-
公开(公告)号：CN104591738A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510058341.9
申请日：2015-02-04
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/563 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高韧性碳化硼陶瓷及其制备方法，所述制备方法包括：a）制备混合粉体，其中，混合粉体的组成包括：以重量百分数计算，80%-90%的碳化硼粉体、5%-10%的微孔碳、5%-10%的钛粉；b）将粘结剂和制备的混合粉体均匀混合后，用于制备陶瓷生坯；c）将制备的陶瓷生坯干燥后，在规定温度下排胶，获得多孔预制体；d）将多孔预制体与硅粉在1450-1600℃下反应，得到所述高韧性碳化硼陶瓷。
-
公开(公告)号：CN104478460A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410775642.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 佛山市中国科学院上海硅酸盐研究所陶瓷研发中心
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种纤维增强碳化硅基复合材料的制备方法，属于材料制备领域。本方法以纤维作为增强体，使用含有纳米细度的碳化硅和酚醛树脂的浆料对上述纤维进行浸渍，待纤维上的浆料固化后进行裂解反应，形成具有微裂纹的预成型体，将预成型体与单质硅在真空条件下进行原位反应烧结，得到纤维增强碳化硅基复合材料。现有技术相比，本发明提供的方法具有如下优势：引入纳米级碳化硅粉体，调节浆料性能，提高浸渍效率；制备出具有网络结构的预成型体，为硅的扩散提供通道；制备的复合材料基体均匀，致密度高，力学性能优良，抗氧化性好。
-
公开(公告)号：CN112898023B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110125659.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种Cf/Ta4HfC5‑SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述Cf/Ta4HfC5‑SiC超高温陶瓷基复合材料包括：碳纤维预制体、填充在碳纤维预制体中的SiC基体，以及分布在SiC基体和碳纤维预制体之间的Ta4HfC5基体。
-
公开(公告)号：CN109678539B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201710980481.0
申请日：2017-10-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/584 , C04B35/583 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种致密Cf/SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）利用真空作用将含有聚硼硅氮烷和自由基引发剂的前驱体混合溶液引入到碳纤维预制体中，然后在密封状态下交联固化，并在惰性气氛下裂解，得到Cf/SiBCN陶瓷基复合材料，所述自由基引发剂为过氧类引发剂或/和偶氮类引发剂；（2）重复浸渍‑交联固化‑裂解6～8次，得到所述致密Cf/SiBCN陶瓷基复合材料。
-
公开(公告)号：CN108727049B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201710266135.6
申请日：2017-04-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种Cf/SiC‑HfC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：利用真空浸渍法在碳纤维预制体内引入HfO2粉体和碳源，得到Cf/HfO2‑C预成型体；将所得Cf/HfO2‑C预成型体置于惰性气氛中，在1300～1800℃下经过碳热还原1～2小时，得到Cf/HfC‑C预成型体；将所得Cf/HfC‑C预成型体在1400～1700℃下进行Si熔渗，使Cf/HfC‑C预成型体中C与Si原位反应生成SiC基体相，得到所述Cf/SiC‑HfC超高温陶瓷基复合材料。本发明制备温度低，降低了材料制备过程中高温对碳纤维的损伤；工艺简单，易于实现Cf/SiC‑HfC复合材料的快速制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109384466A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710682197.5
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种自由基引发剂改性聚硼硅氮烷高效制备致密SiBCN陶瓷的方法，包括：在惰性气氛的保护下，将含有乙烯基官能团的液态聚硼硅氮烷和自由基引发剂混合后并在50～150℃交联固化0.5～2小时，得到透明固体，所述自由基引发剂为过氧类引发剂或/和偶氮类引发剂；将所得透明固体于惰性气氛中、900～1400℃下热处理2～4小时，得到所述致密SiBCN陶瓷。本发明利用自由基引发剂改性聚硼硅氮烷，陶瓷产率从17%左右提高到74%左右。
-
公开(公告)号：CN108727049A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710266135.6
申请日：2017-04-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种Cf/SiC-HfC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：利用真空浸渍法在碳纤维预制体内引入HfO2粉体和碳源，得到Cf/HfO2-C预成型体；将所得Cf/HfO2-C预成型体置于惰性气氛中，在1300～1800℃下经过碳热还原1～2小时，得到Cf/HfC-C预成型体；将所得Cf/HfC-C预成型体在1400～1700℃下进行Si熔渗，使Cf/HfC-C预成型体中C与Si原位反应生成SiC基体相，得到所述Cf/SiC-HfC超高温陶瓷基复合材料。本发明制备温度低，降低了材料制备过程中高温对碳纤维的损伤；工艺简单，易于实现Cf/SiC-HfC复合材料的快速制备。
-
公开(公告)号：CN106507710B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201318003289.9
申请日：2013-07-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提出了一种提高SiC基复合材料支撑结构环境适用性的原位结合工艺，其特征在于所述的原位结合工艺为对PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件进行清洗、烘干后在其表面均匀喷涂树脂溶液形成液膜并使其固化形成一层树脂膜。本发明可广泛应用于空间光学系统反射镜支撑结构中。
-
公开(公告)号：CN104891495A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510398199.2
申请日：2015-07-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明涉及一种高产率低温合成碳化硼粉体的方法，包括：按（4～7）：10的摩尔配比分别称取硼酸和聚乙烯醇，将硼酸与丙三醇混合搅拌至完全溶解，加入碱调节pH至4～6，得到硼酸溶液；将聚乙烯醇与水混合搅拌至完全溶解，得到聚乙烯醇溶液；将所得硼酸溶液和所得聚乙烯醇溶液混合搅拌并在加热下蒸发溶剂至完全形成凝胶；将所得凝胶进行干燥，得到干凝胶；将所得干凝胶在真空或惰性气氛下于500～700℃保温2～4小时进行裂解；将裂解产物在真空或惰性气氛下于1300～1500℃保温3～5小时进行碳热还原，得到碳化硼粉体。本发明同时克服了硼酸-丙三醇体系凝胶后续处理过程中B2O3挥发损耗严重和硼酸-聚乙烯醇体系硼酸浓度过低的局限。
-
公开(公告)号：CN105474778B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201218000407.6
申请日：2012-03-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B29C70/40 , B29C70/06 , C04B35/83 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种空间光学系统用低膨胀系数陶瓷基复合材料构件的制备方法，包括如下工艺步骤：(1)将碳纤维增强体组合形成或将连续碳纤维束通过三维五向编织工艺形成陶瓷基复合材料构件的纤维预制体；(2)将步骤(1)制备得到的纤维预制体，以聚碳硅烷作为前驱体采用PIP工艺进行多次浸渍裂解形成陶瓷基复合材料构件，所述PIP工艺循环次数为8-20次；或者，将步骤(1)中的纤维预制体，以任意顺序和次数以聚碳硅烷作为前驱体采用PIP工艺和以三氯甲基硅烷为反应气体采用CVI工艺组合形成陶瓷基复合材料构件，所述PIP工艺循环次数为8-20次。本发明主要应用于空间光学系统反射镜支撑结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.072 seconds)
