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公开(公告)号：CN118715680A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380022100.1
申请日：2023-03-09
IPC: H01S5/343 , C23C16/18 , C23C16/34 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/183
Abstract: 提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法以及品质良好的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件的制造方法，使用了金属有机化合物气相生长法，具有：第一层层叠工序，结晶生长出组分中包含Al以及In的n‑AlInN层(12)，帽层层叠工序，在执行第一层层叠工序后，在n‑AlInN层(12)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN帽层(13)，以及第二层层叠工序，在执行帽层层叠工序后，在GaN帽层(13)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN层(14)。该氮化物半导体发光元件的制造方法中，在执行帽层层叠工序后且执行第二层层叠工序前，还具有氢清洗工序，在氢清洗工序中，停止向反应炉内供给原料气体，且向反应炉内供给氢气，至少对GaN帽层(13)的表面进行清洗。
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公开(公告)号：CN116210090A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180053454.3
申请日：2021-08-25
IPC: H01L33/08
Abstract: 半导体发光元件(10)具备生长基板(11)、形成在生长基板(11)上的掩模(13)、从设置在掩模的开口部生长的柱状半导体层。柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层(14)，在比n型纳米线层(14)更靠外周形成有有源层(15)，在比有源层(15)更靠外周形成有p型半导体层(16)。开口部的开口率为0.1％以上5.0％以下，发光波长为480nm以上。
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公开(公告)号：CN105027262B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480012830.4
申请日：2014-03-04
Applicant: 学校法人名城大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/16 , C30B29/38
CPC classification number: H01L33/32 , C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0254 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L33/0075
Abstract: 本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜(104)气相成长而被制备出，其中，在至少一层以上的氮化物半导体晶体膜(104)中，其成长过程中的Sb元素相对于氮元素的供给比为0.004以上。
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公开(公告)号：CN105027262A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480012830.4
申请日：2014-03-04
Applicant: 学校法人名城大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/16 , C30B29/38
CPC classification number: H01L33/32 , C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0254 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L33/0075
Abstract: 本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜(104)气相成长而被制备出，其中，在至少一层以上的氮化物半导体晶体膜(104)中，其成长过程中的Sb元素相对于氮元素的供给比为0.004以上。
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