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公开(公告)号：CN111272217A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010052428.6
申请日：2020-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用分形结构提取紫外至长波红外激光光斑的方法。该方法利用光的波动性对波长进行分辨：同一波长的电磁波对不同尺度的结构的反射及透射不同，不同波长的电磁波对某一特定尺度的结构的反射及透射也不同。该方法还利用了分形结构的自相似性，来构造分别适用于超宽光谱的结构，并将电磁波对不同尺度的结构的反射的不同转化为了空间位置的不同。通过测量不同位置的反射特征，并结合分形结构的自相似性理论，对数据进行分析，得到激光光斑大小信息、激光波长信息。通过对多个水平方向的测量，可以得到激光的光斑形状。本专利的优点是结构简单，可以提取波长从70nm到14μm范围内的激光波长和光斑尺寸信息。
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公开(公告)号：CN119767863A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510272059.4
申请日：2025-03-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明属于薄膜转移技术领域，具体涉及一种从云母基底上转移二维薄膜的方法及前处理方法。本发明先后利用酸性溶液和碱金属氯化盐溶液对云母基底进行处理，能够在不损伤二维薄膜的基础上，减弱云母基底对二维薄膜的结合力，显著提升二维薄膜转移的质量，减少了因转移引入的材料缺陷和晶格畸变，实现了便利、高效地转移高质量二维薄膜的目的。本发明提供的前处理方法适用于不同类型的二维薄膜的转移工艺，且转移成功率高、样品损伤小、成本低、效率快。
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公开(公告)号：CN112129787B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202010966408.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于干法定点转移制备TEM样品的PPC膜及制备方法。利用特制的PPC膜，无损地将目标材料定点转移到铜网上完成TEM样品的制备，避免了湿法转移中存在的目标样品随机分布、材料损伤大、无法转移易水氧样品等问题，实现了高效、可靠地制备高质量的TEM样品。利用PPC的物理特性，在微区转移平台的辅助下，可以定点地对目标样品进行微区精准操作。这种全新的方法无须使用强酸强碱进行腐蚀，转移过程中不会对材料和碳膜造成损伤。该工艺适用于不同类型的材料，包括薄膜材料、二维材料、纳米线等。本发明的优点在于精准定点转移、无水接触、样品损伤小、有机残留少、适用面广、成本低、效率快、成功率高。
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公开(公告)号：CN119185538A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411311248.X
申请日：2024-09-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及光电材料技术领域，尤其涉及一种范德华碲纳米材料在作为近红外Ⅱa光神经调控材料中的应用。本发明提供了一种范德华碲纳米材料在作为近红外Ⅱa光神经调控材料中的应用，所述范德华碲纳米材料的制备方法，包括以下步骤：以碲化硒为原料，在衬底的表面进行化学气相沉积后，调节所述衬底的温度至200～400℃，得到所述范德华碲纳米材料；所述化学气相沉积在通氮气的条件下进行。所述范德华碲纳米材料的光神经调控具有很宽的谱段(从可见光到近红外光)，波段能达到近红外Ⅱa(1.3～1.4μm)波段，在近红外Ⅱa的1.31μm光照射下，能够成功地诱导小鼠皮层神经细胞产生动作电位。
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公开(公告)号：CN110729375B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201910850370.7
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift‑off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速度。本发明的探测器具有信噪比高、量子效率和光电转换效率高、响应快的特点，并且可应用于太阳能电池领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113964235A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111127775.1
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/075
Abstract: 本发明公开了一种原子层厚度调控二维材料PtSSe掺杂特性的方法。本方法通过机械剥离减薄二维材料PtSSe，随着原子层厚度的减薄，二维原子层材料的掺杂类型从p型转变成i型，继而转变成n型，载流子浓度从1012cm‑2变化到1011cm‑2。可控掺杂关键点是制备不同厚度的二维材料，随着二维材料厚度的变化，材料中发生应力变化，使得二维材料PtSSe点缺陷种类发生变化，实现二维材料掺杂。而且，二维材料PtSSe的厚度仅改变0.8nm，掺杂浓度发生明显变化，实现了二维材料原子层厚度的掺杂。本发明的优点在于简单、无损伤、单原子层可控地实现了二维原子层半导体材料掺杂类型和掺杂浓度的连续变化。
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公开(公告)号：CN110729375A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910850370.7
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift-off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速度。本发明的探测器具有信噪比高、量子效率和光电转换效率高、响应快的特点，并且可应用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN119836015A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510293413.1
申请日：2025-03-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F30/21 , G01J5/20 , G01N21/3504 , H10F77/12 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及非色散红外气体传感器技术领域，尤其涉及一种范德华光电探测器及其制备方法和应用、非色散红外气体传感器。本发明提供了一种范德华光电探测器，包括依次层叠设置的基底层、异质结层和双端金属电极层；所述异质结层为第一范德华材料层部分嵌入第二范德华材料层的底部中形成异质结结构，且所述第一范德华材料层的全部底部与所述基底层的上表面接触，所述第二范德华材料层的部分底部与所述基底层的上表面接触；所述双端金属电极层包括第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极位于所述第一范德华材料层的表面，所述第二金属电极位于所述第二范德华材料层的表面。所述范德华光电探测器具有极低的界面缺陷，较低的热噪声。
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公开(公告)号：CN113279058B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110392272.0
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种低对称性层状材料Te的可控制备方法。该方法利用简单廉价的化学气相沉积，可控的生长六边形、五边形、四边形等不同形貌的Te纳米片和Te纳米线。可控生长的过程是利用单温区的管式炉，SnTe2粉末作为反应源料，放置炉子炉子中间，衬底硅片放置于炉子的末端。使用机械泵抽取真空，气路中的压强达到0.5Pa，通入氮气，压强升到1000Pa。打开管式炉的电源开关，加热到650℃，反应30min，关闭电源。冷却室温后，在硅片上生长出Te纳米线和不同形貌Te纳米片，扫描电子显微镜和原子力显微镜表征Te纳米材料。本发明的优点在于低成本、高效率、准确可控地制备高质量、不同纳米形貌的低对称性层状材料Te。
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公开(公告)号：CN112242455A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010965478.3
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器及制备方法。所述探测器结构包括衬底、介质层、石墨烯层、二硫化钼层、黑磷层和金属源、漏电极。器件制备步骤是将机械剥离的石墨烯、二硫化钼和黑磷依次转移到具有介质层的衬底上，运用电子束曝光和热蒸发等工艺分别在黑磷和石墨烯上制作金属源、漏电极，形成了垂直结构的范德瓦尔斯单载流子红外光电探测器。利用二维材料丰富的能带结构和独特的物理特性，设计了多子阻挡的非对称势垒能带结构，可以对暗电流进行有效的抑制，进而实现了中波红外的室温黑体探测、偏振探测和红外成像。该探测器具有室温工作、多子阻挡、中波红外响应、灵敏度高、响应快及黑体探测等特点。
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