公开(公告)号：CN119706754A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411908027.0

申请日：2024-12-24

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 王晓雷 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  商红静 ,  黄大兴 ,  高婧涵 ,  张琳 ,  邹琪 ,  强宇

IPC: C01B19/00 ,  H10N10/01 ,  H10N10/852

Abstract: 本发明提供了一种p型碲化铋基材料及其制备方法和应用，属于热电能源转换材料技术领域。所述p型碲化铋基材料包括基体材料和掺杂至所述基体材料晶格中的Bi元素；所述基体材料包括BiaSb1.45Te3，其中，0.55≤a≤0.58。本发明通过引入与与Te元素(电负性2.1)电负性差异较小的Bi元素(电负性2.02)来提高材料的热电性能及机械性能，电负性差异小可以使基体中Bi元素有更大的溶解度，从而改善材料的载流子浓度(Bi元素掺杂主要优化载流子浓度)和致密度，载流子浓度的增加会提高电导率，进而提高热电性能。