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公开(公告)号：CN114808130A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210506066.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。
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公开(公告)号：CN114318495A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111581919.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。
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公开(公告)号：CN114808130B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210506066.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。
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公开(公告)号：CN217231011U
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202123249664.6
申请日：2021-12-22
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。
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公开(公告)号：CN116004332A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210078324.1
申请日：2022-01-24
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗工艺，属于半导体材料技术领域，具体包括使用脱胶液清洗后，再使用不同浓度浓硫酸清洗，所述脱胶液以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50‑90%、高氯酸1‑10%、EDTA‑2Na1‑5%、余量为纯水，本发明的清洗工艺，首先采用脱胶液清洗，再使用浓硫酸碳化清洗，具有晶片背面黏胶去除彻底、操作简单、生产效率高、能降低酸液对粗抛光锗晶片表面侵蚀的特点，现已实现(2‑6)英寸粗抛光锗晶片批量、高效及稳定化生产，是高端锗晶片生产过程中具有重要意义的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116004332B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210078324.1
申请日：2022-01-24
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗工艺，属于半导体材料技术领域，具体包括使用脱胶液清洗后，再使用不同浓度浓硫酸清洗，所述脱胶液以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50‑90%、高氯酸1‑10%、EDTA‑2Na1‑5%、余量为纯水，本发明的清洗工艺，首先采用脱胶液清洗，再使用浓硫酸碳化清洗，具有晶片背面黏胶去除彻底、操作简单、生产效率高、能降低酸液对粗抛光锗晶片表面侵蚀的特点，现已实现(2‑6)英寸粗抛光锗晶片批量、高效及稳定化生产，是高端锗晶片生产过程中具有重要意义的工序。
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公开(公告)号：CN114250503A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111660623.8
申请日：2021-12-30
Applicant: 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800～1000mm，通过本发明的技术方案，极大的降低了大尺寸锗单晶的位错密度，特别的可获得位错密度为零的6英寸锗单晶，更加适用于锗衬底化合物半导体叠层电池所要求的电学性能。
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公开(公告)号：CN118754188A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411191381.6
申请日：2024-08-28
Applicant: 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
Inventor： 普世坤 , 张荻 , 朱知国 , 谢天敏 , 尹国文 , 罗中旭 , 吴王昌 , 李正美 , 周天荣 , 陈代凤 , 王美春 , 王廷玉 , 吴涛 , 陈南宇 , 朱恩毅 , 李长林 , 林作亮 , 李国芳 , 李娇 , 蒯志奎 , 刘凤仙 , 张朝阳 , 侯志毅
IPC: C01G17/02
Abstract: 本发明公开了一种用四氟化锗低温雾化水解制备高纯二氧化锗的方法，包括以下步骤：第一步，四氟化锗一次低温精馏提纯；第二步，四氟化锗二次低温精馏提纯；第三步，四氟化锗生成二氧化锗反应；第四步，真空过滤、洗涤；第五步，烘干。本发明的一种用四氟化锗制备高纯二氧化锗的方法，是针对四氟化锗生产过程和使用过程中产生的粗四氟化锗来制备高纯二氧化锗而研究开发的，方法科学合理，流程简短，操作简便，沉淀剂氯化钡和氟化钡能循环使用，能有效的对粗四氟化锗进行处理及回收得到高纯二氧化锗，通过雾化法防止生成较大的二氧化锗颗粒而影响反应速率，提高了反应效率，对复杂难处理的氟化物中锗资源的循环利用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118615837A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410904664.4
申请日：2024-07-08
Applicant: 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
Abstract: 本发明属于高纯锗材料制备技术领域，具体涉及一种四氟化锗生产尾气中锗的回收方法及装置，是基于四氟化锗尾气吸收系统及装置来实现的。所述的四氟化锗尾气吸收系统包括颗粒过滤器、第一级吸收瓶、第二级吸收瓶、第三级吸收瓶、第四级吸收瓶和吸收液过滤器。第一级吸收瓶内盛放浓度为2.5 mol/L‑10 mol/L的硫酸溶液，第二级吸收瓶内盛放纯水，第三级吸收瓶内盛放浓度为3 mol/L‑6 mol/L氢氧化钠溶液和5%‑15%过氧化氢溶液的混合液，第四级吸收瓶内盛放纯水。是通过将四氟化锗生产过程中产生的尾气以10 L/min‑25 L/min的速率由第一进气管道依次通入本四氟化锗尾气吸收系统装置中进行逐级吸收来完成的。本发明可高效、安全、简单、方便地对制备四氟化锗产生的尾气进行回收处理，对锗资源的循环利用、安全生产、环境保护等方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN221051741U
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202322951268.0
申请日：2023-11-01
Applicant: 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 封焊石英材料用新型节能喷火头,涉及耐高温石英材料封焊加工设备。本实用新型的封焊石英材料用新型节能喷火头，其特征在于该喷火头前端为空心圆环柱结构，后端为实心圆柱结构，前端侧壁上设置有两个进气口，后端内部设置有数个出气流管，数个出气流管以喷火头轴心为中心对称设置；喷火头前端内部为气体混合区，后端端头为气体汇集出口。本实用新型的封焊石英材料用新型节能喷火头，结构简单，操作简便，节约资源，降低成本，多个出气流管设计，使得点火火源更聚集；采用钼、铼钨合金制作，在封焊石英材料时，能够承受更高的温度，且封焊过程中，减缓喷火头的生锈速度。
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