的方式作用，但添加至InP层(23)中的硅补偿该生成载体，从而InP层(23)的第二部分(23d)表现充分的n导电性。

公开(公告)号：CN102292833B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201080005491.9

申请日：2010-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035209 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体受光元件，其具有含Sb作为V族构成元素的III-V化合物半导体层的受光层及n型InP窗层，且可减少暗电流。由于受光层(21)的GaAsSb层成长时所供给的锑的记忆效应，所以成长在受光层(21)上的InP层(23)中含有锑作为杂质。在III-V族化合物半导体受光元件(11)中，InP层(23)含有锑作为杂质，并且在InP层(23)中添加有硅作为n型掺杂剂。虽然InP层(23)中的锑杂质以生成空穴的方式作用，但添加至InP层(23)中的硅补偿该生成载体，从而InP层(23)的第二部分(23d)表现充分的n导电性。

公开(公告)号：CN104137280A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010216.X

申请日：2013-01-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  石塚贵司 ,  秋田胜史

IPC: H01L33/30 ,  C23C16/22 ,  H01L21/205 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  C23C16/301 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/30 ,  H01S5/3422 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供外延晶片和发光元件，所述发光元件具有由III-V族化合物半导体形成并以发射具有足够高强度的光的方式构造的II型MQW。所述方法包括：在III-V族化合物半导体衬底上生长具有II型多量子阱结构(MQW)的有源层的步骤，其中在形成所述II型多量子阱结构的步骤中，通过仅使用金属有机源的金属有机气相外延法形成所述II型多量子阱结构，并且使得所述II型多量子阱结构的对的数目为25以上。

公开(公告)号：CN103477449A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280017393.6

申请日：2012-04-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  石塚贵司 ,  秋田胜史

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种光电二极管等，其中在不增加暗电流的情况下将光接收灵敏度扩展至近红外光的长波长的光电二极管。本发明的光电二极管特征在于提供有定位在InP衬底（1）上并具有II型多量子阱结构的光接收层（3），InGaAs层（3a）和GaAsSb层（3b）在II型多量子阱结构中交替层叠，并且具有使得InGaAs或GaAsSb的带隙能量在各个InGaAs层或各个GaAsSb层内朝向顶表面或底表面降低的在厚度方向上的组分梯度。

公开(公告)号：CN102318152B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980156981.6

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  盐谷阳平

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的III族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。III族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。

公开(公告)号：CN102959736A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180032436.3

申请日：2011-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  中幡英章 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。

公开(公告)号：CN102782809A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180012720.4

申请日：2011-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  秋田胜史 ,  石塚贵司

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  C30B25/10 ,  C30B29/40 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L21/0262 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种包含含锑层，能够以减少导致良率大幅下降的凸状表面缺陷而被有效率地生产，并且能够抑制导致性能降低的杂质污染的外延晶片、光电二极管等。该生产方法特征在于其包括全金属有机气相沉积方法在衬底（1）上生长含锑层（Sb）的步骤；以及在含锑层上生长包括窗口层的无锑层，并且，从含锑层的生长到窗口层的生长结束，在425℃或更大且525℃或更小的生长温度下完成生长。

公开(公告)号：CN110875573A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910807121.X

申请日：2019-08-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  住友隆道 ,  有方卓

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01S5/187

Abstract: 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器，包括：有源层，其包括量子阱结构，量子阱结构包括一个或多个阱层，阱层包括含有铟来作为III族构成元素的III-V化合物半导体；上层叠区域，其含有碳掺杂剂；以及基板，其用于安装包括有源层和上层叠区域的柱体，其中，有源层设置在上层叠区域与基板之间，量子阱结构的碳浓度为2×1016cm-3以下，并且上层叠区域包括在远离有源层的位置处的铟堆积层。

公开(公告)号：CN105144410A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022894.2

申请日：2014-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柴田馨 ,  秋田胜史 ,  藤井慧 ,  石塚贵司

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14652 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。

公开(公告)号：CN102203960B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201080003113.7

申请日：2010-07-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  石塚贵司 ,  秋田胜史 ,  永井阳一 ,  田边达也

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，其中能够有效地生长具有许多对量子阱的多量子阱结构并同时确保优异的晶体品质。本发明还提供了通过这种方法制造的半导体器件。本发明制造半导体器件的方法包括形成具有50对以上由III-V族化合物半导体构成的量子阱的多量子阱结构(3)的步骤。在所述形成多量子阱结构(3)的步骤中，通过全金属有机气相淀积法(全金属有机MOVPE法)来形成所述多量子阱结构。