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公开(公告)号：CN113156301A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110273436.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
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公开(公告)号：CN103645430A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310724817.9
申请日：2013-12-23
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏感位置；在单粒子效应敏感位置附近选取更密集的入射点，开展单粒子效应半导体器件数值仿真，精确定位锗硅异质结双极晶体管单粒子效应敏感区域和大小。该方法具有理论定量分析单粒子损伤效应、缩短考核时间和降低试验成本等优势。
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公开(公告)号：CN119945431A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202412000254.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明具体涉及一种耐辐照模数转换器及校准方法，解决现有单片机在辐照环境下由于其基准电压源受到辐照后导致参数漂移的技术问题。本发明一种耐辐照模数转换器，包括电源模块、单片机模块、串口模块以及485模块；单片机模块的ADC1接收端连接ADC采集模块的输出端；单片机模块的ADC2…ADCN输入端连接待采集设备；单片机模块用于根据参考电压和辐照后电源模块的输出电压计算漂移量，并根据漂移量校准待采集设备在辐照环境下的输出电压，并将其转换为数字量；N≥3；串口模块和485模块用于将校准后的待采集设备输出电压分别输送至用户端。本发明方法，利用单片机模块将辐射导致的漂移量进行校准，并在辐射环境下可发送正确的数据。
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公开(公告)号：CN119786107A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411830343.0
申请日：2024-12-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明具体涉及一种机器人定向屏蔽辐照装置及辐照监测方法，解决现有机器人内部电子部件的屏蔽体重量非常大，导致机器人整体重量太大，机动性较差的技术问题。该一种机器人定向屏蔽辐照装置，包括设置于机器人内部的转台、屏蔽体及控制模块；剂量探测器用于在辐照环境中实时监测机器人周围的辐射剂量强度；剂量探测器、转台分别与控制模块通信连接，控制模块用于根据剂量探测器监测的辐射剂量率控制转台转动，使得屏蔽体始终位于辐射源和电子部件之间。本发明辐照监测方法，通过剂量探测器可实现实时监测辐射剂量强度，提升了机器人的耐辐照性能，使其在辐射环境中可以工作的更久。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119620147A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411882734.7
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于晶体振荡器的辐射总剂量监测系统及方法，主要解决现有辐射总剂量探测器的体积大、成本高、结构复杂及应用环境受限等技术问题。本发明的监测系统包括电源、晶体振荡器、数据采集模块及数据处理模块；电源分别与晶体振荡器、数据采集模块及数据处理模块连接；晶体振荡器用于在不同辐射总剂量的辐射场下输出不同的振荡频率信息；数据采集模块的输入端与晶体振荡器连接，输出端与数据处理模块连接，用于采集晶体振荡器的振荡频率信息，并传递至数据处理模块；数据处理模块用于计算并输出辐射场的辐射总剂量。同时，本发明还提供了基于该监测系统的监测方法，可实现未知辐射场辐射总剂量的精准监测。
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公开(公告)号：CN113156301B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110273436.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
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公开(公告)号：CN115113012A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210816891.2
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法，该方法利用温度阶梯辐照识别双极工艺器件的低剂量率损伤增强（ELDRS）效应，并将氢注入作为复合环境地面模拟试验的加速条件，基于辐射损伤因子的表征，对于具有低剂量率损伤增强（ELDRS）倾向的器件进行加速模拟试验，解决高剂量率模拟试验存在的过于低估器件抗辐射性能的问题，对于低剂量率损伤增强（ELDRS‑fre）免疫的器件进行高剂量率/注量率的辐照试验，避免加速模拟试验带来的过于高估器件抗辐射性能的问题，基于氢注入浓度和辐照剂量率的匹配关系，提取加速评估的试验条件，实现双极器件在复合环境下的加速评估，兼顾位移损伤效应和ELDRS效应。本发明所述方法可缩短试验周期、节约成本及提高器件抗辐射性能评估的可靠性。
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公开(公告)号：CN113156302A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110273437.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/316
Abstract: 本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
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公开(公告)号：CN103926519A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410172919.9
申请日：2014-04-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电极特殊结构的栅控横向NPN双极晶体管，能够对横向NPN双极晶体管的电离辐射损伤进行测试和表征，能够定量揭示和分离双极横向NPN晶体管在遭受到电离辐射后的缺陷态数目。
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