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公开(公告)号：CN111834186B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202010850672.7
申请日：2020-08-21
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种离子源安装结构和离子源装置，应用于离子源装置上，所述离子源装置包括至少一个霍尔离子源和至少一个中空阴极；所述中空阴极设于距离所述霍尔离子源一设定位置处，为所述霍尔离子源提供中和电子；该安装结构包括：离子源底座、角度调节机构和基座；所述霍尔离子源安装在离子源底座上，所述离子源底座通过角度调节机构安装在基座上，所述离子源底座通过角度调节机构进行转动，以调整霍尔离子源的发射角度。通过本申请的技术方案，可以根据镀膜需求来调整霍尔离子源的角度，从而可以提升离子源覆盖效果，提高使用效率。
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公开(公告)号：CN114914137B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210563444.0
申请日：2022-05-20
申请人： 成都天一国泰真空设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于离子源的空心阴极辅助启动电路，属于供电技术领域，目的在于解决现有技术引弧效率低，造成钽管损耗严重的问题。其包括维持电源、扼流圈L、二极管D、功率电阻R、阴极组件；所述阴极组件包括外筒，外筒内设置有钽管，所述钽管内设置有氩气，所述外筒内位于钽管的开口端设置有引弧片；扼流圈L的1脚与维持电源的正极串接，扼流圈L的2脚与外筒串接，维持电源的负极与钽管串联；二极管D的负极与扼流圈L的1脚连接，二极管D的负极与维持电源的正极连接，二极管D的正极与功率电阻R一端连接，功率电阻R的另一端与扼流圈L的2脚连接。本发明适用于离子源的空心阴极辅助启动电路。
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公开(公告)号：CN114242549B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111569124.8
申请日：2021-12-21
申请人： 北京凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/14 , H01J37/317
摘要： 本发明提供一种采用物质溅射形成等离子体的离子源装置，其包括起弧室、盖板、灯丝、阴极、通气孔和反射极，起弧室用于电子与气体分子碰撞产生等离子体的腔室；盖板上设置有用于引出等离子体的引出缝，将等离子体引出起弧室；灯丝被加热之后产生第一组电子，第一组电子用于加热阴极；阴极被加热后，产生第二组电子，第二组电子用于起弧；通气孔设置在起弧室的内壁，用于向起弧室输入气体；反射极设置于起弧室与阴极相对的一侧的内壁上。本发明采用物质溅射形成等离子体的离子源装置的反射极采用目标掺杂元素所对应的金属材料制成，在工作时被电离出的离子撞击反射极，溅射、电离出目标掺杂元素离子，解决了掺杂元素离子难以获得的问题。
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公开(公告)号：CN111769024A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010752790.4
申请日：2020-07-30
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种离子源装置，包括：一霍尔离子源以及至少两个中空阴极；各个所述中空阴极设于距离所述霍尔离子源一设定位置处；各个所述中空阴极设计为所述霍尔离子源提供中和电子，且在其中任何一个中空阴极失效时，切换至其他中空阴极向所述霍尔离子源提供中和电子。本申请的技术方案，实现了中空阴极的备份功能，避免了在镀膜使用过程中，当中空阴极的钽管使用寿命结束时出现最后一炉费炉或需要重新破真空更换钽管的情况，从而可以将中空阴极的钽管使用寿命最大化，实现离子源长时间不间断工作。避免中和器失效导致产品报废的情况。
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公开(公告)号：CN111710580A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010688577.1
申请日：2020-07-16
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种离子源电场结构及离子源装置，离子源电场结构包括：包括设于外壳内的阳极部件，在所述阳极部件与外壳之间还设置有一个隔离金属层；所述隔离金属层为与所述阳极部件相对应的环形设计，与所述阳极部件和外壳保持绝缘状态；所述隔离金属层通过所述阳极部件感应一电压的电场，通过该电场对离子源发出的离子束的发射角度进行控制。本申请的技术方案，通过在阳极部件与外壳之间设置的与阳极部件相对应的环形设计的隔离金属层；隔离金属层处于悬浮电位，通过阳极部件感应一电压的电场，通过该电场对离子源发出的离子束的发射角度进行控制；该电场结构可以有效控制离子源的离子束发射角范围，提高了离子源发射离子束的集中效果。
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公开(公告)号：CN109065429B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810908015.6
申请日：2018-08-10
申请人： 成都极星等离子科技有限公司
IPC分类号： H01J27/14
摘要： 本发明公开了一种可降低电子逃逸率的离子源，包括阳极环、内阴极和外阴极，述阳极环、内阴极和外阴极均为轴对称结构，外阴极的磁轭中部固定有软磁柱，软磁柱一端穿过阳极环的内孔中心并与内阴极的中部连接，所述内阴极的磁极靴上任意一处的纵截面形状均与对应处外阴极的磁极靴纵截面形状互为镜像对称，且内阴极的磁极靴与外阴极的磁极靴之间形成环形的阴极缝隙，所述阳极环正对于阴极缝隙的下方，所述外阴极的磁轭上设置有两块永磁体，两块永磁体关于软磁柱对称，且两块永磁体分别位于阳极环上相对两侧的正下方。本发明通过增加对称的磁场，提高阴极缝隙处两边磁场分布的均匀度，可减小电子的逃逸率，有效降低电子对阴极磁极靴的轰击概率。
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公开(公告)号：CN105304440B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510256446.5
申请日：2015-05-14
申请人： 斯伊恩股份有限公司
发明人： 佐藤正辉
CPC分类号： H01J37/06 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J2237/082
摘要： 本发明提供一种能够减少阴极的维护频率的离子发生装置及热电子放出部。本发明的离子发生装置具备：电弧室(12)；阴极(30)，从电弧室(12)的内部向外轴向延伸，且向电弧室内放出热电子；筒状热反射器(56)，设置于阴极(30)的径向外侧，且沿轴向延伸；及狭小结构(60)，在夹在阴极(30)与热反射器(56)之间的间隙(58)，径向宽度WB在轴向规定位置变小。
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公开(公告)号：CN100590777C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610098167.1
申请日：2006-12-05
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种霍尔型离子源。它的阴极灯丝(1)经灯丝支架(2)和灯丝绝缘座(3)与屏蔽罩上盖(4)固定连接，柱状体阳极(14)上部的内腔为带有一只以上阳极进气口(13)的阳极放电室(12)、下部为内置软铁(16)和磁铁(15)的阳极水冷腔(18)，阳极水冷腔密封法兰(17)与阳极(14)底端间经密封件(20)、螺钉(21)固定连接，其上对应阳极水冷腔(18)两侧处贯通焊接有冷却水进、出水管(10，9)，屏蔽罩(6)经阳极上绝缘垫(5)、阳极下绝缘垫(7)与凸台(23)、阳极水冷腔密封法兰(17)相抵触连接，阳极下绝缘垫(7)中贯通连接有与阳极进气口(13)相接通的进气管(11)。它可用于离子束辅助沉积、清洗和半导体技术中。
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公开(公告)号：CN100463099C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410077416.X
申请日：2004-12-08
申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
发明人： 李欣和
CPC分类号： H01J27/146
摘要： 本发明涉及一种离子源，其包括：一放电室；一磁路，该磁路环绕该放电室；一供气系统，用于向该放电室提供工作气体和反应气体；一阳极，设置在该放电室的下方；一阴极，设置在该放电室的上方，与上述阳极相对应；其中，该阴极为多个场发射冷阴极，该场发射冷阴极包括一场发射端和一用于支撑该场发射端的绝缘支撑臂，所述场发射端对准该放电室。采用碳纳米管场发射装置作为阴极的离子源具有低能耗，且无须时常更换阴极的优点。
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公开(公告)号：CN1428001A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01808943.7
申请日：2001-05-15
申请人： 瓦里安半导体设备联合公司
CPC分类号： H01J27/022 , H01J27/08
摘要： 一非直接加热阴极式离子源，包括一个用于感测从弧光腔室抽出离子电流的抽出电流传感器和一个用于控制丝极电源、偏置电源和/或弧光电源的离子源控制器。离子源控制器可以比较感应抽出电流和参考抽出电流并计算出感应抽出电流和参考抽出电流之间的差值。控制非直接加热阴极式离子源的各个电源以使差值最小，这样就能使抽出电流基本上保持在一个恒定值。离子源控制器用一种控制算法，如一个闭合反馈回路，根据差值来控制各个电源。在第一种算法中，由偏置电源提供的偏置电流IB不断变化，以此来控制抽出电流IB。更进一步根据第一种控制算法，丝极电流IF和弧光电压VA保持恒定值。根据第二种控制算法，丝极电流IF不断变化，以此来控制抽出电流IE。更进一步根据第二种控制算法，偏置电流IB和弧光电压VA保持恒定值。
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