公开(公告)号：CN103645430A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310724817.9

申请日：2013-12-23

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郭红霞 ,  郭旗 ,  张晋新 ,  文林 ,  陆妩 ,  余学峰 ,  何承发 ,  崔江维 ,  孙静 ,  席善斌 ,  邓伟 ,  王信

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校准；在器件模型表面选取典型入射位置，开展单粒子效应物理模型仿真；分析不同位置下各电极电流和电荷收集与时间的关系，及不同位置漏斗势的变化情况，获得锗硅异质结双极晶体管对单粒子效应的敏感位置；在单粒子效应敏感位置附近选取更密集的入射点，开展单粒子效应半导体器件数值仿真，精确定位锗硅异质结双极晶体管单粒子效应敏感区域和大小。该方法具有理论定量分析单粒子损伤效应、缩短考核时间和降低试验成本等优势。