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公开(公告)号：CN105016761A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410177477.7
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种C/SiC复合材料的钎焊连接方法，所述方法包括：1）将Cu粉、Al粉、Ti源混合均匀，得到钎料粉末，加入粘结剂配制成钎料膏，其中，Ti源为Ti粉或TiH2粉；2）将步骤1）中制备的钎料膏涂覆在经表面预处理的C/SiC复合材料之间，制成C/SiC-钎料膏-C/SiC结构的预连接件；3）将步骤2）中制备的预连接件干燥后，移至真空钎焊炉中进行钎焊。
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公开(公告)号：CN103647047A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310719637.1
申请日：2013-12-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/62
CPC classification number: H01M4/36 , H01M4/625 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种碳纳米管/SnO2同轴复合阵列锂离子电池负极材料的制备方法。首先利用电子束蒸发法在金属箔集流器上依次预沉积氧化铝缓冲层和铁催化剂层，然后利用热CVD法在该集流器上原位生长碳纳米管阵列，再在所得碳纳米管阵列上进行原子层沉积得到碳纳米管/SnO2同轴复合阵列。微晶状态SnO2纳米管均匀的包覆在碳纳米管的外表面，且与碳纳米管牢固结合，所得碳纳米管/SnO2同轴材料与金属基底直接牢固结合。该材料表现出了非常优异的电学性能。
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公开(公告)号：CN105519255B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201218000406.1
申请日：2012-03-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提出了一种提高SiC基复合材料支撑结构环境适用性的原位结合工艺，其特征在于所述的原位结合工艺包括三种途径：途径一，对PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件进行清洗，烘干后放入气相渗透处理炉中，抽真空，在真空状态下升温至沉积温度，通入反应气体，通过CVI工艺在PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件上形成陶瓷增强层；途径二，在途径一制备的陶瓷增强层的基础上于其表面均匀喷涂树脂溶液形成液膜并使其固化形成一层树脂膜；途径三，对PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件进行清洗、烘干后在其表面均匀喷涂树脂溶液形成液膜并使其固化形成一层树脂膜。本发明可广泛应用于空间光学系统反射镜支撑结构中。
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公开(公告)号：CN106342335B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010049198.4
申请日：2010-07-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 大连金玛科技产业有限公司
Abstract: 本发明涉及一种C-B4C中子吸收球及其制备方法，属于核材料领域。本发明是将石墨、碳化硼粉体和酚醛树脂加入到无水乙醇溶剂中，经混料、干燥造粒、等静压成型及气氛(真空)烧结后，经加工后采用化学气相沉积技术进行表面改性处理，得到性能优异的C-B4C中子吸收球。本发明提供的中子吸收球制备工艺简单，成本低，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN102530945A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110421124.3
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B33/00
Abstract: 本发明公开了一种制备高纯Ti3SiC2粉体的方法，所述方法包括如下步骤：首先将聚碳硅烷溶于有机溶剂中，然后加入氢化钛粉，超声使混合均匀；边加热边搅拌，直至有机溶剂挥发充分使溶液变成粘稠状，然后进行真空干燥；在惰性气氛保护下，进行低温处理；再在惰性气氛保护下，进行高温处理。利用本发明方法制备的Ti3SiC2粉体具有纯度高、结晶度高及粉体粒度较小等优点，而且本发明方法工艺简单，易于操作，能耗较少，能满足工业化生产Ti3SiC2粉体的规模化和经济上的要求，具有广泛应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100371302C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200610026998.8
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种气相渗硅工艺制备高致密纤维增强SiC基复合材料的制备方法。首先采用气相或液相途径在纤维表面形成保护层界面，然后通过在纳米SiC浆料浸渍、裂解，制备成具有一定致密度的纤维增强SiC基的预制体。再通过浸渍裂解方式向预制体中引入碳，形成具有一定孔隙的基体，经高温处理后，以气相硅的方式渗透多孔体内部，与碳反应并填充孔隙，得到致密基体。通过该工艺制成碳纤维增强SiC陶瓷基复合材料密度达到2.25-2.30g/cm3，开口空隙率在3-6%，大大高于传统化学气相渗透法或有机前驱物浸渍裂解解法得到Cf/SiC材料。
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公开(公告)号：CN118791321A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310376884.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明涉及一种用于连接碳化硅陶瓷的同质连接材料以及连接方法。所述同质连接材料包括：碳化硅微粉、碳化硅纳米线、分散剂、粘结剂、碳化硅陶瓷前驱体和有机溶剂；所述碳化硅纳米线的长度为50～100μm，直径为50～1000nm、优选为100～600nm。
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公开(公告)号：CN118619688A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310229985.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/628 , C04B35/80 , C04B35/565
Abstract: 本发明涉及一种纤维表面抗氧化性稀土硅酸盐界面相层的制备方法。所述制备方法包括：(1)先将可溶稀土源、硅源溶于溶剂后，再加入催化剂并混合，最后经陈化处理，得到稀土硅酸盐溶胶；(2)将纤维浸渍所得稀土硅酸盐溶胶中保持1～5min，再以50～1000μm/s的速率匀速提拉直至取出纤维；(3)将取出后的纤维经干燥和高温热处理；(4)重复步骤(2)‑(3)至少1次，得到所述抗氧化性稀土硅酸盐界面相层。
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公开(公告)号：CN117702080A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311551858.2
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种基材表面高通量制备SiC纳米线的沉积装置及制备SiC纳米线的方法。所述基材表面高通量制备SiC纳米线的沉积装置包括：至少2个以上石墨板，所述石墨板中设置有多个通孔；用于支撑并固定石墨板用的支撑装置；以及设置在石墨板上表面且用于放置基材的基材支撑装置或设置在石墨板下表面且用于悬挂基材的基材悬挂装置。
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公开(公告)号：CN115784749B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111056523.4
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将SiC粉体、Re2O3粉体、粘结剂和溶剂混合，得到混合浆料；（2）将碳化硅纤维布或碳纤维布浸入混合浆料中，得到纤维预浸片后，再经裁剪、叠层、干燥、固化、一次热解，得到预制体；（3）将所得预制体浸渍树脂，再经二次热解和反应熔渗处理，得到耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料。
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