公开(公告)号：CN107142520A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710346415.8

申请日：2017-05-17

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 张贺 ,  古宏伟 ,  丁发柱 ,  屈飞 ,  李辉 ,  张慧亮 ,  董泽斌 ,  商红静

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/002

Abstract: 一种控制碳化硅单晶生长装置，其感应线圈(1)、坩埚(2)、气路系统和升降旋转控制系统均位于真空腔室内。坩埚(2)位于升降旋转控制系统的上托盘(8)和下托盘(10)之间，放置在感应线圈(1)内的中央位置。坩埚(2)外包覆有保温层(4)。感应线圈(1)位于真空腔室中心位置，用以加热坩埚(2)。坩埚(2)内装有碳化硅粉料和籽晶，用于碳化硅晶体生长。气路系统连接在真空腔室侧壁上。通过上、下托盘的移动，控制坩埚与线圈的相对位置；调整坩埚下部和坩埚锅盖的旋转速度和方向，控制碳化硅晶体生长时原料区和晶体生长区的距离；通过原料区和晶体生长区距离的控制，实现晶体生长温度的精确控制。

公开(公告)号：CN106399937A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610436198.7

申请日：2016-06-17

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 丁发柱 ,  商红静 ,  古宏伟 ,  屈飞 ,  张贺 ,  张慧亮 ,  董泽斌

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02

Abstract: 一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶放在衬底上；调整靶基距至100mm～140mm，抽真空至5x10-4Pa～7.5x10-4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至350℃～450℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为0.3Pa～0.5Pa的条件下开始溅射镀膜；最后对溅射的薄膜在250℃～350℃的退火处理，形成择优取向碲化铋热电薄膜。

公开(公告)号：CN106374030A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610988338.1

申请日：2016-11-10

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 董泽斌 ,  丁发柱 ,  古宏伟 ,  屈飞 ,  张贺 ,  张慧亮 ,  商红静

IPC: H01L39/24

CPC classification number: H01L39/24

Abstract: 一种YBCO超导复合薄膜的制备方法，所述的制备方法在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和乙酸铜的前驱液中添加掺杂元素的有机盐，掺杂元素为锰、镧、钼、钨中的一种，通过控制金属离子及三氟乙酸的浓度，调整热处理时的温度和气氛，制备含有高熔点氧化物纳米颗粒的YBCO超导薄膜，利用高熔点氧化物纳米颗粒的磁通钉扎效应，提高YBCO薄膜的临界电流密度。

公开(公告)号：CN106086884A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610584648.7

申请日：2016-07-22

Applicant: 中国科学院电工研究所

Inventor： 丁发柱 ,  商红静 ,  古宏伟 ,  张慧亮 ,  董泽斌 ,  屈飞 ,  张贺 ,  高召顺

IPC: C23C28/04 ,  C23C18/12 ,  C25F3/22

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1241 ,  C23C28/42 ,  C25F3/22

Abstract: 一种二氧化钒涂层的制备方法。首先对金属铜轧带进行电化学抛光，使其粗糙度小于5nm；随后采用离子束辅助沉积法在抛光过的铜基带上沉积一层厚度为5～10nm的氧化铝(Al2O3)薄膜；然后在氧化铝薄膜上采用化学溶液浸涂法制备二氧化钒(VO2)薄膜；再依次重复沉积Al2O3薄膜和VO2薄膜，制备出结构为Cu/Al2O3/VO2/Al2O3/VO2的二氧化钒涂层。本发明二氧化钒涂层可以应用于谐振型限流器，在常温时呈大电阻状态，发生故障短路时电压和电流增大，温度升高，二氧化钒涂层中的VO2发生相变，呈小电阻状态，此时的VO2涂层和Cu基带都能很好的负载电流，起到限流作用。