发明授权
CN100485085C 高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备
失效 - 权利终止
- 专利标题: 高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备
- 专利标题(英): High-density plasma reinforced chemical vapour deposition and etching device
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申请号: CN200510094984.5申请日: 2005-10-20
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公开(公告)号: CN100485085C公开(公告)日: 2009-05-06
- 发明人: 邱凯
- 申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 申请人地址: 安徽省合肥市1110信箱
- 专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市1110信箱
- 主分类号: C23C16/513
- IPC分类号: C23C16/513
摘要:
本发明公开了一种高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备。它包括真空室(8)和其内置有的电极,以及与真空室(8)相连通的进、出气口(9,4),特别是真空室(8)和其内置有的电极均水平设置,电极为射频电极(2)和接地电极(5),其均为平板状且相互平行设置,射频电极(2)和接地电极(5)外套装有与其平行设置的线圈(1),进、出气口(9,4)分置于真空室(8)的两端;所述的射频电极(2)位于接地电极(5)的上方,且其面积与接地电极(5)面积相等,所述的接地电极(5)位于射频电极(2)的上方,且其面积为射频电极(2)面积的一半。它能在真空室内的气压小于1毫乇时,仍能被正常地启辉并产生稳定的辉光放电。
公开/授权文献
- CN1952210A 高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备 公开/授权日:2007-04-25
IPC分类: