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公开(公告)号：CN114594819B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210058815.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 之江实验室
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路设计制造技术领域，具体涉及可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路和方法，该电路基于单管单电容1T1C型）铁电存储单元，所述单管单电容（1T1C型）铁电存储单元通过一个采样电阻连接有跟踪电路，所述跟踪电路由依次连接的电流采样电路、误差放大器、电压调整器组成，单管单电容1T1C型）铁电存储单元产生翻转电流流经采样电阻，采样电阻产生的两端电位差被电流采样电路采集，再经过误差放大器与输入误差放大器的参考电压进行比较，将比较结果反馈给电压调整器，输出操作电压。本发明能检测铁电电容的极化操作电压阈值，从而合理运用操作电压，延长铁电存储器的使用寿命，同时降低系统功耗。
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公开(公告)号：CN116502291B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310769745.3
申请日：2023-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了基于三维异质集成的数据安全存储设备及数据存储方法，包括：访存端口模块，通过外部系统总线与外部处理器通信，用于接收外部处理器的访存指令，使得数据安全存储设备作为外接设备以访存指令的方式被访问；向安全处理模块传输需识别的信息与加密前数据，并向外部处理器反馈加密识别码、状态信息与解密数据，同时在安全处理模块反馈错误信息后锁死外部访存端口；若干个安全处理模块，分别与访存端口模块连接，接收写激活指令、读/写数据指令与加密前数据，进行秘钥生成、识别与数据加密、解密，将加密后的数据传输至存储模块；存储模块，通过三维通路分别与每个安全处理模块连接，用于存储加密后数据。
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公开(公告)号：CN116502291A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310769745.3
申请日：2023-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了基于三维异质集成的数据安全存储设备及数据存储方法，包括：访存端口模块，通过外部系统总线与外部处理器通信，用于接收外部处理器的访存指令，使得数据安全存储设备作为外接设备以访存指令的方式被访问；向安全处理模块传输需识别的信息与加密前数据，并向外部处理器反馈加密识别码、状态信息与解密数据，同时在安全处理模块反馈错误信息后锁死外部访存端口；若干个安全处理模块，分别与访存端口模块连接，接收写激活指令、读/写数据指令与加密前数据，进行秘钥生成、识别与数据加密、解密，将加密后的数据传输至存储模块；存储模块，通过三维通路分别与每个安全处理模块连接，用于存储加密后数据。
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公开(公告)号：CN112750486B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110012792.4
申请日：2021-01-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及新型存储芯片RRAM测试技术领域，具体涉及一种阻变存储器的故障测试方法，该方法首先扫描所有的存储单元，检测出所有的故障存储单元，并标记为一级故障类型，然后依次扫描一级故障类型里的故障存储单元，标记为二级故障类型，最后输出所有存储单元故障类型一览表。本发明可以检测出阻变存储器存储单元的主要故障类型，且检测时间短，检测故障类型准确可靠，降低了阻变存储器检测故障的错判率，提高了阻变存储器的故障测试效率。
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公开(公告)号：CN114638279A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210097706.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域和机器学习领域，特别是涉及一种单样本学习相似度计算电路和方法，使用基于铁电二极管的三态内容可寻址存储器TCAM电路，存储单样本学习中记忆增强神经网络MANN提取到的特征并进行相似度计算，相似性在TCAM电路内部计算后再返回处理器，减少了传统计算机冯诺依曼架构中计算单元和存储器之间数据传输引起的能耗和延迟，本发明中TCAM电路仅使用两个可完全兼容CMOS的三维可堆叠铁电二极管组成基本单元结构，实现快速相似度计算和类别预测，与其他TCAM电路相比，其电路紧凑节能、稳定可靠，存储密度高、读写寿命长，能够有效降低单样本学习中相似度计算的硬件成本和功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114400032A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210293604.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种动态加速阻变存储器阻值设置的方法、装置和介质，该方法包括：S1：设置阻变存储器的目标阻值；S2：读取阻变存储器的当前阻值，并记录操作次数；S3：将目标阻值、当前阻值、操作次数作为输入，通过最优解计算算法求出所要施加的操作电压条件，并将此电压施加于阻变存储器；S4：再次读取阻变存储器的阻值，判断是否满足目标阻值的要求；S5：若满足要求，退出，否则重复上述步骤S2至步骤S4，直到满足要求为止。本发明一方面可以提高阻变存储器的操作速率，降低时间复杂度，另一方面可以提高阻变存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114203246A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111396995.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C29/12
Abstract: 本发明公开了区别真实读串扰和伪读串扰的阻变存储器的故障检测方法，包括如下步骤：S1，采样操作，包括如下步骤：S11，置位操作对阻变存储器施加置位电压，使阻变存储器处于低阻态；复位操作对阻变存储器施加复位电压，使阻变存储器处于高阻态；S12，采样操作分别对阻变存储器施加读取电压，读取置位操作后的阻变存储器处于低阻态的第一、第二阻值；读取复位操作后的阻变存储器处于高阻态的第三、第四阻值；S2，判断识别操作，包括如下步骤：S21，判断第一阻值和第二阻值是否处于低阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰；S22，判断第三阻值和第四阻值是否处于高阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰。
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公开(公告)号：CN114842903B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210329568.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明涉及阻变存储器应用领域，尤其涉及一种提高阻变存储器可靠性测试效率的方法和装置，该方法为：首先定义阻变存储器的高阻值与低阻值的差的绝对值为窗口大小，作为阻变存储器是否处于异常状态的判断依据，然后通过读写操作电路对阻变存储器进行读写操作，同时启动异常检测电路来实时检测阻变存储器在读写操作过程中是否处于异常状态，若处于异常状态，则使得读写操作电路对阻变存储器执行异常读写操作，反之则执行正常读写操作。本发明可以加快阻变存储器可靠性的测试速率，提高阻变存储器的测试效率，同时还能够精确定位出出现异常的轮次数，方便对阻变存储器进行分析处理。
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公开(公告)号：CN114171100B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111336537.1
申请日：2021-11-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种高故障覆盖率的阻变存储器的测试方法，包括以下步骤：一、对阻变存储器的存储单元进行Forming操作；二、按照地址升序对阻变存储单元进行读1和写0操作；三、按照地址升序对阻变存储单元进行2次连续的读0操作，随后执行1次写1操作；四、按照地址升序对阻变存储单元依次执行读1、读1、写0、写1和读1操作；五、按照地址降序对阻变存储单元进行读1、写0、读0操作；六、按照地址降序对阻变存储单元进行写1、写0、读0操作；七、按照地址升序对阻变存储单元进行读0、写1、读1操作；八、延迟或暂停一段时间，按照地址升序对阻变存储单元进行读1、写0、读0操作；九、输出所有阻变存储单元的故障一览表。
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公开(公告)号：CN114203246B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202111396995.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C29/12
Abstract: 本发明公开了区别真实读串扰和伪读串扰的阻变存储器的故障检测方法，包括如下步骤：S1，采样操作，包括如下步骤：S11，置位操作对阻变存储器施加置位电压，使阻变存储器处于低阻态；复位操作对阻变存储器施加复位电压，使阻变存储器处于高阻态；S12，采样操作分别对阻变存储器施加读取电压，读取置位操作后的阻变存储器处于低阻态的第一、第二阻值；读取复位操作后的阻变存储器处于高阻态的第三、第四阻值；S2，判断识别操作，包括如下步骤：S21，判断第一阻值和第二阻值是否处于低阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰；S22，判断第三阻值和第四阻值是否处于高阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰。
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