公开(公告)号：CN105874576A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480071043.7

申请日：2014-10-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 小野木淳士 ,  宫原真一朗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明公开一种能够抑制在沟槽内的绝缘层中产生裂纹或空隙的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有：沟槽(20)；栅极绝缘膜(22)，其覆盖沟槽(20)的内表面；栅电极(24)，其设置于栅极绝缘膜(22)的内侧。终端区(120)具有：终端沟槽(30)，其被配置于元件区(110)的周围；第一绝缘层(32b)，其覆盖终端沟槽(30)的内表面；第二绝缘层(34b)，其被形成于第一绝缘层(32b)的内侧，且被填充于终端沟槽(30)内。第一绝缘层(32b)的折射率大于第二绝缘层(34b)的折射率。

公开(公告)号：CN103348482B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180066954.7

申请日：2011-02-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 江口博臣 ,  大川峰司 ,  小野木淳士

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/6625 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7394

Abstract: 本发明提供一种横向型半导体装置的制造方法，所述横向型半导体装置被构成在绝缘体上硅（SOI）基板上，所述横向型半导体装置的制造方法的特征在于，所述横向型半导体装置具备半导体层，所述半导体层包括埋入氧化膜和漂移区，所述制造方法包括：将硅的局部氧化（LOCOS）氧化膜蚀刻至预先确定的深度为止的蚀刻工序，所述LOCOS氧化膜通过从所述半导体层的表面起以预定的厚度突出以及掩埋的方式而形成；以相同的挖掘速度同时形成第一沟槽和第二沟槽，并在所述第二沟槽到达了所述埋入氧化膜的时间点停止所述第一沟槽以及所述第二沟槽的形成的沟槽形成工序，其中，所述第一沟槽从所述漂移区朝向所述埋入氧化膜而形成，所述第二沟槽从在所述蚀刻工序中被实施了蚀刻的位置起朝向所述埋入氧化膜而形成。