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公开(公告)号：CN115270667A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210818863.4
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/30
Abstract: 本发明提供了一种全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法，包括如下步骤：将MOSFET源极、漏极短接并提供交流电压小信号，在背栅提供直流偏置，直流偏置使沟道区处在积累和反型状态，并在上述两状态下分别测量MOSFET在栅极的交流电流小信号，得出沟道电容Cgc；将MOSFET的源极、漏极与背栅短接并提供交流电压小信号，在MOSFET的栅极测量交流电流小信号，得到栅极电容Cgg；根据测得的沟道电容Cgc和栅极电容Cgg计算得出前栅氧化层电容Cox与埋氧层电容Cbox。本发明根据全耗尽SOI衬底的特点对电容模型进行重建，能够准确的提取采用FDSOI衬底的MOSFET前栅氧化层和埋氧层电容。
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公开(公告)号：CN115236400A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210853979.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种自加热效应建模与参数提取方法，包括如下步骤：设计自加热效应测量结构；对器件栅极电阻进行交流阻抗测试；对器件功率进行动态扫描，同时测量器件的栅极电阻变化情况；绘制温度‑功率曲线，并从中提取器件热阻。本发明通过引入交流阻抗测量，只需额外的两个栅极电阻测量端口，减少了对器件的测量端口需求，同时栅极的偏置不会存在电势分布不均导致器件的自加热效应表征产生偏移。
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公开(公告)号：CN108875105B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201710338860.X
申请日：2017-05-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/39
Abstract: 本发明提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，包括以下步骤：1）依据YGG提取栅电阻Rg及栅电容Cgg；2）依据YGS提取栅源电容Cgs，并依据YGD提取栅漏电容Cgd；3）依据YGS、Rg、Cgs及Cgd提取源电阻Rs，并依据YGD、Rg、Cgs及Cgd提取漏电阻Rd；4）依据YBS提取源体二极管结电容Csb，并依据YBD提取漏体二极管结电容Cdb；5）依据YBB提取体电阻Rb；6）依据漏区埋氧层与衬底的Y参数提取衬底电阻；7）依据漏区埋氧层与衬底的Y参数及ZBB提取衬底电容；8）依据ZCdbox提取漏区埋氧层电容；9）依据源区埋氧层与衬底的Y参数及YSS提取源区埋氧层电容。本发明通可以利用Y参数或Z参数直接对所述SOI晶体管四端口网络射频模型参数进行提取。
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公开(公告)号：CN113655360A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110913198.2
申请日：2021-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法，包括如下步骤：在同一衬底上同时形成待测器件，以及相对应的引脚结构、开路结构、短路结构以及直通结构；分别对上述待测器件、引脚结构、开路结构、短路结构、直通结构进行S参数测试；利用电磁仿真模型仿真一个金属条阻抗，算出实际短路结构引入的阻抗；利用所获得的实际短路结构引入的阻抗，将S参数转换为Y参数。本发明通过对一个金属条进行电磁仿真其阻抗来模拟实际用于去嵌的短路结构中用于共地互连的那部分金属块的阻抗，并在去嵌过程中将该阻抗去除，从而在更高频率的时候也能获得更好的去嵌精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108878426B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201810561734.5
申请日：2018-06-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管均采用L型栅；可以在牺牲较小单元面积的情况下(最终的有效单元面积可小于8μm2)有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力；并且本发明的静态随机存储单元的制作方法不引入额外掩膜板、与现有逻辑工艺完全兼容，单元内部采用中心对称结构，不仅有利于MOS管的尺寸和阈值电压等匹配，还有利于形成阵列，方便全定制SRAM芯片。
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公开(公告)号：CN112819148A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011638759.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06N3/063 , G06N3/06 , H01L29/788
Abstract: 本发明提供了一种基于浮栅晶体管的脉冲神经元网络，包括多节点输入单元和脉冲产生单元：所述多节点输入单元包括一多输入端浮栅晶体管，多输入端浮栅晶体管的多个栅极输入端分别连接外部的多个仿生传感器输入信号，源极接地，漏极接脉冲产生单元的正极；脉冲产生单元包括一Mott忆阻器，Mott忆阻器的负极连接工作电压，正极连接晶体管的漏极，并作为所述脉冲神经元网络的脉冲输出端。本发明给出了一种全新的电子传入神经元实现架构。该架构面向硬件神经形态脉冲神经网络的应用，实现了模拟信号到脉冲信号的转换，具有结构简单、功能多、功耗低等优点，更加适应于脉冲神经网络。
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公开(公告)号：CN112685983A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011600789.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/3308 , G06F30/33 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供了一种片上电容的建模方法，所述电容为插指电容，包括如下步骤：提取主电容拟合系数，并计算主电容；提取拐角电容拟合系数，并计算拐角电容；提取边缘寄生电容拟合系数，并计算边缘寄生电容；提取版图寄生电容；反馈验证。本发明针对集成电路片上电容器的物理特性结合数学公式建立细致提取流程，提供可靠的器件建模方法和模型。
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公开(公告)号：CN109509507B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811301868.X
申请日：2018-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为被测模块提供电源，并检测被测模块的单粒子翻转效应。提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将SRAM存储单元配置为保持状态；开启脉冲激光辐射装置，对被测模块进行逐点辐照；当器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低，基于本发明的单粒子翻转效应的研究周期短。
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公开(公告)号：CN111564167A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010324690.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C7/24 , G11C11/412 , H01L27/11
Abstract: 本申请实施例提供了一种存储单元、晶体管的制备方法及存储单元的制备方法，其中，该存储单元是通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第七晶体管和第八晶体管，这八个晶体管的电性连接得到的具有特定功能的存储单元。本发明公开的存储单元相较于现有技术中的存储单元，在传统六管单元的基础上加入两个晶体管，以牺牲较小单元面积的情况下提升单元抗单粒子能力；该存储单元中的晶体管均采用“工”字型的栅氧层和金属栅结构，可有效抑制总剂量效应引起的上下边角漏电及侧壁漏电和寄生晶体管效应。此外，该存储单元不仅可以在抗单粒子效应能力上得到提高，还可以在存储数据的稳定性上得到增加。
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