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公开(公告)号：CN101154570A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200610096225.7
申请日：2006-09-30
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205
摘要： 本发明公开了一种自剥离氮化镓衬底材料的制备方法。它包括分子束外延法或金属有机物气相外延法和氢或氯化物气相外延法，步骤为(a)使用分子束外延法或金属有机物气相外延法于蓝宝石衬底上生长氮化铝或氮化镓成核层，再使用氢或氯化物气相外延法于其上生长氮化镓外延层；(b)将覆有氮化铝或氮化镓成核层和氮化镓外延层的蓝宝石衬底的温度在时间≤20min降至≤200℃，待氮化镓外延层与蓝宝石衬底分离后，再分别在低于常压和常压下于氮化镓外延层上使用氢或氯化物气相外延法依次各生长一层氮化镓外延层；(c)经研磨和化学机械抛光，制得自剥离氮化镓衬底材料。它利用蓝宝石衬底与氮化镓间晶格及热膨胀系数差异，仅通过相对快速降温就将两者自剥离。
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公开(公告)号：CN100527444C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610097597.1
申请日：2006-11-10
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法。二极管为衬底(1)上有氮化镓层(2)、正极、负极(3)和掩模(4)，正极含氮化镓铝层(8)、肖特基接触金属层(7)、多晶硅层(6)和金属电极层(5)；方法为(a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，再分别使用现有方法于其上分别生长或淀积正极、负极和掩模；(b)使用低压化学气相淀积法或金属溅射法或电子回旋共振-等离子体增强化学气相淀积法于肖特基接触金属层上淀积多晶硅层，同时使用离子注入或扩散法或化学气相淀积中的掺杂法来调整多晶硅层的电阻率，制得本发明二极管。它的正极边缘处的电流分布均匀，极适用于高温大功率器件。
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公开(公告)号：CN101311300A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200710022718.0
申请日：2007-05-25
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶。它包括贯穿安装法兰(1)的、与靶屏蔽罩(3)内的水冷腔部件(5)相连接的冷却水管(6)，特别是(a)冷却水管(6)经冷却水管密封部件(2)与安装法兰(1)相连接；(b)水冷腔部件(5)为水冷腔上、下法兰(511，512)经密封圈(52)和螺钉(53)连接，水冷腔下法兰(512)内置有软铁(58)和永磁铁(54)，冷却水管(6)贯穿其底部后与其焊接连通连接，螺母(57)经冷却水管(6)外螺纹与其外套装的绝缘套垫(56)相抵压连接；(c)矩形平面溅射靶还包括一个以上的支撑螺杆(10)和与其配接的支撑螺杆密封部件(7)。它的真空度高达6×10－6Pa以上，可用于大表面积工件的高质量镀膜。
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公开(公告)号：CN101179098A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200610097597.1
申请日：2006-11-10
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法。二极管为衬底(1)上有氮化镓层(2)、正极、负极(3)和掩模(4)，正极含氮化镓铝层(8)、肖特基接触金属层(7)、多晶硅层(6)和金属电极层(5)；方法为(a)先使用外延法于衬底上生长氮化镓层，再分别使用现有方法于其上分别生长或淀积正极、负极和掩模；(b)使用低压化学气相淀积法或金属溅射法或电子回旋共振－等离子体增强化学气相淀积法于肖特基接触金属层上淀积多晶硅层，同时使用离子注入或扩散法或化学气相淀积中的掺杂法来调整多晶硅层的电阻率，制得本发明二极管。它的正极边缘处的电流分布均匀，极适用于高温大功率器件。
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公开(公告)号：CN101148752A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610096144.7
申请日：2006-09-19
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种用于10－8Pa超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置。它的水冷腔(3)内置有软铁(5)和磁钢(4)、下端面与水冷腔密封法兰(17)上端面间置有O形金属密封圈(7)，并经螺丝(22)相固定，进出水管(20，19)分别于软铁(5)和水冷腔密封法兰(17)相焊接，水冷腔密封法兰(17)的下端面与靶支撑座(15)上端面间置有电极绝缘层(13)和两组四只O形密封圈(8，9，10，11)，并经靶支撑座(15)中套装的出水管(19)另一端上的紧固螺母(18)相抵压连接，每组O形密封圈间均置有与抽气管(16)相通的通孔(12，14)，靶支撑座(15)上焊接有安装法兰(21)。它的真空度高达6×10－8Pa，可实现高质量高纯度金属或非金属薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN100590777C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610098167.1
申请日：2006-12-05
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种霍尔型离子源。它的阴极灯丝(1)经灯丝支架(2)和灯丝绝缘座(3)与屏蔽罩上盖(4)固定连接，柱状体阳极(14)上部的内腔为带有一只以上阳极进气口(13)的阳极放电室(12)、下部为内置软铁(16)和磁铁(15)的阳极水冷腔(18)，阳极水冷腔密封法兰(17)与阳极(14)底端间经密封件(20)、螺钉(21)固定连接，其上对应阳极水冷腔(18)两侧处贯通焊接有冷却水进、出水管(10，9)，屏蔽罩(6)经阳极上绝缘垫(5)、阳极下绝缘垫(7)与凸台(23)、阳极水冷腔密封法兰(17)相抵触连接，阳极下绝缘垫(7)中贯通连接有与阳极进气口(13)相接通的进气管(11)。它可用于离子束辅助沉积、清洗和半导体技术中。
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公开(公告)号：CN100587993C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200610155973.8
申请日：2006-12-26
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种巨磁阻磁传感器及其制备方法。传感器包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有导电层(5)的铁磁层(4)，特别是夹裹有导电层(5)的铁磁层(4)外套装有线圈(3)，线圈(3)和铁磁层(4)均由绝缘层(2)裹覆；方法为先后分别多次使用掩模、光刻或离子刻蚀、直流磁控溅射、射频磁控溅射或等离子增强化学气相淀积、半导体薄膜加工工艺于基片上进行刻制、溅射和生成出线圈下层导线、下绝缘层、由铁磁层、导电层和铁磁层构成的磁电阻传感器、中绝缘层、线圈竖直导线、线圈上层导线和上绝缘层，并将线圈下层导线、线圈竖直导线和线圈上层导线电连接，从而制得巨磁阻磁传感器。它具有高的精度和灵敏度，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN100485085C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200510094984.5
申请日：2005-10-20
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
发明人： 邱凯
IPC分类号： C23C16/513
摘要： 本发明公开了一种高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备。它包括真空室(8)和其内置有的电极，以及与真空室(8)相连通的进、出气口(9，4)，特别是真空室(8)和其内置有的电极均水平设置，电极为射频电极(2)和接地电极(5)，其均为平板状且相互平行设置，射频电极(2)和接地电极(5)外套装有与其平行设置的线圈(1)，进、出气口(9，4)分置于真空室(8)的两端；所述的射频电极(2)位于接地电极(5)的上方，且其面积与接地电极(5)面积相等，所述的接地电极(5)位于射频电极(2)的上方，且其面积为射频电极(2)面积的一半。它能在真空室内的气压小于1毫乇时，仍能被正常地启辉并产生稳定的辉光放电。
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公开(公告)号：CN100454490C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610096225.7
申请日：2006-09-30
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205
摘要： 本发明公开了一种自剥离氮化镓衬底材料的制备方法。它的制备步骤为：(a)使用分子束外延法或金属有机物气相外延法于蓝宝石衬底上生长氮化铝或氮化镓成核层，再使用氢化物或氯化物气相外延法于其上生长首层氮化镓外延层；(b)将覆有氮化铝或氮化镓成核层和首层氮化镓外延层的蓝宝石衬底的温度在时间≤20min降至≤200℃，待首层氮化镓外延层与蓝宝石衬底分离后，再分别在0.5个大气压和常压下于首层氮化镓外延层上使用氢化物或氯化物气相外延法依次生长第二层氮化镓外延层和第三层氮化镓外延层；(c)经研磨和化学机械抛光，制得自剥离氮化镓衬底材料。它利用蓝宝石衬底与氮化镓间晶格及热膨胀系数差异，仅通过相对快速降温就将两者自剥离。
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公开(公告)号：CN1865192A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510040096.5
申请日：2005-05-16
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种氮化镓薄膜材料的制备方法。它包括分子束外延法和氢化物气相外延法，特别是完成步骤为：1)使用分子束外延法在蓝宝石衬底上依次分别生长出氮化铝膜和具有混合极性的氮化镓膜；2)先将其上覆有氮化铝膜和氮化镓膜的蓝宝石衬底置于碱性溶液中腐蚀，再将其用水冲洗并干燥，获得坯料；3)使用氢化物气相外延法于坯料上生长氮化镓膜，从而制得氮化镓薄膜材料。该制备方法既可于低价格的蓝宝石上生长出氮化镓膜，克服蓝宝石晶格与氮化镓间的匹配较差的难题，又避免了仅使用分子束外延法或金属有机物气相外延法所带来的缺陷，还使得能大尺寸地整体生长低位错密度的厚氮化镓膜；同时，方法简便，生产效率高、成本低，适于工业化生产。
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