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公开(公告)号：CN111063788A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911186950.7
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种超导转变边探测器的制备方法，包括以下步骤：通过磁控溅射方法在衬底上制备铝(Al)薄膜；对Al薄膜进行光刻和湿法刻蚀处理；获取探测器薄膜和电极图形；对Al薄膜再次进行光刻处理，采用光刻胶覆盖电极图形区域；采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行锰(Mn)离子注入；通过调整Mn离子的注入量能够调整探测器薄膜的超导转变温度，超导转变温度范围为1.2K-50mK；去除所述光刻胶；获取待处理器件。本申请实施例采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行Mn离子注入，电极区域不进行Mn离子注入，如此，能够实现基于同一层Al薄膜通过选区注入实现探测器和超导电极两种不同超导转变温度的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110632423A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910917353.0
申请日：2019-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温物性测试系统及装置，所述系统包括：多通道直流测试电路，用于根据第一待测样品的电压和电流对其进行直流电学参数表征；SQUID读出电路，用于读取第二待测样品的磁通或待转换为磁通的电信号，以对所述第二待测样品进行器件性能表征；其中，在对所述第一待测样品进行直流信号放大测试时，所述低温物性测试系统还包括：标准SQUID，设于所述样品安装区；此时所述标准SQUID的输入端电连接于所述多通道直流测试电路的输出端以作为所述多通道直流测试电路的次级放大电路，用于对所述多通道直流测试电路的输出信号进行放大。通过本发明解决了现有技术中没有高效低温物性测试系统的问题。
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公开(公告)号：CN111575668A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010290064.5
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器，涉及低温超导探测器技术领域。本发明通过在衬底上形成预设的宿主薄膜，并在宿主薄膜的深度方向进行非均匀注入磁性离子，在宿主薄膜的深度方向上形成共存的磁性掺杂区和非掺杂区，得到磁性掺杂超导薄膜。本发明采用非均匀的离子注入方式，能够有效抑制宿主薄膜的超导特性，起到调控宿主薄膜的临界温度的目的。相对于现有技术，本发明在达到相同的临界温度调控的同时，还可以获得更低的电阻率；由于该磁性掺杂超导薄膜具有较高的稳定性，能够使超导转变边沿探测器的制备和性能避免因双层膜不稳定性带来的影响，能够极大地提高超导转变边沿探测器制备过程中和使用性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN109727850A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811564257.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，包括于目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；确定待注入离子并提供M组预设注入条件以模拟待注入离子注入目标薄膜时的离子注入过程，得到注入能量-注入深度分布函数组，从而得到N个与注入深度峰值点一一对应的注入能量值；设定目标薄膜纵向掺杂的总目标浓度，并基于总目标浓度得到N个与注入能量值一一对应的注入剂量值，且N个注入剂量值之和的方差最小化；基于注入能量值及注入剂量值形成N组注入条件以控制待注入离子注入至目标薄膜，实现通过N次离子注入在纵向上叠加实现目标薄膜的纵向均匀掺杂。通过本发明解决了现有离子注入方法无法实现纵向均匀掺杂的问题。
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公开(公告)号：CN110632423B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910917353.0
申请日：2019-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温物性测试系统及装置，所述系统包括：多通道直流测试电路，用于根据第一待测样品的电压和电流对其进行直流电学参数表征；SQUID读出电路，用于读取第二待测样品的磁通或待转换为磁通的电信号，以对所述第二待测样品进行器件性能表征；其中，在对所述第一待测样品进行直流信号放大测试时，所述低温物性测试系统还包括：标准SQUID，设于所述样品安装区；此时所述标准SQUID的输入端电连接于所述多通道直流测试电路的输出端以作为所述多通道直流测试电路的次级放大电路，用于对所述多通道直流测试电路的输出信号进行放大。通过本发明解决了现有技术中没有高效低温物性测试系统的问题。
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公开(公告)号：CN109727850B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811564257.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，包括于目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；确定待注入离子并提供M组预设注入条件以模拟待注入离子注入目标薄膜时的离子注入过程，得到注入能量‑注入深度分布函数组，从而得到N个与注入深度峰值点一一对应的注入能量值；设定目标薄膜纵向掺杂的总目标浓度，并基于总目标浓度得到N个与注入能量值一一对应的注入剂量值，且N个注入剂量值之和的方差最小化；基于注入能量值及注入剂量值形成N组注入条件以控制待注入离子注入至目标薄膜，实现通过N次离子注入在纵向上叠加实现目标薄膜的纵向均匀掺杂。通过本发明解决了现有离子注入方法无法实现纵向均匀掺杂的问题。
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