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公开(公告)号：CN112835556A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110117458.5
申请日：2021-01-28
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明涉及PP板生产加工领域,公开了一种基于MTJ的真随机数发生器，包括至少一个逻辑单元，每个逻辑单元包括两个输入MTJ和一个输出MTJ，两个输入MTJ先并联，然后再与输出MTJ串联，再产生随机数前，使两个输入MTJ和输出MTJ的存储状态均为高阻态模式，确保电源在输出MTJ上的电压小于第一临界调控电压Vc1,在产生随机数时，改变两个输入MTJ中的至少一个输入MTJ的存储状态，使电源在输出MTJ上的电压大于第一临界调控电压Vc1，这样每当两输入MTJ中的一个存储状态发生变化时，输出MTJ的状态会随机想低阻态模式和高阻态模式变化，且概率均为二分之一，对输出MTJ的存储状态进行检测便可得到一位随机的二进制数据，整体结构简单，不用寻找随机变量。
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公开(公告)号：CN119008672A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411099879.X
申请日：2024-08-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本公开提出了一种铁电晶体管的栅极堆叠结构，包括栅氧层、铁电相种子层、铁电层、隔离层、盖帽层和栅极金属填充层。其中，铁电相种子层为具有纳米铁电微晶的氧化锆，其中，第一铁电相种子层形成于栅氧层之上；铁电层形成于第一铁电相种子层和第二铁电相种子层之间，以依附氧化锆形成规则的铁电相结晶，以使铁电层具有自发极化状态；隔离层形成于铁电层之上，隔离层适用于抑制铁电层中的氧扩散，以缓解铁电层形成界面氧空位；盖帽层形成于隔离层之上，盖帽层适用于稳定铁电层中铁电相结晶的正交相，以增强铁电层的铁电特性。在本公开的另一方面还提出了一种如前述栅极堆叠结构的制备方法，以及具有前述栅极堆叠结构的铁电晶体管。
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公开(公告)号：CN112835556B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202110117458.5
申请日：2021-01-28
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明涉及PP板生产加工领域,公开了一种基于MTJ的真随机数发生器，包括至少一个逻辑单元，每个逻辑单元包括两个输入MTJ和一个输出MTJ，两个输入MTJ先并联，然后再与输出MTJ串联，再产生随机数前，使两个输入MTJ和输出MTJ的存储状态均为高阻态模式，确保电源在输出MTJ上的电压小于第一临界调控电压Vc1,在产生随机数时，改变两个输入MTJ中的至少一个输入MTJ的存储状态，使电源在输出MTJ上的电压大于第一临界调控电压Vc1，这样每当两输入MTJ中的一个存储状态发生变化时，输出MTJ的状态会随机想低阻态模式和高阻态模式变化，且概率均为二分之一，对输出MTJ的存储状态进行检测便可得到一位随机的二进制数据，整体结构简单，不用寻找随机变量。(56)对比文件陈惠明.磁性物理不可克隆函数与真随机数发生器设计及制备《.中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》.2020,(第03期),论文第4章.
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公开(公告)号：CN116013971A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211704312.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种铁电晶体管结构及其制备方法，铁电晶体管结构包括：底层衬底；位于底层衬底的表面，且沿背离底层衬底方向依次设置的铁电层、绝缘介质层和顶层衬底；位于顶层衬底上的场效应晶体管；以及，贯穿顶层衬底并与铁电层电连接的控制电极，所述控制电极用于控制所述铁电层。本发明能够提高铁电晶体管的集成度，降低铁电晶体管的结构复杂度和制备的难度。
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公开(公告)号：CN112928206B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110118880.2
申请日：2021-01-28
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及MTJ技术领域,公开了一种MTJ及其驱动方法和制作方法，该MTJ包括参考层，参考层的上表面设有势垒层，势垒层的上表面设有自由层，自由层的上表面设有阻变层，阻变层的上表面和参考层的下表面之间存在压降时，阻变层向自由层迁移氧离子，迁移到自由层的氧离子会和自由层的Fe和Co结合生成没有磁性的FeO和CoO氧化物，进而降低自由层的磁矩翻转电流，降低MTJ的写入功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119787980A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411659615.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开一种宽频率调节范围的压控振荡器，涉及射频技术领域，以解决现有技术中振荡器的输出频率调谐范围窄、不连续的问题。压控振荡器，包括：无源拓扑模块、有源负阻模块、频率调节模块和模式切换模块；无源拓扑模块包括多个相互耦合的电感；多个电感共同耦合并提供所需的阻抗峰；多个电感包括1个八字型电感线圈、第一环形电感线圈和第二环形电感线圈；八字型电感线圈包括第一电感线圈、第二电感二线圈和公共电感线圈；频率调节模块用于调节阻抗峰的对应频率；有源负阻模块用于为无源拓扑模块提供信号增益，以满足振荡条件，模式切换模块用于切换振荡器的工作模式。本发明的振荡器具有4个连续的工作频段，输出频率调谐范围更宽。
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公开(公告)号：CN119361533A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411260999.3
申请日：2024-09-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H10D64/23 , H10D64/01 , H10D30/60
Abstract: 本申请提出一种提高源漏接触热稳定性的工艺方法及MOS器件，其方法包括：提供衬底，衬底上形成有栅区和源/漏区，衬底上还形成具有通孔的介质层，通孔使得源/漏区的表面暴露；对源/漏区进行掺杂；沉积第一金属层，第一金属层覆盖通孔的底部和侧壁以及介质层表面，第一金属层采用高功函数金属；沉积第二金属层，第二金属层覆盖第一金属层；在源/漏区表面形成金属硅化物。本申请提出的工艺方法，保持了源漏接触在不同退火温度下的热稳定性，并使得源漏接触的比接触电阻率降低。
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公开(公告)号：CN118969626A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411031506.9
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本公开提供一种免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法及晶体管器件，该方法包括：操作S1：将氮化硼转移到衬底上，形成介电层；操作S2：在所述介电层的两侧分别蒸镀金电极层；操作S3：在介电层和金电极层表面旋涂聚合物层；操作S4：将介电层、金电极层和聚合物层由衬底上剥离；操作S5：将介电层、金电极层一侧朝下，并通过所述金电极层吸附单层二维半导体层；操作S6：将二维半导体层朝下释放至新的衬底上；以及操作S7：在介电层上制备栅极得到晶体管器件，完成单层二维半导体层的转移。
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公开(公告)号：CN118522733A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410575830.0
申请日：2024-05-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/762 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/51 , H01L29/423
Abstract: 本公开提供了一种铁电器件及其制备方法，可以应用于半导体技术领域。该铁电器件包括：衬底层；底栅电极，位于衬底层内；铁电层，位于铁电器件内部，铁电层的下表面与底栅电极接触；第一器件隔离层，围绕铁电层；沟道层，与铁电层的上表面接触；源端电极、漏端电极和顶栅电极，均与沟道层的上表面接触；第二器件隔离层，位于源端电极、漏端电极和顶栅电极彼此之间；停止层，位于第一器件隔离层和第二器件隔离层之间，且围绕源端电极、漏端电极和顶栅电极。
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公开(公告)号：CN112928206A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110118880.2
申请日：2021-01-28
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及MTJ技术领域,公开了一种MTJ及其驱动方法和制作方法，该MTJ包括参考层，参考层的上表面设有势垒层，势垒层的上表面设有自由层，自由层的上表面设有阻变层，阻变层的上表面和参考层的下表面之间存在压降时，阻变层向自由层迁移氧离子，迁移到自由层的氧离子会和自由层的Fe和Co结合生成没有磁性的FeO和CoO氧化物，进而降低自由层的磁矩翻转电流，降低MTJ的写入功耗。
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