公开(公告)号：CN119185538A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411311248.X

申请日：2024-09-19

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王振 ,  胡伟达 ,  王鹏 ,  赵天歌 ,  余羿叶 ,  王芳 ,  姚碧霂

IPC: A61K41/00 ,  A61P25/16 ,  C01B19/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及光电材料技术领域，尤其涉及一种范德华碲纳米材料在作为近红外Ⅱa光神经调控材料中的应用。本发明提供了一种范德华碲纳米材料在作为近红外Ⅱa光神经调控材料中的应用，所述范德华碲纳米材料的制备方法，包括以下步骤：以碲化硒为原料，在衬底的表面进行化学气相沉积后，调节所述衬底的温度至200～400℃，得到所述范德华碲纳米材料；所述化学气相沉积在通氮气的条件下进行。所述范德华碲纳米材料的光神经调控具有很宽的谱段(从可见光到近红外光)，波段能达到近红外Ⅱa(1.3～1.4μm)波段，在近红外Ⅱa的1.31μm光照射下，能够成功地诱导小鼠皮层神经细胞产生动作电位。

公开(公告)号：CN119194401A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411313018.7

申请日：2024-09-19

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  王振 ,  王鹏 ,  赵天歌 ,  余羿叶 ,  王芳 ,  姚碧霂

IPC: C23C16/30 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及光电材料和器件技术领域，尤其涉及一种具有体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法。本发明提供了一种范德华碲纳米材料的制备方法，包括以下步骤：以碲化硒为原料，在衬底的表面进行化学气相沉积，得到所述范德华碲纳米材料；所述化学气相沉积在通氮气的条件下进行。所述制备方法制备得到的范德华碲纳米材料可以使光电器件的体光伏响应具有很宽的谱段和高光电流密度。