公开(公告)号：CN102196880A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142278.X

申请日：2009-10-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角井素贵 ,  仲前一男 ,  玉置忍

IPC: B23K26/36 ,  B23K26/00 ,  H01S3/00 ,  H05K3/00 ,  B23K101/42

Abstract: 本发明涉及一种激光加工方法以及激光加工装置，在印刷基板的绝缘层的选择性除去中，不使用通过非线性光学晶体进行波长变换的技术，而且可以在除去加工的整个过程中仅使用1种波长。在该激光加工方法中优选使用的激光加工装置(1)具有MOPA构造，并且具有种光源(100)、YbDF(110)、带通滤波器(120)、YbDF(130)、带通滤波器(140)、YbDF(150)以及YbDF(160)等。在本发明的激光加工方法中，照射从激光加工装置(1)输出的脉冲激光，对层叠在导体层上的树脂制绝缘层的规定部位进行除去加工，其中，使用被导体层吸收的光小于10％的波长的激光，使每一个脉冲的能流密度大于或等于绝缘层的破坏损伤阈值。

公开(公告)号：CN102084278A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980117391.2

申请日：2009-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 屉冈英资 ,  中西哲也 ,  仲前一男

IPC: G02B6/42 ,  H01L31/042 ,  H01L33/00

CPC classification number: G02B6/4298 ,  G02B6/0281

Abstract: 本发明得到一种光电变换单元，其提高光学结合的效率、机械结合的稳定性。该光电变换单元具有：光密度变换元件(11)，其将入射至入射端面的光在出射端面中使光密度变化后射出；以及光电变换元件(13)。将光电变换元件(13)配置为接近光密度变换元件(11)的光密度较高侧，与该光密度变换元件(11)一体化。光电变换元件(13)可以为太阳能电池或发光介质。优选光密度变换元件(11)在剖面内的径向折射率分布为平方分布。另外，光密度变换元件(11)的基体部件使用石英玻璃，可以通过改变在该玻璃中添加的杂质的添加量而形成折射率分布。

公开(公告)号：CN1308693C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN02804024.4

申请日：2002-01-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 平田嘉裕 ,  羽贺刚 ,  沼泽稔之 ,  仲前一男 ,  冈田一范 ,  依田润

IPC: G01R1/067 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R1/06733 ,  G01R1/06738 ,  G01R1/06755 ,  G01R3/00 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49204

Abstract: 一种接触探针的制造方法。其包括：电铸工序，其使用在衬底(521)上配置的、具有和接触探针对应形状的图形框的抗蚀层(522)，进行电铸而填平抗蚀层(522)的间隙而形成金属层(526)；尖端加工工序，其将上述金属层(526)中成为接触探针尖端部的部分斜着削成尖；取出工序，其从图形框中只取出金属层(526)。

公开(公告)号：CN114655953A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210130434.8

申请日：2015-08-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  辰巳夏生 ,  角谷均 ,  仲前一男

IPC: C01B32/26 ,  C01B32/28

Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层；通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。

公开(公告)号：CN107112205A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680005889.X

申请日：2016-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  仲前一男

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265

Abstract: 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

公开(公告)号：CN102007436A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113344.0

申请日：2009-04-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笹冈英资 ,  仲前一男 ,  樽稔树 ,  永岛拓志

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  C03B23/047 ,  C03B33/06 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/31 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/13 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明涉及一种平面型光波导通路的量产性优良的光波导通路制造方法。在集束工序中，对分别具有杆(21)或者管(22)的形状的多根部件(20)在以如下方式进行排列的状态下进行捆束，其中，它们被排列为在与它们的长度方向垂直的剖面上，形成与期望的波导通路图形的至少一部分大致相似的形状。在延展工序中，将在集束工序中捆束的多根部件(20)在通过加热而软化的状态下，沿其长度方向延展，从而形成延展体。在切断工序中，将在延展工序中形成的延展体沿与延展体的长度方向垂直的面切断。经由以上工序，制造出基于细微构造形成有波导通路图形的平面型光波导通路。

公开(公告)号：CN103415902A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201180069008.8

申请日：2011-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工烧结合金株式会社

Inventor： 草别和嗣 ,  鱼住真人 ,  佐藤淳 ,  山口浩司 ,  尾野守 ,  村濑宽恭 ,  仲前一男

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/24

CPC classification number: H01F1/24 ,  B22F1/02 ,  B22F3/105 ,  B22F3/12 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K26/354 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/33 ,  H01F3/08 ,  H01F37/00 ,  H01F41/02 ,  H01F41/0246 ,  H02M7/44 ,  Y10T29/4902 ,  B22F3/02 ,  B22F3/24 ,  B22F2202/11

Abstract: 本发明提供了低损耗的压制体和制造该压制体的方法。通过使用被覆软磁性粉末制造压制体的方法包括原料制备步骤和照射步骤，其中该被覆软磁性粉末包括由软磁性颗粒和包覆该软磁性颗粒的外周的绝缘覆膜构成的被覆软磁性颗粒。在所述原料制备步骤中，通过对被覆软磁性粉末进行加压成形来制造粗压制体。在所述照射步骤中，用激光照射所述粗压制体的部分表面。用激光对所述粗压制体的部分表面进行照射增加了导电部分中的中断部分的数目，并能够降低所述压制体的损耗，其中在该导电部分中，位于所述粗压制体表面的软磁性颗粒的构成材料彼此导电。

公开(公告)号：CN1693903A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510076160.5

申请日：2002-01-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 平田嘉裕 ,  羽贺刚 ,  沼泽稔之 ,  仲前一男 ,  冈田一范 ,  依田润

IPC: G01R1/067 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

Abstract: 一种接触探针的制造方法。其包括：电铸工序，其使用在衬底(521)上配置的、具有和接触探针对应形状的图形框的抗蚀层(522)，进行电铸而填平抗蚀层(522)的间隙而形成金属层(526)；尖端加工工序，其将上述金属层(526)中成为接触探针尖端部的部分斜着削成尖；取出工序，其从图形框中只取出金属层(526)。