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公开(公告)号：CN111270214A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010223363.7
申请日：2020-03-26
Applicant: 郑州科之诚机床工具有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜，涉及薄膜材料制备技术领域。本发明将半导体材料基片与高纯溅射铝靶相对垂直放置，可大幅提高溅射铝原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于氮化铝薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数；本发明在半导体材料基片附近设置热丝，热丝产生的高温辐射对氮化铝薄膜进行快速热处理，能够提高薄膜的结晶程度。因此，本发明提供的方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向氮化铝薄膜，得到的氮化铝薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数，能够作为芯片材料在声表面波器件或体声波器件中应用。
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公开(公告)号：CN107871936A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710904335.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种第二代高温超导带材接头的制备方法。首先去除第二代高温超导带材的银稳定层，然后采用钇钡铜氧的前驱液涂覆在去除银后的第二代高温超导带材上，两根超导带材的超导层对压后放入管式炉中进行低温热处理，形成无定型的前驱膜并排出有害的残余物质。然后在800～900℃、湿润的氩气和氧气氛围下进行高温热处理，最后进行吸氧处理，制备出具有完全呈超导态的第二代高温超导带材接头。
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公开(公告)号：CN119706754A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411908027.0
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C01B19/00 , H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明提供了一种p型碲化铋基材料及其制备方法和应用，属于热电能源转换材料技术领域。所述p型碲化铋基材料包括基体材料和掺杂至所述基体材料晶格中的Bi元素；所述基体材料包括BiaSb1.45Te3，其中，0.55≤a≤0.58。本发明通过引入与与Te元素(电负性2.1)电负性差异较小的Bi元素(电负性2.02)来提高材料的热电性能及机械性能，电负性差异小可以使基体中Bi元素有更大的溶解度，从而改善材料的载流子浓度(Bi元素掺杂主要优化载流子浓度)和致密度，载流子浓度的增加会提高电导率，进而提高热电性能。
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公开(公告)号：CN116119652B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202211315587.6
申请日：2022-10-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/855 , C01B32/174 , C01B32/159 , H10N10/01 , H10N10/856
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及n型掺杂单壁碳纳米管及其制备和应用、n型掺杂单壁碳纳米管热电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种n型掺杂单壁碳纳米管，包括聚乙烯吡咯烷酮共价接枝修饰的单壁碳纳米管。本发明以具有优良生理惰性和优良生物相容性的聚乙烯吡咯烷酮作为给电子还原剂，通过共价键接枝修饰单壁碳纳米管时，能够与SWCNTs游离的π电子形成C‑N共价键，为SWCNTs提供电子，从而使SWCNTs具有n型半导体特性。同时，PVP通过共价键吸附在SWCNTs表面，其作为表面活性剂，能够提高n型掺杂SWCNTs的分散性，使n型掺杂SWCNTs相互之间分散更加均匀，有利于制备形貌均匀的SWCNTs薄膜。
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公开(公告)号：CN117985661A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410063717.4
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及硒纳米线的制备技术领域，尤其涉及一种硒纳米线的制备方法。本发明提供的制备方法，包括将二氧化硒、β‑环糊精和水第一混合，得到A溶液；将抗坏血酸和水第二混合，得到B溶液；将所述A溶液和B溶液第三混合后，搅拌，得到所述硒纳米线；所述搅拌后不包括静置陈化。本发明所述制备方法以二氧化硒作为硒纳米线起始物来制备目标产物，β‑环糊精作为硒纳米线成核的催化剂和表面活性剂，抗坏血酸作为反应的还原剂使所述二氧化硒还原为硒单质。与现有的制备硒纳米线的方法相比，本发明所述制备方法简单，不使用水合肼等有毒有害实际，反应原料绿色；不需要高温高压环境，反应条件温和；不需要在乙醇中静置陈化，反应时间短、高效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116716587A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310671899.9
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C14/35 , H10N10/01 , H10N10/853 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供了一种Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜及其制备方法，涉及热电薄膜制备技术领域。所述Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜的制备方法包括以下步骤：利用射频磁控溅射，将TexMg3Sb2(0.14≤x≤0.17)合金靶溅射到柔性聚酰亚胺衬底表面，得到Te掺杂Mg3Sb2热电薄膜；所述溅射过程中衬底的温度为500～700℃，所述溅射的功率为70～90W。本发明采用射频溅射在聚酰亚胺衬底上实现了Te掺杂的Mg3Sb2热电薄膜的制备，本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制得薄膜有很高的结晶性，界面散射效应明显，电导率有大幅提高，制备出了热电性能优异的Te0.1Mg3Sb2薄膜。
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公开(公告)号：CN115386835A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210959754.4
申请日：2022-08-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种柔性锑化镁薄膜及其制备方法和应用、柔性热电器件的制备方法，涉及热电功能薄膜技术领域。本发明提供的柔性锑化镁薄膜的制备方法，包括以下步骤：以Mg3Sb2合金靶作为磁控溅射靶，在柔性衬底表面进行磁控溅射，得到柔性锑化镁薄膜。本发明采用磁控溅射法在柔性衬底上实现了柔性锑化镁薄膜的制备，使得柔性锑化镁薄膜的界面散射效应和量子尺寸效应得到更好的发挥，从而获得较高的功率因子，制备的柔性锑化镁薄膜的性能大幅提高。
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公开(公告)号：CN113593767A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010365158.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导线的连接方法及一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后裸露的超导层一面可用于超导层的直接连接形成超导接头，而与其另一面相连的银层即可作为快速的氧扩散通道。其次，对于剥离后获得的超导线连接体，可利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了接头的机械性能。最后，对于采用银带剥离超导层可使得制备的接头表面为银，氧可直接透过银层表面进入超导层，极大地缩短接头的氧化退火时间，提高超导接头的制备效率。
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公开(公告)号：CN113130134A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110381404.X
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明提供了一种动态沉积第二代高温超导带材的装置和方法，涉及镀膜工艺装备技术领域。本发明提供的装置包括动态卷绕系统和真空热处理炉；所述动态卷绕系统包括放卷装置、缠绕骨架和前驱液槽；所述放卷装置和缠绕骨架均连接有伺服电机；所述真空热处理炉包括真空炉腔和转动装置；所述真空炉腔的外壁设置有控温热电偶、进气口、抽气口、冷却水进口和冷却水出口，所述真空炉腔的内壁设置有加热线圈；所述转动装置的中心轴贯穿真空炉腔的中心。利用本发明提供的装置动态沉积第二代高温超导带材，通过化学溶液法连续浸涂和高温热处理能够制备出百米级的第二代高温超导带材，且得到的第二代高温超导带材表面平整、致密，电学性能良好。
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公开(公告)号：CN106498354B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610829115.0
申请日：2016-09-18
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种制备六角螺旋形貌碲化铋热电薄膜的方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先清洗磁控溅射设备腔体，再安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶以及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的石英玻璃衬底固定在基底上；调整碲化铋合金靶与石英玻璃衬底之间的距离为100mm～120mm，调整碲单质靶与石英玻璃衬底之间的距离为130mm～140mm，抽真空至5×10‑4Pa～7.5×10‑4Pa；再对石英玻璃衬底加热至300℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为0.3Pa～0.5Pa的条件分别打开直流源和射频源，设置直流源功率为18W，射频源功率为18W～20W，然后通过共溅射开始镀膜；最后将溅射的薄膜在250℃～350℃下退火处理，形成具有六角螺旋形貌的碲化铋热电薄膜。
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